Korean Journal of Crystallography (한국결정학회지)

Korean Crystallographic Association (한국결정학회)
권호 표지

Electrical and Optical Properties of Vacuum-Evaporated CdS Films for the Window Layer of $CdS/CuInSe_2$ Solar Cells.

$CdS/CuInSe_2$태양전지의 Window Layer로 쓰이는 CdS박막의 진공증착법에 따른 전기적.광학적 성질

  • Nam, Hee-Dong (Department. of Inorganic Materials Engineering, Myongji University) ;
  • Lee, Byung-Ha (Department. of Inorganic Materials Engineering, Myongji University) ;
  • Park, Sung (Department. of Inorganic Materials Engineering, Myongji University)
  • 남희동 (명지대학교 공과대학 무기재료공학과) ;
  • 이병하 (명지대학교 공과대학 무기재료공학과) ;
  • 박성 (명지대학교 공과대학 무기재료공학과)
  • Published : 1997.12.01
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Abstract

1μm-CdS films for a window layer of CdS/CuInSe2 solar cell have been prepared by vacuum of 1x10-3 mTorr. Source and substrate temperature ranges were used 800-1100'C and 50-200℃ respectively. Structural, electircal and optical properties of CdS films have been investigated by X-ray diffractometer (XRD), scanning electron microscopy (SSEM), electrical resistivity, the Hall measurement and optical transmission spectra. Electrical resistivity and optical transmission of the CdS films decreased with the increase in CdS source temperature without substrate heating. All the films had hexagonal structure and strong texture with (002) orientation of grain normal to the substrate glass. CdS films evaporated at 1000℃ were the highest electrical conductivity of 0.9(S/cm). Electrical resistivity and optical transmission at the substrate temperature of 100℃ were 40(Ω,cm) and 80% respectively.

CdS/CuInSe2 태양전지에서 창측재료로 1μm 두께의 CdS박막을 1x10-3mTorr의 진공하에서 CdS source 온도를 800-1100'C로 하고 기판의 온도를 50-200℃로하여 진공증차겁으로 제조하였다. 증착된 CdS박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성조사는 x-ray diffractometer(XRD), scanning electron microscope(SEM), 전기비저항 측정, Hall measurement 그리고 optical transmission spectra로 행하였고, 각막들의 성분분석은 energy dispersive analysis of X-ray (EDAX)를 가하나, 광투과도는 감소하였다. 이때 증착된 CdS 박막들은 모두 hexagonal 구조를 가지고 있었으며, 결정성은 기판유리를 딸 (002)면으로 형성되었다. CdS Source 온도가 1000℃에서 증착된 CdS 박막이 0.9(S/cm)의 가장 높은 전기 전도도를 나타내었다. 또한 기판온도를 100'C로 제조한 CdS 박막이 전기비저항은 40(Ω,cm)이었고 광투과도는 80% 이상의 값을 나타내어 CdS/CuInSe2 태양전지의 창측재료로 적합했다.

Keywords