Perovskite oxide materials are very important for the electronics industry, because they exhibit promising properties. With an interest in the obvious applications, significant effort has been invested in the growth of highly crystalline epitaxial perovskite oxide thin films in our laboratory. And the desired structure of films was formed to achieve excellent properties. $Y_1Ba_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO) superconducting thin films were simultaneously deposited on both sides of 3 inch wafer by inverted cylindrical sputtering. Values of microwave surface resistance R$_2$ (75 K, 145 GHz, 0 T) smaller than 100 m$\Omega$ were reached over the whole area of YBCO thin films by pre-seeded a self-template layer. For implementation of voltage tunable high-quality varactor, A tri-layer structured SrTiO$_3$ (STO) thin films with different tetragonal distortion degree was prepared in order to simultaneously achieve a large relative capacitance change and a small dielectric loss. Highly a-axis textured $Ba_{0.65}Sr_{0.35}TiO_3$ (BST65/35) thin films was grown on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate for monolithic bolometers by introducing $Ba_{0.65}Sr_{0.35}RuO_3$ (BSR65/35) thin films as buffer layer. With the buffer layer, the leakage current density of BST65/35 thin films were greatly reduced, and the pyroelectric coefficient of $7.6\times10_{-7}$ C $cm^{-2}$$K^{-1}$ was achieved at 6 V/$\mu$m bias and room temperature.
Capacitors among the embedded passive components are most widely studied because they are the major components in terms of size and number and hard to embed compared with resistors and inductors due to the more complicated structure. To fabricate a capacitor-embedded PCB for in-line process, it is essential to adopt a low temperature process (<$200^{\circ}C$). However, high dielectric materials such as ferroelectrics show a low permittivity and a high dielectric loss when they are processed at low temperatures. To solve these contradicting problems, we studied BMN materials as a candidate for dielectric capacitors. processed at PCB-compatible temperatures. The morphologies of BMN thin films were investigated by AFM and SEM equipment. The electric properties (C-F, I-V) of Pt/BMN/Cu/polymer were evaluated using an impedance analysis (HP 4194A) and semiconductor parameter analyzer (HP4156A). $Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$(BMN) thin films deposited on copper clad laminate substrates by sputtering system as a function of Ar/$O_2$ flow rate at room temperature showed smooth surface morphologies having root mean square roughness of approximately 5.0 nm. 200-nm-thick films deposited at RT exhibit a dielectric constant of 40, a capacitance density of approximately $150\;nF/cm^2$, and breakdown voltage above 6 V. The crystallinity of the BMN thin films was studied by TEM and XRD. BMN thin film capacitors are expected to be promising candidates as embedded capacitors for printed circuit board (PCB).
Low Temperature Co-fired Ceramic (LTCC) technology has been used in electronic device for various functions. LTCC technology is to fire dielectric ceramic and a conductive electrode such as Ag or Cu thick film below the temperature of $900^{\circ}C$ simultaneously. The glass-ceramic has been widely used for LTCC materials due to its low sintering temperature, high mechanical properties and low dielectric constants. To obtain the high strength, addition of filler, the microstructure should have various crystals and low pores in a composite. In this study, two glass frits were mixed with different alumina size(0.5, 2, 3.7um) and sintered at the range of $850{\sim}950^{\circ}C$. The microstructure, crystal phases, thermal and mechanical properties of the composites were investigated using FE-SEM, XRD, TG-DTA, Dilatomer. When the particle size of $Al_2O_3$ filler increased, the starting temperatures for the densification of the sintered bodies, onset point of crystallization, peak crystallization temperature in the glass-ceramic composites decreased gradually. After sintered at $900^{\circ}C$, the glass frits were crystallized as $CaAl_2Si_2O_8\;and\;CaMgSi_2O_6$. The purpose of our study is to understand the relationship between the $Al_2O_3$ particle size and thermal properties in composites.
This study examined the effect of copper and sulfuric acid concentrations on the surface morphology and physical properties of copper plated on a polyimide (PI) film. Electrochemical experiments with SEM and a four-point probe were performed to characterize the morphology and mechanical characteristics of copper electrodeposited in the composition of an electrolyte. The resistivity and peel strength were controlled using a range of electrolyte compositions. A lower resistivity and high flexibility were obtained when an electrolyte with 20 g/l of copper was used. However, a uniform surface was obtained when a high current density that exceeded $20mA/cm^2$ was applied, which was maintained at copper concentrations exceeding 40 g/l. Increasing sulfuric acid to >150 g/l decreased the peel strength and flexibility. The lowest resistivity and fine adhesion were detected at a $Cu^{2+}:H_2SO_4$ ratio of 50:100 g/l.
A piezoelectric ceramic fiber composite (PCFC) was successfully fabricated using $0.69Pb(Zr_{0.47}Ti_{0.53})O_3-0.31[Pb(Zn_{0.4}Ni_{0.6})_{1/3}Nb_{2/3}]O_3$ (PZT-PZNN) for use in small-scale wind energy harvesters. The PCFC was formed using an epoxy matrix material and an array of Ag/Pd-coated PZT-PZNN piezo-ceramic fibers sandwiched by Cu interdigitated electrode patterned polyethylene terephthalate film. The energy harvesting performance was evaluated in a custom-made wind tunnel while varying the wind speed and resistive load with two types of flutter wind energy harvesters. One had a five-PCFC array vertically clamped with a supporting acrylic rod while the other used the same structure but with a five-PCFC cantilever array. Stainless steel (thickness: $50{\mu}m$) was attached onto one side of the PCFC to form the PZT-PZNN cantilever. The output power, in general, increased with an increase in the wind speed from 2 m/s to 10 m/s for both energy harvesters. The highest output power of $15.1{\mu}W$ at $14k{\Omega}$ was obtained at a wind speed of 10 m/s for the flutter wind energy harvester with the PZT-PZNN cantilever array. The results presented here reveal the strong potential for wind energy harvester applications to supply sustainable power to various IoT micro-devices.
폐금속 광산 지역 등지에서 중금속으로 오염된 지하수의 정화 및 오염확산 방지를 위하여 투수성 반응벽체를 사용 할 수 있다. 본 연구에서는 슬래그가 투수성 반응벽체 충진물질로서 적당한지 평가하기 위하여 폐광산 지역에서 문제가 되고 있는 몇 가지 중금속(i.e., Pb, Cu, Cd)에 대한 슬래그의 반응성을 평가하였다. 폐광산 지역 지하수에는 중금속류들이 복합오염의 형태로 존재하며, 음이온 물질인 황산염, 탄산염 등도 공존한다. 중금속으로 오염된 현장의 조건을 고려하여, 1) 중금속 종류에 따른, 2) 초기 농도에 따른, 3) 음이온(황산염)의 존재에 따른 영향을 회분식 실험을 통하여 슬래그의 흡착능을 평가하였다. 슬래그의 흡착특성은 등온흡착평형(equilibrium sorption)과 동적인 흡착(kinetic sorption)인 경우 각 조건에 따른 영향을 확인하였다.
For several decades, industrial processes consume a huge amount of raw water for various objects that consequently results in the generation of large amounts of wastewater. Wastewaters are consisting of complex mixture of different inorganic and organic compounds and some of them can be toxic, hazardous and hard to degrade. These effluents are mainly treated by conventional technologies such are aerobic and anaerobic treatment and chemical coagulation. But, these processes are not suitable for eliminating all hazardous chemical compounds form wastewater and generate a large amount of toxic sludge. Therefore, other processes have been studied and applied together with these techniques to enhance purification results. These include photocatalysis, absorption, advanced oxidation processes, and ozonation, but also have their own drawbacks. In recent years, electrochemical techniques have received attention as wastewater treatment process that could be show higher purification results. Among them, boron doped diamond (BDD) attract attention as electrochemical electrode due to good chemical and electrochemical stability, long lifetime and wide potential window that necessary properties for anode electrode. So, there are many researches about high quality BDD on Nb, Ta, W and Si substrates, but, their application in effluents treatment is not suitable due to high cost of metal and low conductivity of Si. To solve these problems, Ti has been candidate as substrate in consideration of cost and property. But there are adhesion issues that must be overcome to apply Ti as BDD substrate. Al, Cu, Ti and Nb thin films were deposited on Ti substrate to improve adhesion between substrate and BDD thin film. In this paper, BDD films were deposited by hot filament chemical vapor deposition (HF-CVD) method. Prior to deposition, cleaning processes were conducted in acetone, ethanol, and isopropyl alcohol (IPA) using sonification machine for 7 min, respectively. And metal layer with the thickness of 200 nm were deposited by DC magnetron sputtering (DCMS). To analyze microstructure X-ray diffraction (XRD, Bruker gads) and field emission scanning electron microscopy (FE-SEM, Hitachi) were used. It is confirmed that metal layer was effective to adhesion property and improved electrode property. Electrochemical measurements were carried out in a three electrode electrochemical cell containing a 0.5 % H2SO4 in deionized water. As a result, it is confirmed that metal inter layer heavily effect on BDD property by improving adhesion property due to suppressing formation of titanium carbide.
유전체 공진기법을 이용하여 초전도체 박막의 표면저항을 측정할 경우, 공진기의 $Q_U$로부터 초전도체 박막의 표면저항을 구하기 위해 알아야 하는 G-factor를 시뮬레이션과 전자기장 해석을 이용해서 구한 후 두 값을 비교하였다. 시뮬레이션 과정에서 사용된 mesh 수가 증가할수록 시뮬레이션으로 구한 G-factor의 크기와 전자기장 해석을 통해 얻은 값 간의 차이가 줄어들게 됨을 확인하였다. 공진기에 따라 mesh 수 증가에 따른 G-factor의 정확도 증가가 조금씩 다르게 나타났는데, 이는 공진기와 유전체의 크기에 따라 simulation program이 계산하는 개당 mesh의 크기가 각기 다르기 때문으로 여겨진다. 19.6 GHz의 공진주파수를 지닌 사파이어 공진기의 경우 시뮬레이션과 전자기장 해석을 통해 구한 G-factor의 차이를 이용하여 표면저항의 불확도 추정치를 온도의 함수로 구했으며 $Q_U$를 2 % 이내의 상대 불확도로 측정할 경우 G-factor의 불확도 변화에 따른 표면저항의 상대 불확도 변화를 확인하였다. 본 연구 결과는 전자기장 해석이 매우 어렵거나 불가능한 구조의 유전체 공진기 (예로서 open-ended 평행판 유전체 공진기)의 G-factor를 시뮬레이션을 이용하여 구하여 초전도체 박막의 표면저항을 $Q_U$로부터 측정하고자 할 때 측정 온도 구간에서 허용되는 표면저항의 불확도를 고려하여 G-factor의 시뮬레이션 시 사용되는 mesh 수가 결정되어야 함을 보여준다.
The increasing interest in light weight materials coupled to the need for cost -effective processing have combined to create a significant opportunity for aluminum P/M. particularly in the automotive industry in order to reduce fuel emissions and improve fuel economy at affordable prices. Additional potential markets for Al PIM parts include hand tools. Where moving parts against gravity represents a challenge; and office machinery, where reciprocating forces are important. Aluminum PIM adds light weight, high compressibility. low sintering temperatures. easy machinability and good corrosion resistance to all advantages of conventional iron bm;ed P/rv1. Current commercial alloys are pre-mixed of either the AI-Si-Mg or AL-Cu-Mg-Si type and contain 1.5% ethylene bis-stearamide as an internal lubricant. The powder is compacted in closed dies at pressure of 200-500Mpa and sintered in nitrogen at temperatures between $580~630^{\circ}C$ in continuous muffle furnace. For some applications no further processing is required. although most applications require one or more secondary operations such as sizing and finishing. These sccondary operations improve the dimension. properties or appearance of the finished part. Aluminum is often considered difficult to sinter because of the presence of a stable surface oxide film. Removal of the oxide in iron and copper based is usually achieved through the use of reducing atmospheres. such as hydrogen or dissociated ammonia. In aluminum. this occurs in the solid st,lte through the partial reduction of the aluminum by magncsium to form spinel. This exposcs the underlying metal and facilitates sintering. It has recently been shown that < 0.2% Mg is all that is required. It is noteworthy that most aluminum pre-mixes contain at least 0.5% Mg. The sintering of aluminum alloys can be further enhanced by selective microalloying. Just 100ppm pf tin chnnges the liquid phase sintering kinetics of the 2xxx alloys to produce a tensile strength of 375Mpa. an increilse of nearly 20% over the unmodified alloy. The ductility is unnffected. A similar but different effect occurs by the addition of 100 ppm of Pb to 7xxx alloys. The lend changes the wetting characteristics of the sintering liquid which serves to increase the tensile strength to 440 Mpa. a 40% increase over unmodified aIloys. Current research is predominantly aimed at the development of metal matrix composites. which have a high specific modulus. good wear resistance and a tailorable coefficient of thermal expnnsion. By controlling particle clustering and by engineering the ceramic/matrix interface in order to enhance sintering. very attractive properties can be achicved in the ns-sintered state. I\t an ils-sintered density ilpproaching 99%. these new experimental alloys hnve a modulus of 130 Gpa and an ultimate tensile strength of 212 Mpa in the T4 temper. In contest. unreinforcecl aluminum has a modulus of just 70 Gpa.
YBCO coated conductor is one of the most promising materials as a new generations wire especially for practical power applications. In this work, $YBa_2$$Cu_3$$O_{7}$ -$\delta$/(YBCO) coated conductors (CC) were deposited by pulsed laser deposition (PLD) from buffer layers to superconducting layer on hi-axially textured metal tape. The oxide multilayer buffered substrate of architectures of $CeO_2$/$YSZ/Y_2$$O_3$ was fabricated by PLD at steady status. Then YBCO layer was deposited on RABiTS substrate by stationary and reel-to-reel (R2R) continuous process and we compared with deposition conditions of both processes. The degree of texture of each layer was investigated using X-ray diffraction including $\theta$-2$\theta$ scans, $\omega$-scans and $\Phi$-scans analysis. Their surface morphology was observed by scanning electron microscopy (SEM). The FWHM of the X-ray $\Phi$-scans and $\Phi$-scans indicated that YBCO and buffer layers closely replicate the in-plane and out-of-plane texture of metal tape. Critical current (Ic) at 77 K, self-field of 75.8 A/cm-width, critical temperature (Tc) of 85 K, and critical current density (Ic) of 3.7 MA/$\textrm{cm}^2$ were measured from coated conductor deposited by stationary process. And coated conductor deposited by R2R continuous process had Ic of 57.5 A/cm-width, Tc of 86.5 K and Jc of 2.0 MA/$\textrm{cm}^2$. The film also exhibits a homogeneous and dense surface morphology.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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