Reliability of CMOS has been severed under aggressive device scaling. Conventional technologies such as lightly doped drain (LDD) and forming gas annealing (FGA) have been applied for better device reliability, but further advances are modest. Alternatively, electro-thermal annealing (ETA) which utilizes Joule heat produced by electrodes in a MOSFET, has been newly introduced for gate dielectric curing. However, concerns about mechanical stability during the electro-thermal annealing, have not been discussed, yet. In this context, this paper demonstrates the mechanical stability of nanosheet FET during the electro-thermal annealing. The effect of mechanical stresses during the electro-thermal annealing was investigated with respect to device design parameters.
Test devices can perform various functions, such as research on detection targets, sensors that detect detection targets, combined products containing sensors, and certification for the launch of combined products. However, the scope of use of test devices is limited because they perform only a single role or could only serve a particular purpose in the past. Therefore, studies on test devices that can perform various functions, such as research on detection targets, sensors that detect detection targets, combined products containing sensors, and certification for the release of combined products are necessary. Accordingly, this study proposes a test device that can increase the scope of use in the technical field of electric fires. In addition, we examine various outcomes of the proposed test device.
We have developed inverted green phosphorescent organic light emitting diodes (OLEDs) using 1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane (TAPC) and bis(carbazole-9-yl)biphenyl (CBP) hole transport layers. The driving voltage, current efficiency, power efficiency, and emission characteristics of devices were investigated. While the driving voltage for the same current density was about 1~2 V lower in the devices with the TAPC layer, the maximum luminance was higher in the device with the CBP layer. The maximum current efficiency and power efficiency were 3.2 and 2.7 times higher in the device with the CBP layer, respectively. The higher efficiency in the CBP device resulted from the enhanced hole-electron balance although weak parasitic recombination takes place in the CBP hole transport layer.
The wing-body trucks are special vehicles that are designed to provide large carrying space and to protect the freights from outside impacts and bad weather. They are constructed to the structure opening and shutting three-layered aluminum top. In the middle- and large-size(above one-ton) wing-body trucks, wing-body is opened/closed by opening and shutting device of oil pressure type. But one-ton truck is constructed that its wing-body is opened/closed in manual to use helping of stay-dampers. So, we developed an electronic opening and shutting device for one-ton wing-body trucks to improve the inconvenience of usage for manually operated wing-body. The developed device is consisted of two connected links and a dc motor combined with an worm gear. The worm gear changes the rotation axis of the dc motor to a right-angled direction and transfers the torque of dc motor to the links. The two connected links open/shut the wing-body using the torque transferred from the dc motor. When the wing-body starts to be opened, the biggest torque is required from the dc motor for opening the wing-body. And as the wing-body is opened more and more, the required torque is smaller for opening the wing-body. Thus, the structure of two connected links are designed to locate at the center of worm gear so that maximum torque of the dc motor is transferred the links at the initial time starting to open wing-body. The controller of the device with open and closed buttons also is designed to protect the device from over-opening and over shutting operations. The developed device is accomplished for many experiments using actual vehicle. Those experiments show that the device has more excellent performance than the oil pressure type.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제2권2호
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pp.102-110
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2002
In this paper, we present the fabrication of tunable capacitors and 3-dimensional inductors. This work was related to fabricated 3-dimensional device for need of micro device in developing new intelligence age. This device was fabricated by electroplating used electroplating PR and high-vacuum evaporation of metal. Fabricated micro-inductor is consisted of air-bridge on electroplating rod and electroplated core. Micro-capacitor is consisted of thin metal membrane and electroplated core. Electroplating material is used Cu metal solvent. Air-gap between metal-layers function as almost perfect isolation layer. The most advantage of our micro-inductor and micro-capacitor compared to present device is a possibility that can fabricate on RF MEMS(microelectro-mechanical systems) application with high performance and various function. In this paper, we present the fabrication of tunable capacitors and 3-dimensional inductors. This work was related to fabricated 3-dimensional device for need of micro-device in developing new intelligence age. This device was fabricated by electroplating used electroplating PR and high-vacuum evaporation of metal. Fabricated micro-inductor is consisted of air-bridge on electroplating rod and electroplated core. Micro-capacitor is consisted of thin metal membrane and electroplated core. Electroplating material is used Cu metal solvent. Air-gap between metal-layers function as almost perfect isolation layer. The most advantage of our micro-inductor and micro-capacitor compared to present device is a possibility that can fabricate on RF MEMS application with high performance and various functions.
In this paper, a new small size Lateral Trench Electrode Power MOSFET with local doping is proposed. This new structure is based on the conventional lateral power MOSFET. The entire electrodes of proposed device are placed in trench oxide. The forward blocking voltage of the proposed device is improved by 3.3 times with that of the conventional lateral power MOSFET. The forward blocking voltage of proposed device is about 500V. At the same size, a increase of the forward blocking voltage of about 3.3 times relative to the conventional lateral power MOSFET is observed by using TMA-MEDICI which is used for analyzing device characteristics. Because the electrodes of the proposed device are formed in trench oxide respectively, the electric field in the device are crowded to trench oxide. And because of the structure which has a narrow drain doping width, the punch through breakdown can be occurred in higher voltage than that of conventional lateral power MOSFET. We observed that the characteristics of the proposed device was improved by using TMA-MEDICI and that the fabrication of the proposed device is possible by using TMA-TSUPREM4.
In this report, we performed the measurements of physical properties of optical discs as a long term preservation electronic recording device and showed how to improve the preservation method of them. We collect the 1,993 optical discs from the archives of the National Archives of Korea and tested various measurements. We used DVDT-SD4 equipment to measure the quality of data, deformation of disc, the various writing strategy and manufacturer derives, which can be happened in optical discs by physical factors. We found that th quality of data are closely related with write strategy between discs and drives. This relation gives us information about data quality in optical discs for long term preservation that can be obtained from the state between empty discs and optical drives before recording. Thus, the initial selection of optimal discs and drives is critical for long term recording data preservation and the data quality after long time preservation will not be much different from that of the initial ones.
Oh, Doohwan;Kim, Ilkyu;Kim, Keunsoo;Lee, Sang-Min;Ro, Won Woo
ETRI Journal
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제37권2호
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pp.348-358
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2015
Mobile devices have been widespread and become very popular with connectivity to the Internet, and a lot of desktop PC applications are now aggressively ported to them. Unfortunately, mobile devices are often vulnerable to malicious attacks due to their common usage and connectivity to the Internet. Therefore, the demands on the development of mobile security systems increase in accordance with advances in mobile computing. However, it is very hard to run a security program on a mobile device all of the time due the device's limited computational power and battery life. To overcome these problems, we propose a novel mobile security scheme that migrates heavy computations on mobile devices to cloud servers. An efficient data transmission scheme for reducing data traffic between devices and servers over networks is introduced. We have evaluated the proposed scheme with a mobile device in a cloud environment, whereby it achieved a maximum speedup of 13.4 compared to a traditional algorithm.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권5호
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pp.175-188
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2011
As complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) continues to scale down deeper into the nanoscale, various device non-idealities cause the I-V characteristics to be substantially different from well-tempered metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). The last few years witnessed a dramatic increase in nanotechnology research, especially the nanoelectronics. These technologies vary in their maturity. Carbon nanotubes (CNTs) are at the forefront of these new materials because of the unique mechanical and electronic properties. CNTFET is the most promising technology to extend or complement traditional silicon technology due to three reasons: first, the operation principle and the device structure are similar to CMOS devices and it is possible to reuse the established CMOS design infrastructure. Second, it is also possible to reuse CMOS fabrication process. And the most important reason is that CNTFET has the best experimentally demonstrated device current carrying ability to date. This paper discusses and reviewsthe feasibility of the CNTFET's application at this point of time in integrated circuits design by investigating different types of circuit blocks considering the advantages that the CNTFETs offer.
An electronic watt-hour meter with high-precision measurement technology can provide many valuable metering data of a real-time system measurements, such as per-phase voltage, ampere, active power, reactive power, apparent power, power factor, and system frequency. Also many of accumulated metering data such as active energy, reactive energy, apparent energy, and load profile can be gettable from an electronic watt-hour meter[1]. This paper presents an approach of the small-sized AMR (Automatic Meter Reading) that provides customers with a very valuable electrical service. This AMR service transmits lots of a valuable metering data by using ZigBee communication module, so that users resided in their premises can use the information to audit a power quality and improve their electrical conditions by using the PQ monitoring device equipped with ZigBee receiver. This PQ monitoring device shows metering data on LCD and transmits to the PC through an internal network. Also, the device can keep the valuable meter data into a built-in non-volatile memory. The final goal of this paper is to better understand the power quality of electrical systems and offer the power qualify information for the convenience of all power consumers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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