본 연구에서는 CdS, CdSe, ZnS, ZnSe 반도체를 첨가한 SK-16 유리와 ZK-1 유리를 직접 제작하고 열처리하여 유리속에 반도체의 미세결정을 생성시켜 착색유리를 만들고 sharp-cut용 광학 filter로써의 특성을 조사하였다. CdS, CdSe, ZnS 및 ZnSe 반도체를 첨가한 SK-16유리는 열처리돈도를 달리하였을 경우 광흡수단을 변화시킬 수 있는 범위가 30nm정도로 아주 좁았다. 그러나 $CdS_{1-x}Se_x$를 첨가한 SK-16 유리는 x값을 변화시키면서 열처리 함으로써 광흡수단을 ~130nm범위에서 변화시킬 수 있었고 광흡수계수도 높아 sharp-cut용 광학 filter용으로 좋은 특성을 나타내었다. CdSe와 $CdS_{0.5}Se_{0.5}$ 반도체를 첨가한 ZK-1 유리는 열처리온도를 달리 함으로서 흡수단을 변화시킬 수 있는 범위가 ~100nm나 되고 광흡수게수도 아주 높아 sharp-cut용 광학 fiter로 아주 우수한 특성을 나타내었다.
We have discovered that quercetin, once coated on the CdSe and CdSe-CdS quantum dots (QDs), becoming highly water soluble. In the present work, we have successfully synthesized CdSe/CdS/N-Acetyl-L-Cysteine(NAC)/Quercetin nano-composites in the aqueous solution. The products were characterized using UV-vis spectroscopy, X-ray powder diffraction, fluorescence spectroscopy, and Fourier transform infrared spectroscopy. The transmission electron microscopy (TEM) tests indicated that our nano-composite products are highly stable with homogeneous particle size and great monodispersity. Quercetin coated nano-composite CdSe/CdS/NAC/Quercetin showed different fluorescence behavior from that of CdSe/CdS/NAC. Most amazingly, the synthesized CdSe/CdS/NAC/Quercetin nano-composite exhibits strong antibacterial activity. The combination of the strong fluorescence and its antibacterial activity makes the quercetin modified quantum dots as a potential candidate for cancer targeted therapy and other cancer treatments.
Poly [(dimethylmethylvinyl)siloxane 공중합체(PMViS)를 phosphorus oxychloride $(POCl_3)$와 반응시켜 poly [(dimethylmethylvinyl) siloxane] phosphine oxides (PMViSPO)를 제조하였다. Cadmium selenide (CdSe)는 cadmium oxide(CdO), tetradecylphosphonic acid(TDPA), trioctylphosphine oxide(TOPO)를 $300^{\circ}C$에서 반응시키고 여기에 Se를 용해시킨 tributylphosphine(TBP)과 trioctylphosphine(TOP)을 가한 다음 $320^{\circ}C$에서 반응시켜 제조하였다. 또한 CdSe 제조 용액에 PMViSPO를 가하여 CdSe-SPO adduct를 제조하였다. 백금 촉매 존재 하에서 $\alpha,\omega-vinyl$ poly(dimethylsiloxane) (VPMS), HPMS, CdSe 또는 CdSe-SPO를 고속 교반기에 취하고 컴파운딩하여 CdSe 함유 액상실리콘 고무 composite (LSRC-1)와 CdSe-SPO 함유 LSR composite (LSRC-2)를 제조하였다. 제조한 LSR composites 내에 함유된 형광 물질인 CdSe nanoparticles의 분산형태를 측정하여 입자 크기가 $30\sim50nm$인 입자가 균일하게 분포되어 있음을 확인하였고 LSRC-2의 분산도가 LSRC-1보다 우수함을 확인하였다. 또한 CdSe 입자의 개수를 측정한 결과 동일한 면적에 대하여 166개와 202개로 보다 많은 개수의 CdSe가 LSRC-2에 함유됨을 알 수 있었다. LSR composites의 열적 특성을 측정한 결과 CdSe-SPO가 함유된 LSRC-2의 열안정성이 높게 나타났다.
Effects of additionof $NH_4Cl$, NaBr and LiF on the formation of Zircon and the synthesis of CdS-Se red stain were investigated by means of XRD, DTA and the color standard and color nomenclature. The red stain of CdS-Se system shows a little difference dependent on firing temperature on firing conditon. Consequently it forms a good soid-solution with red color under the ratio of CdS and Se 3.5 -4.1 at 58$0^{\circ}C$. But it changes to dark red as increasing Se. LiF is the most effective in mineralizer to preparae zircon with the equilbrant molar $SiO_2$ and ZrO Zircon makes a good preparation in 0.33 mole LiF from 90$0^{\circ}C$.
In order to find the structural characteristics of the thin films of group II-VI semiconductor compounds compared with those of powder materials, films were made of 4 powders of ZnS, CdS, CdSe, and CdTe(Aldrich), each with 99.99 % purity. For the ZnS/CdS multi-layers, the ZnS layer was coated over the CdS layer on an $AlO_x$ membrane, which served as a protective layer within a vacuum at the average speed of 1 ${\AA}$/sec. After studying the structures of the group II-VI semiconductor thin films by using X-ray spectroscopy, we found that the ZnS, ZnS/CdS, CdS, and CdSe films were hexagonal and exhibited some degree of preferred orientation. Also, the particles of the thin films of II-VI semiconductor compounds proved to be more homogeneous in size compared to those of the powder materials. These results were further verified through scanning electron microscopy(SEM), EDX analysis, and powder and thin film X-ray diffraction.
CdS/CuInSe2 태양전지에서 창측재료로 1μm 두께의 CdS박막을 1x10-3mTorr의 진공하에서 CdS source 온도를 800-1100'C로 하고 기판의 온도를 50-200℃로하여 진공증차겁으로 제조하였다. 증착된 CdS박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성조사는 x-ray diffractometer(XRD), scanning electron microscope(SEM), 전기비저항 측정, Hall measurement 그리고 optical transmission spectra로 행하였고, 각막들의 성분분석은 energy dispersive analysis of X-ray (EDAX)를 가하나, 광투과도는 감소하였다. 이때 증착된 CdS 박막들은 모두 hexagonal 구조를 가지고 있었으며, 결정성은 기판유리를 딸 (002)면으로 형성되었다. CdS Source 온도가 1000℃에서 증착된 CdS 박막이 0.9(S/cm)의 가장 높은 전기 전도도를 나타내었다. 또한 기판온도를 100'C로 제조한 CdS 박막이 전기비저항은 40(Ω,cm)이었고 광투과도는 80% 이상의 값을 나타내어 CdS/CuInSe2 태양전지의 창측재료로 적합했다.
So many groups have been researching the green quantum dots such as InP, InP/ZnS for overcoming the semiconductor nanoparticles composed with heavy metals like as Cd and Pb so on. In spite of much effort to keep up CdSe quantum dots, it does not reach the good properties compared with CdSe/ZnS quantum dots. This quantum dot has improved its properties through the generation of core/shell CdSe/ZnS structure or core/multi-shell structures like as CdSe/CdS/ZnS and CdSe/CdS/ CdZnS/ZnS. In this research, we try to synthesize the InP multi-shell structure by the successiveion layer absorption reaction (SILAR) in the one pot. The synthesized multi-shell structure has improved quantum yield and photo-stability. To generate white light, highly luminescent InP multi-shell quantum dots were mixed with yellow phosphor and integrated on the blue LED chip. This InP multi-shell improved red region of the LEDs and generated high CRI.
In this work we report investigation results of enhanced visible light photocatalytic properties of CdS and CdSe sensitized $TiO_2$ nanotube heterostructures. Anodically grown ordered $TiO_2$ nanotube arrays were sensitized with CdS and CdSe by using successive ionic layer adsorption and reaction method. Photocatalytic measurements revealed that heterostructured samples show enhanced photocurrent density under the visible light illumination. Improved visible light performance of the heterostuctures was explained by lower band gap of the CdS and CdSe and their favorable conduction band positions relative to $TiO_2$. Moreover, due to the lower band gap of the CdSe (1.7 eV) compared to CdS (2.4 eV), both photocurrent density and photoconversion efficiency results showed superior activity.
반도체 집적회로의 고집적화 및 고성능화를 위한 기본 소자(MOSFET)의 미세화 및 단위공정의 물리적 한계를 극복하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 그 중 다양한 나노입자를 이용한 나노소자 제작 연구가 활발하게 이루어지고 있다. 하지만 이러한 나노입자를 이용한 나노소자의 제작에 있어서 원하는 위치의 나노입자의 배열과 정렬의 어려움을 겪고 있다. 이를 위해서 본 연구에서는 자기조립특성을 가지는 DNA 분자와 CdSe/ZnS 나노입자들의 표면 기능화를 통해서 상호 결합시키는 실험을 하였다. DNA 분자를 형틀로 이용하여 CdSe/ZnS 나노입자를 선택적 배열하고 전자 소자화하기 위해서는 CdSe/ZnS 나노입자의 표면 기능화가 필수적이다. 이를 위하여 무극성인 CdSe/ZnS 나노입자들과 DNA 분자의 phosphate backbone의 음전하와의 경합 특성을 향상시키기 위하여 이들 나노입자의 표면을 양전하로 치환하는 실험을 수행하였다. Core 나노입자인 CdSe 나노입자를 제작한 다음에 CdSe 보다 높은 band gap을 가지고 lattice mismatch가 적은 ZnS 로 shell 층을 형성하는 2-step 방법을 이용하여 합성한 CdSe/ZnS 나노입자를 무극성 용매인 chloroform 용액 0.5 ml에 분산시키고 DMAET 0.3 ml 와 Methanol 0.1 mg/ml를 이용하여 리간드들을 바꿔주고 과잉된 리간드인 DMAET를 제거하기 위해 Methanol로 3차례 세척한 다음 증류수에 용해시키는 실험을 하였다. 나노입자 기능화 과정 이후 기능화 여부를 판단하기 위하여 FT-IR spectroscopy 와 zeta potential 측정을 통하여 나노입자 표면의 변화와 전위를 측정하였다.
The synthetic conditions of $ ZrSiO_4-Cd(S_xS_{1-x})$ stains from CdS, Se, $SiO_2$ , 4ZrO_2$ and Lif were investigated and the colors were examined. Colors of the stains prepared were yellow orange red pink ruby and violet in relation to both the content of CdS-Se in $ZrSiO_4$ and firing temperature. Colors of these series stains were thermally stabilized probably by the structural stability of zirconium silicate. Furthermore by the result of X-ray diffraction analysis it is assumed that color of the zircon cadmium sulphoselenide $ ZrSiO_4-Cd(S_xS_{1-x})$ stain is developed by neither the coloring ions in $ZrSiO_4$ lattice nor the solid solution of $ZrSiO_4$ and $Cd(S_xS_{1-x})$ but by the small crystals of $Cd(S_xS_{1-x})$ being occluded by the zirconium silicate during sintering process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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