• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제3회(2014년)
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• pp.495-497
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• 2014

Combining the quantum transport theory with new field of Spin Caloritronics, we investigate on the influence of thermal gradient on the magneto tunnel junction structure under various circumstances. The results indicate enhancement in performance of spintronic device is possible using thermal energy.

• 한국수자원학회논문집
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• 제45권8호
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• pp.767-782
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• 2012

일반적으로 관거 및 맨홀 등의 도시 배수 시스템에서의 유사 및 유송잡물의 퇴적은 유수 흐름의 저항, 합류식 하수도의 조기 운영 및 도시 침수 및 주수로에서의 필연적인 오염 발생 등의 하수도 시설에 심각한 영향을 미친다. 그러므로 배수관과 연결된 합류맨홀에서 유사의 거동 특성 및 퇴적 양상을 분석할 필요가 있다. 본 연구에서는 문헌조사 및 현장조사를 실시하여 실험장치를 제작하고 실험조건을 선정하였다. 선정된 실험조건인 맨홀 형상 조건(사각형, 원형), 유사 유입 조건, 유입 유사량 및 유사 유입 관거를 변화시키면서 실시하였다. 맨홀 내부에 경사형 benching을 설치한 개선형 합류맨홀은 맨홀의 형상에 관계없이 합류맨홀 내 유사퇴적을 저감시키는 데에 상당한 효과를 나타내고 있으므로 도시 배수 시스템에서 개선형 합류맨홀은 관거 시설의 배수능력을 증대시킬 것으로 판단된다.

• 설비공학논문집
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• 제12권9호
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• pp.870-878
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• 2000

An experimental study and a modeling are peformed to investigate the pressure drop of combining junctions in two-phase flows. Experiments on tripod geometry used in a condenser or an evaporator, are conducted with inlet mass fluxes from 200 to$ 400 kg/m^2$s, and pipe diameters of 7 m and 9.52 m. The working fluid is R22. The result shows that the pressure drop increases as the quality does, but the effect of the increase of the pressure decreases when the diameter of a pipe increases. When the mass flux increases, the pressure drop linearly does. Furthermore, when the pipe diameter decreases, the pressure drop has a quadratic increase.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.41-46
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• 2013

본 논문에서는 코르게이트 도파관을 사용한 위성통신용 저역통과 여파기를 제안하였다. 본 구조는 위성통신용 시스템으로 사용되기 위해 임피던스 트랜스포머와 T-junction을 배열한 코르게이트 도파관이 결합된 형태로 설계하였다. T-junction은 낮은 삽입손실과 높은 격리도의 특성을 만족시키기 위해 Chebyshev 함수를 사용하여 설계하였다. 임피던스 트랜스포머는 높은 반사손실을 위해 코르게이트 도파관의 양 끝에 높이가 다른 T-junction을 결합한 구조로 설계하였다. 제작된 여파기는 12.25 ~ 12.75 GHz에서는 반사손실이 35.4 dB이상, 삽입손실은 0.1 dB이하, 14.0 ~ 14.5 GHz에서는 격리도가 54.4 dB이상으로 나타났다. 따라서 본 논문에서 제안된 저역통과 여파기는 위성통신용 시스템에 사용 가능함을 보였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.35-42
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• 2022

본 논문에서는 SSPA(Solid state amplifier) 의 핵심 모듈인 결합기의 효율 및 격리 특성을 높이는 방법에 대해 연구하였다. 구체적으로 도파관 결합기에서 공용 포트와 격리 포트 정합을 이루어 격리도를 확보 하였다. 정합을 위한 매칭 구조는 원형 디스크 형태로 도파관 결합기 내부에서 음각으로 가공하게 된다. 구조는 매우 단순하여 안정적인 성능 확보가 가능하다. 그리고 이러한 구조는 이전 연구 대비 60배 이상의 높은 임계전력 성능을 보여 고출력에 적합함을 확인하였다. 그리고 1단의 T-junction과 2, 3단의 MagicT 결합기를 조합하여 소형화를 이루고, 삽입손실을 줄여 결합 효율을 최적화 하였다. 제작된 도파관 결합기는 16dB 이상의 격리도와 86.2% 의 결합 효율을 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.389.1-389.1
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• 2016

The flexible solid state device has been widely studied as portable and wearable device applications such as display, sensor and curved circuits. A zero-bias operation without any external power consumption is a highly-demanding feature of semiconductor devices, including optical communication, environment monitoring and digital imaging applications. Moreover, the flexibility of device would give the degree of freedom of transparent electronics. Functional and transparent abrupt p/n junction device has been realized by combining of p-type NiO and n-type ZnO metal oxide semiconductors. The use of a plastic polyethylene terephthalate (PET) film substrate spontaneously allows the flexible feature of the devices. The functional design of p-NiO/n-ZnO metal oxide device provides a high rectifying ratio of 189 to ensure the quality junction quality. This all transparent metal oxide device can be operated without external power supply. The flexible p-NiO/n-ZnO device exhibit substantial photodetection performances of quick response time of $68{\mu}s$. We may suggest an efficient design scheme of flexible and functional metal oxide-based transparent electronics.

• 전기학회논문지
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• 제58권7호
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• pp.1363-1374
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• 2009

This paper reviews the characteristics and technical trends in Power MOSFET technology that are leading to improvements in power loss for power electronic system. The silicon bipolar power transistor has been displaced by silicon power MOSFET's in low and high voltage system. The power electronic technology requires the marriage of power device technology with MOS-gated device and bipolar analog circuits. The technology challenges involved in combining power handling capability with finger gate, trench array, super junction structure, and SiC transistor are described, together with examples of solutions for telecommunications, motor control, and switch mode power supplies.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권3호
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• pp.339-344
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• 2014

This paper presents a novel bipolar junction transistor (BJT) based electrostatic discharge (ESD) protection device. This protection device was designed for 20V power clamps and fabricated by a process with Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) $0.18{\mu}m$. The current-voltage characteristics of this protection device was verified by the transmission line pulse (TLP) system and the DC BV characteristic was verified by using a semiconductor parameter analyzer. From the experimental results, the proposed device has a trigger voltage of 29.1V, holding voltage of 22.4V and low on-resistance of approximately $1.6{\Omega}$. In addition, the test of ESD robustness showed that the ESD successfully passed through human body model (HBM) 8kV. In this paper, the operational mechanism of this protection device was investigated by structural analysis of the proposed device. In addition, the proposed device were obtained as stack structures and verified.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권6호
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• pp.546-550
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• 2013

We propose a novel negative differential resistance (NDR) device with ultra-high peak-to-valley current ratio (PVCR) by combining pn junction diode with depletion mode nanowire (NW) transistor, which suppress the valley current with transistor off-leakage level. Band-to-band tunneling (BTBT) Esaki diode with degenerately doped pn junction can provide multiple switching behavior having multi-peak and valley currents. These multiple NDR characteristics can be controlled by doping concentration of tunnel diode and threshold voltage of NW transistor. By designing our NDR device, PVCR can be over $10^4$ at low operation voltage of 0.5 V in a single peak and valley current.

• 한국통신학회논문지
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• 제27권5C호
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• pp.506-511
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• 2002

본 논문에서는 널리 알려진 슬롯 라인-마이크로스트립 변환을 이용하여 Ka-band에서 동작하는 도파관 형태의 전력 결합기를 제안하였다. 입력이 구형 도파관이고 출력이 마이크로스트립인 전력 분배기는 구형 도파관-슬롯라인 변환, 슬롯라인-마이크로스트립 변환, 그리고, 임피던스 정합회로 등으로 구성되어 있다. 2-way 전력 결합기는 두개의 슬롯라인-마이크로스트립 변환을, 4-way는 2-way 전력 결합기 2개와 sloltline tee junction을 이용하여 개발되었다. 3차원 유한 요소법을 이용하여 제안된 구조를 수치 해석하여 최적의 특성이 나오도록 설계하였고, 손실이 작은 수정 기판을 사용하여 제작하였다. Back-to-back으로 연결된 전력 결합기를 측정한 결과, 공진 주파수를 제외하면, 2-way 전력 분배기는 25.7∼29.8 GHz에서 삽입손실은 1.0 dB 이하, 반사손실은 15 dB 이상이었고, 4-way의 경우는 26∼28.2GHz에서 삽입손실이 1.0 dB 이하, 반사손실이 15 dB 이상의 우수한 특성을 얻을 수 있었다.