본 논문에서는 모듈형 계통연계 태양광 PCS (photovoltaic power conditioning system)를 제안하였다. 능동-클램프 회로와 듀얼 직렬-공진 정류 회로를 이용하여 높은 입출력 전압 비를 효과적으로 구현하고 효율을 높인 승압형 DC-DC 컨버터를 제안하였다. 최대 전력점 추종 특성을 개선한 IncCond (incremental conductance) 방식의 MPPT (maximum power point tracking) 알고리즘을 사용하였다. 이 때 DC 전류 센서를 사용하지 않고 태양전지 모듈 (PV module)의 전류를 예측한다. 선형화 기법을 사용한 출력 전류 제어기로 인버터를 제어하여 단위 역률을 실현하였다. 모든 알고리즘과 제어기를 하나의 마이크로컨트롤러로 구현하고 제안된 DC-DC 컨버터와 제어기의 우수성을 실험을 통해 검증하였다.
고온초전도테이프의 전력부야 응용에서 자화손실과 함께 매우 중요한 통전손실에 대한 실험적 조사 연구를 한 결과, 외부자장이 커짐에 따라서 직류전압이 급격히 증가하였으며, 자장의 세기가 동일할지라도 교류인 경우가 직류인 경우보다 대단히 크다. 그리고 외부교류자장에 대한 직류전압-전류 특성으로부터 정의되는 동저항 또한 외부교류자장의 세기에 따라서 상이하지만 테이프의 임계전류에서 전기저항$(3.7\;{\mu}{\Omega}/m)$과 비교하여 작게는 수배에서부터 크게는 수백 배까지 증가한다.
In this paper, we studied the charging characteristics of high-capacity supercapacitor with high current for RF wireless charging system for smart phone charging. The dc output of the RF-DC receiver is connected to supercapacitor after which is connected to DC-DC converter for charging a smart phone. This configuration stably supplies voltage and current for charging it. Studies show that the higher charging current use, the rapidly shorter the charging time of supercapacitor is. The currents of 2A, 10A and 27A were used for charging supercapacitors. The charging time was measured for 3000F, 6000F, 12000F supercapacitors which is parallelly connected with 3000F supercapacitors.
In this paper, a high frequency flyback type zero voltage soft switching PWM DC-DC converter using IGBTs is proposed. Effective applications for this power converter can be found in auxiliary power supplies of rolling stock transportation and electric vehicles. This power converter is basically composed of active power switches and a flyback high frequency transformer. In addition to these, passive lossless snubbers with power regeneration loops for energy recovery, consisting of a three winding auxiliary high frequency transformer, auxiliary capacitors and diodes are introduced to achieve zero voltage soft switching from light to full load conditions. Furthermore, this power converter has some advantages such as low cost circuit configuration, simple control scheme and high efficiency. Its operating principle is described and to determine circuit parameters, some practical design considerations are discussed. The effectiveness of the proposed power converter is evaluated and compared with the hard switching PWM DC-DC converter from an experimental point of view and the comparative electromagnetic conduction and radiation noise characteristics of both DC-DC power converter circuits are also depicted.
브러시리스 DC 전동기(BLDCM)는 일반적으로 $120[^{\circ}]$ 구형파 전압을 인가하여 구동하며 속도 제어를 위하여 2상 PWM 형태의 펄스로 이를 인가한다. 본 논문은 네 가지 PWM 방법을 이용한 BLDCM 제어 시스템을 소개하고, 2차원 시간차분 유한요소법을 이용하여 각 PWM 방식에 따른 전동기 성능 특성을 해석하고 비교한다. 또한 제안한 해석 기법의 타당성을 입증하기 위하여 BLDCM 시작기를 제작, 실험을 통하여 해석치와 실험치를 비교한다.
본 논문에서 개발된 IGBT 구조는 DC 송배전을 위한 고전력 스위치 반도체로서 사용되며, 빠른 스위칭 속도 및 개선된 항복전압 특성을 확보하여, 향후 신재생 장거리 DC 송전을 위한 중요한 전자 소자로서 이용될 것이 기대되고 있다. 새로운 타입의 차세대 전력 반도체로서, 스위칭 속도를 향상시키면서 동시에 항복 전압의 특성을 개선시켜, 전력 손실 특성을 줄이도록 설계되었고, 높은 전류 밀도의 장점을 동시에 획득 가능하다. 이러한 개선된 특성은 Planar IGBT의 N-drift 영역에 $SiO_2$를 추가로 도입함으로서 얻어지며, Sentaurus TCAD 시뮬레이션 툴을 사용하여, 비교 분석하였다.
This paper presents a study of circulating current of modular multi-level converter (MMC) based a high voltage direct current (HVDC) system under unbalanced grid conditions. Due to the connection of a dependent DC source in each phase, the MMC system inherently generates the power ripple of double-line-frequency components in the AC-side and as a result, the additional sinusoidal current named circulating current flows through the each arm. Reliability improvement of HVDC system under an unbalanced grid condition is one of the important criteria. Generally, the modeling of the circulating current is based on the power relation between DC-side and AC-side. However, the method is not perfectly matched in the MMC system due to the difference of the structural characteristic. In this paper, improved modeling method of circulating current is proposed, which is based on the inner arm power. The proposed method is verified by several simulations to have good agreement of the circulating current components.
This paper presents a novel single-stage high frequency resonant inverter link type DC-DC converter using zero voltage switching with high input power factor. The proposed high frequency resonant converter integrates half-bridge boost rectifier as power factor corrector (PFC) and half-bridge resonant converter into a single stage. The input stage of the half-bridge boost rectifier is working in discontinuous conduction mode(DCM) with constant duty cycle and variable switching frequency. So that boost converter make the line current follow naturally the sinusoidal line voltage waveform. Experimental results have demonstrated the feasibility of the proposed DC-DC converter. This proposed converter will be able to be practically used as a power supply in various fields as induction heating applications, DC-DC converter etc.
In terms of power loss, a MOSFET has two advantages over an IGBT with an antiparallel diode: purely resistive without an offset voltage in conduction and no tail current at turn-off. However, the reverse recovery characteristic of the body diode is so poor that MOSFETs have not yet been available for high-voltage power converters with bidirectional power flow legs. This paper introduces how MOSFETs can be fully applied to high-voltage power converters with bidirectional power flow legs in order to achieve high efficiency. With a bidirectional DC-DC converter with one leg as the simplest example, the basic circuit topology and operating principle are described in detail. The high efficiency and stable operation of the proposed converter are validated through experiments with a 1.5 kW prototype.
In this paper, we design and implement the DC characteristic measurement system for semiconductor devices. The proposed system is composed of 4 SMU(Source and Measure Unit) channels. Various efforts in hardware and software have been made to reduce the measurement errors. Internal and external sources of errors in measurement system especially in pA range measurement have been identified and removed. Also, various digital signal processing techniques are developed. Calibration is executed under the control of microprocessor periodically. Experimental results show that the implemented system can measure the DC characteristic of semiconductor devices with less than 0.2% error in various voltage and current source/measurement range.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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