• 제목/요약/키워드: BICS

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$\textrm{I}_{DDQ}$ 테스팅을 위한 빠른 재장형 전류감지기 (Fast built-in current sensor for $\textrm{I}_{DDQ}$ testing)

  • 임창용;김동욱
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 1998년도 하계종합학술대회논문집
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    • pp.811-814
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    • 1998
  • REcent research about current testing($\textrm{I}_{DDQ}$ testing) has been emphasizing that $\textrm{I}_{DDQ}$ testing in addition to the logical voltage testing is necessary to increase the fault coverage. The $\textrm{I}_{DDQ}$. testing can detect physical faults other than the classical stuck-at type fault, which affect reliability. One of the most critical issues in the $\textrm{I}_{DDQ}$ testing is to insert a built-in current sensor (BICS) that can detect abnormal static currents from the power supply or to the ground. This paper presents a new BICS for internal current testing for large CMOS logic circuits. The proposed BICS uses a single phase clock to minimize the hardware overhead. It detects faulty current flowing and converts it into a corresponding logic voltage level to make converts it into a corresponding logic voltage level to make it possible to use the conventional voltage testing techniqeus. By using current mirroring technique, the proposed BICS can work at very high speed. Because the proposed BICS almost does not affects normal operation of CUT(circuit under test), it can be used to a very large circuit without circuit partitioning. By altenating the operational modes, a circuit can be $\textrm{I}_{DDQ}$-tested as a kind of self-testing fashion by using the proposed BICS.

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고집적 메모리의 고장 및 결함 위치검출 가능한 BIST/BICS 회로의 설계 (A design of BIST/BICS circuits for detection of fault and defect and their locations in VLSI memories)

  • 김대익;배성환;전병실
    • 한국통신학회논문지
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    • 제22권10호
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    • pp.2123-2135
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    • 1997
  • 고집적 SRAM을 구성하고 있는 일반적인 메모리 셀을 이용하여 저항성 단락을 MOSFET의 게이트-소오스, 게이트-드레인, 소오스-드레인에 적용시키고, 각 단자에서 발생 가능한 개방 결함을 고려하여 그 영향에 따른 메모리의 자장노드의 전압과 VDD에서의 정전류를 PSPICE 프로그램으로 분석하였다. 해석 결과를 고려하여 메모리의 기능성과 신뢰성을 향상시키기 위해 기능 테스트와 IDDQ 테스트에 동시에 적용할 수 있는 O(N)의 복잡도를 갖는 테스트 알고리즘을 제안하였다. 테스트의 질과 효율을 좀 더 향상시키기 위해 메모리에서 발생되는 고장을 검출하는 BIST 회로와 정전류의 비정상적인 전류의 흐름을 발생시키는 결함을 검출하는 BICS를 설계하였다. 또한 구현한 BIST/BICS 회로는 고장 메모리의 수리를 위해 고장 및 결함의 위치를 검출할 수 있다.

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창업보육서비스에 따른 입주기업의 창업보육센터 의존도에 관한 연구 (A Study on Startups' Dependence on Business Incubation Centers)

  • 박재성;리철;김재전
    • 중소기업연구
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    • 제31권2호
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    • pp.103-120
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    • 2009
  • 창업보육센터는 창업을 준비하는 예비창업자 및 신규 창업자에게 사업을 영위하는데 필요한 자원 및 서비스를 제공하고, 사업을 수행하는 과정에서 발생되는 다양한 문제의 해결에 도움을 주고 있다. 그러나 이러한 지원은 상황에 따라 기업의 자생력을 높이기보다는 창업보육센터에 대한 의존도를 높이는 경향이 있다. 본 연구는 창업보육서비스를 제공형태에 따라 인프라 지원, 네트워크 연계 지원, 직접 지원으로 분류한 후에 이들 서비스의 제공이 입주기업의 창업보육센터 의존도에 미치는 영향관계를 살펴보고, 아울러 입주기간에 따른 조절효과를 살펴보았다. 연구결과 세 가지 보육서비스 모두 의존도에 영향을 미치는 것으로 파악되었으며, 입주기간에 따른 조절효과는 기간이 늘어날수록 네트워크 연계 지원서비스에 정의 효과가 있는 반면 직접 지원서비스는 부의 효과가 있는 것으로 파악되었다. 이러한 결과는 입주기간이 늘어감에 따라 직접 지원서비스의 경우에는 입주기업이 센터의 자원을 흡수하여 기업의 역량으로 만들어 가지만, 네트워크 연계 지원서비스는 기업의 센터에 대한 의존도를 높이고 있다는 것을 보여준다. 따라서 신생기업이 자생력을 갖기 위해서는 보육서비스를 보육기간에 따라 차별적으로 제공해야 한다는 시사점을 제시하고 있다.

고속 전류 테스팅 구현을 위한 내장형 CMOS 전류 감지기 회로의 설계에 관한 연구 (A Study on the Design of Built-in Current Sensor for High-Speed Iddq Testing)

  • 김후성;박상원;홍승우;성만영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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    • pp.1254-1257
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    • 2004
  • This paper presents a built-in current sensor(BICS) that can detect defects in CMOS integrated circuits through current testing technique - Iddq test. Current test has recently been known to a complementary testing method because traditional voltage test cannot cover all kinds of bridging defects. So BICS is widely used for current testing. but there are some critical issues - a performance degradation, low speed test, area overhead, etc. The proposed BICS has a two operating mode- normal mode and test mode. Those methods minimize the performance degradation in normal mode. We also used a current-mode differential amplifier that has a input as a current, so we can realize higher speed current testing. Furthermore, only using 10 MOSFETS and 3 inverters, area overhead can be reduced by 6.9%. The circuit is verified by HSPICE simulation with 0.25 urn CMOS process parameter.

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Korean Red Ginseng water extract inhibits cadmium-induced lung injury via suppressing MAPK/ERK1/2/AP-1 pathway

  • Mitra, Ankita;Rahmawati, Laily;Lee, Hwa Pyoung;Kim, Seung A.;Han, Chang-Kyun;Hyun, Sun Hee;Cho, Jae Youl
    • Journal of Ginseng Research
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    • 제46권5호
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    • pp.690-699
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    • 2022
  • Background: Few studies reported the therapeutic effect of Korean Red Ginseng (KRG) in lung inflammatory diseases. However, the anti-inflammatory role and underlying molecular in cadmium-induced lung injury have been poorly understood, directly linked to chronic lung diseases (CLDs): chronic obstructive pulmonary disease (COPD), cancer etc. Therefore, in this study we aim to investigate the therapeutic activities of water extract of KRG (KRG-WE) in mouse cadmium-induced lung injury model. Method: The anti-inflammatory roles and underlying mechanisms of KRG-WE were evaluated in vitro under cadmium-stimulated lung epithelial cells (A549) and HEK293T cell line and in vivo in cadmium-induced lung injury mouse model using semi-quantitative polymerase chain reaction (RT-PCR), quantitative real-time PCR (qPCR), luciferase assay, immunoblotting, and FACS. Results: KRG-WE strongly ameliorated the symptoms of CdSO4-induced lung injury in mice according to total cell number in bronchoalveolar lavage fluid (BALF) and severity scores as well as cytokine levels. KRG-WE significantly suppressed the upregulation of inflammatory signaling comprising mitogen-activated protein kinases (MAPK) and their upstream enzymes. In in vitro study, KRG-WE suppressed expression of interleukin (IL)-6, matrix metalloproteinase (MMP)-2, and IL-8 while promoting recovery in CdSO4-treated A549 cells. Similarly, KRG-WE reduced phosphorylation of MAPK and c-Jun/c-Fos in cadmium-exposed A549 cells. Conclusion: KRG-WE was found to attenuate symptoms of cadmium-induced lung injury and reduce the expression of inflammatory genes by suppression of MAPK/AP-1-mediated pathway.

메모리의 IDDQ 테스트를 위한 내장전류감지 회로의 설계 (A Design of BICS Circuit for IDDQ Testing of Memories)

  • 문홍진;배성환
    • 한국음향학회지
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    • 제18권3호
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    • pp.43-48
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    • 1999
  • IDDQ 테스트는 CMOS 소자로 구성된 회로에서 기능 테스트로는 검출할 수 없는 결함을 찾아내어 회로의 신뢰성을 높여주는 전류테스트 방식이다. 본 논문에서는 IDDQ 테스트를 테스트 대상 칩 내에서 수행할 수 있는 내장전류감지(Built-In Current Sensor : BICS)회로를 설계하였다. 이 회로는 메모리의 IDDQ 테스트를 수행할 수 있도록 설계되었으며, 적은 트랜지스터를 사용하여 빠른 시간 내에 테스트를 수행할 수 있도록 구현하였다.

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CMOS 집적회로의 테스팅을 위한 새로운 내장형 전류감지 회로의 설계 (Design of a Built-In Current Sensor for CMOS IC Testing)

  • 홍승호;김정범
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 A
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    • pp.271-274
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    • 2003
  • This paper presents a Built-in Current Sensor that detect defects in CMOS integrated circuits using the current testing technique. This scheme employs a cross-coupled connected PMOS transistors, it is used as a current comparator. Our proposed scheme is a negligible impart on the performance of the circuit undo. test (CUT). In addition, in the normal mode of the CUT not dissipation extra power, high speed detection time and applicable deep submicron process. The validity and effectiveness are verified through the HSPICE simulation on circuits with defects. The entire area of the test chip is $116{\times}65{\mu}m^2$. The BICS occupies only $41{\times}17{\mu}m^2$ of area in the test chip. The area overhead of a BICS versus the entire chip is about 9.2%. The chip was fabricated with Hynix $0.35{\mu}m$ 2-poly 4-metal N-well CMOS technology.

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On-line 테스팅을 위한 새로운 내장형 전류 감지 회로의 설계 (Design of New Built-ln Current Sensor for On-Line Testing)

  • 곽철호;김정범
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권7호
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    • pp.493-502
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    • 2001
  • 기존의 논리 테스팅에 비하여 여러 가지 장점을 가지는 전류 테스팅을 위하여 새로운 내장형 전류 감지 회로를 설계하였다. 본 논문에서 제안된 내장형 전류 감지 회로는 시험 대상 회로에서 발생하는 전류와 인버터의 전류 발생 특성에 의해 복사되어진 전류를 비교함으로서 시험 대상 회로의 고장 존재 여부를 감지하여 Pass/Fail 신호로 발생시킨다. 설계된 회로는 차동 증폭 형태의 증폭기와 비교기로 이루어져 있으며, 시험 대상 회로의 전류를 복사해 내기 위한 인버터를 포함하고 있어서 총 10개의 트랜지스터와 3개의 인버터를 사용한다. 본 논문에서 제안된 내장형 전류 감지 회로는 고장 테스트를 위하여 별도의 클럭을 사용하지 않는다. 또한 모드 선택이 필요하지 않아 on-line 테스팅이 가능하며, Pass/Fail 신호를 칩의 외부로 전달하는 출력단자 하나를 제외하고는 별도의 제어단자가 필요하지 않은 장점을 가진다. HSPICE를 사용한 컴퓨터 모의 실험을 통하여 시험 대상 회로에 삽입된 고장을 정확하게 검출해 낼 수 있음을 확인하였다. 제안된 내장형 전류 감지 회로가 칩의 전체 면적에서 차지하는 면적소모는 8×8 병렬 승산기를 시험 대상 회로로 사용한 경우에 약 4.34 %로 매우 작아서 내장형 전류 감지회로에 의한 면적 소모에 대한 부담은 거의 없는 것으로 측정되었다.

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p38-dependent c-Jun degradation contributes to reduced PGE2 production in sodium orthovanadate-treated macrophages

  • Aziz, Nur;Kim, Eunji;Yang, Yanyan;Kim, Han Gyung;Yu, Tao;Cho, Jae Youl
    • BMB Reports
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    • 제55권8호
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    • pp.389-394
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    • 2022
  • In particular, the phenomenon of c-Jun degradation within the inflammatory response has not yet been fully analyzed. In order to verify this, we investigated LPS-stimulated murine macrophages pre-treated with sodium orthovanadate (SO) in order to uncover the regulatory mechanisms of the MAPKs which regulate c-Jun degradation within the inflammatory response. Through our study, we found that SO suppressed the production of prostaglandin E2 (PGE2) and the expression of COX-2 in LPS-stimulated RAW264.7 cells. Additionally, SO decreased total c-Jun levels, without altering the amount of mRNA, although the phospho-levels of p38, ERK, and JNK were strongly enhanced. Through the usage of selective MAPK inhibitors, and knockdown and overexpression strategies, p38 was revealed to be a major MAPK which regulates c-Jun degradation. Further analysis indicates that the phosphorylation of p38 is a determinant for c-Jun degradation, and is sufficient to induce ubiquitination-dependent c-Jun degradation, recovered through MG132 treatment. Therefore, our results suggest that the hyperphosphorylation of p38 by SO contributes to c-Jun degradation, which is linked to the suppression of PGE2 secretion in inflammatory responses; and thus, finding drugs to increase p38 activity could be a novel strategy for the development of anti-inflammatory drugs.

Combination stem cell therapy using dental pulp stem cells and human umbilical vein endothelial cells for critical hindlimb ischemia

  • Kim, Chung Kwon;Hwang, Ji-Yoon;Hong, Tae Hee;Lee, Du Man;Lee, Kyunghoon;Nam, Hyun;Joo, Kyeung Min
    • BMB Reports
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    • 제55권7호
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    • pp.336-341
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    • 2022
  • Narrowing of arteries supplying blood to the limbs provokes critical hindlimb ischemia (CLI). Although CLI results in irreversible sequelae, such as amputation, few therapeutic options induce the formation of new functional blood vessels. Based on the proangiogenic potentials of stem cells, in this study, it was examined whether a combination of dental pulp stem cells (DPSCs) and human umbilical vein endothelial cells (HUVECs) could result in enhanced therapeutic effects of stem cells for CLI compared with those of DPSCs or HUVECs alone. The DPSCs+ HUVECs combination therapy resulted in significantly higher blood flow and lower ischemia damage than DPSCs or HUVECs alone. The improved therapeutic effects in the DPSCs+ HUVECs group were accompanied by a significantly higher number of microvessels in the ischemic tissue than in the other groups. In vitro proliferation and tube formation assay showed that VEGF in the conditioned media of DPSCs induced proliferation and vessel-like tube formation of HUVECs. Altogether, our results demonstrated that the combination of DPSCs and HUVECs had significantly better therapeutic effects on CLI via VEGF-mediated crosstalk. This combinational strategy could be used to develop novel clinical protocols for CLI proangiogenic regenerative treatments.