• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회
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• pp.57-57
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• 2002

100 nm 이하의 입자의 크기와 모양을 정확하게 측정할 수 있는 기술개발을 위하여 투과형 전자현미경(TEM)으로 100 nm 지름의 폴리스티렌구의 평균지름을 측정하였다. 기기 표시 배율과 엣지결정불확도에 의한 크기측정오차를 최소화하기 위하여, 지름이 정확히 알려진 300 nm 입자를 내부 기준자로 쓰기 위하여 100 nm 입자와 섞었다. 100 nm 입자들의 지름은 동일한 TEM 필름상의 300 nm 입자와의 비교를 통하여 얻어졌다. 전자빔에 의한 입자축소효과의 보정을 위하여, 가속전압, 빔세기, 그리고 노출시간이 축소량에 미치는 정량적 관계를 조사하고 분석하였다. 그러한 분석과 몇가지 데이터 처리과정에 기초하여, 100 nm 폴리스티렌구의 평균지름을 95 ％ 신뢰수준에서 확장불확도 2 ％로 결정하였다. 측정값은 동일한 쌤플에 대하여, 다른 방법을 사용하는 다른 실험실들과의 결과와도 일치하고 있다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제27권12호
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• pp.1766-1771
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• 2003

House made differential mobility analyzer(DMA) is calibrated with NIST SRM 1691(300 nm PSL). Then the particle size and uncertainty for differential mobility analyzer(DMA) using the NIST SRM 1963(100 nm PSL). In result, calibration of prototype DMA is measured using 300 nm NIST SRM 1691, then sheath air flow was corrected 126.67 ㎤/s. Corrected sheath air flow is used in uncertainty measurement of prototype DMA. Uncertainty analysis is performed using NIST SRM 1963(100 nm PSL). The experimental result shows that NIST SRM 1963 is measured as 102.17 nm with a type A uncertainty of 0.33 nm.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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• pp.707-710
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• 2003

10nm 이하의 두께를 갖는 얇은 SOI 층 위에서 우수한 동작 특성을 보이는 Fully-Depleted SOI nMOSFET 을 제작하였다. 게이트의 길이가 큰 경우에는 SOI 층이 얇지 않아도 좋은 특성을 보이지만, 게이트 길이가 100nm 이하에서는 Short Channel Effect 에 의한 특성 열화 때문에 SOI thin body 의 두께가 게이트 길이에 따라 같이 얇아져야 한다. [1] 100nm 게이트 길이 SOI-NMOSFET에서 10nm 이하 body 두께에 따라 Vth는 조금 상승했고, Subthreshold slope은 조금 개선되는 특성을 보였다. 또한, 45nm 게이트 길이와 3nm 로 추정되는 body 두께를 갖는 nMOSFET 에서 우수한 I-V 동작 특성을 얻었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.332-337
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• 2006

기판전면에 패턴 없이 15 nm Co/15 nm Ni/70 nm polysilicon/200 nm $SiO_2$/Si(100) 구조로 적층된 구조로부터 급속열처리기 (rapid thermal annealer : RTA)를 이용하여 40초간 700, 900, $1000^{\circ}C$의 실리사이드화 온도를 변화시키면서 CoNi 복합실리사이드를 형성하였다. 완성된 두께 100 nm 정도의 CoNi 복합실리사이드층으로 배선층을 만든다고 상정하여, 이중 집속이온빔(dual beam focused ion beam : FIB)을 써서 30 kV에서 표면전류를 $1{\sim}100$ pA 범위에서 조절하면서 나노급 선폭제작의 가능성을 확인하였다. 각 온도별 복합실리사이드에 동일한 이온빔 조건으로 $100{\mu}m$ 길이의 패턴을 만들고, 이온빔으로 양 끝단에 트렌치를 만들어 FE-SEM으로 각 조건에서의 선폭, 두께, 최종 에칭형상을 확인하였다. 기존 형상변형이 많아서 나노급 선폭 구현이 불리한 폴리사이드 공정에 비해서, 최초로 새로운 저저항 복합실리사이드에 대해서 100 nm 이하의 나노급 피치를 가진 선폭 제작이 $30kV{\sim}30pA$ 범위에서 가능하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.180-183
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• 2000

Beginning with a brief introduction on near 100 nm or below CMOS devices, this paper addresses novel devices for future sub-100 nm CMOS. First, key issues such as gate materials, gate dielectric, source/drain, and channel in Si bulk CMOS devices are considered. CMOS devices with different channel doping and structure are introduced by explaining a figure of merit. Finally, novel device structures such as SOI, SiGe, and double-gate devices will be discussed for possible candidates for sub-100 nm CMOS.

• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회
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• pp.56-56
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• 2002

100 nm 이하의 구형입자를 짧은 시간에 정확히 측정할 수 있는 기술을 개발하기 위하여 하전된 입자를 전기장내에 투입한 후 이의 이동도를 측정하였다. 100 nm의 표준 입자를 초순수에 분산시킨 후 Collison atomizer를 이용하여 입자를 공기중에 분산시켰다. 이후 입자를 건조시킨 후 입자의 분산과정에서 하전된 입자를 방사능 전기 중화장치를 통과시켜 입자의 하전을 기저상태로 만들었다. 이 후 입자를 전기 이동도 측정장치에 투입한 후 전기 이동도 측정장치의 유량과 전압을 조절하면서 입자의 크기를 측정하였다.

• 한국대기환경학회지
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• 제9권2호
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• pp.140-146
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• 1993

CoMo, NiMo/ZSM-5 catalysts were prepared at Si/Al ratios of 100, 200 and characterized by TGA, XRD and SEM. Simultaneous hydrocracking of n-heptane and hydrodesulfurization of DBT were studied over these catalysts at the ranges of temparatures between 400$^\circ$C and 500$^\circ$C, pressure of 30 $\times 10^5$ Pa and contact time of 0.02g cat. hr/ml feed in a fixed bed flow reactor. It was shown that the hydrocracking activity of n-heptane increased in the order of NM 100, CM 100, NM 200 and CM 200 catalysts. It was also shown that the Hydrodesulfurization activity of DBT increased in the order of CM 200, NM 200, CM 100 and NM 100 catalysts and these results were thought to be that the increase of acidity of catalysts might increase hydrocracking activity of these catalysts but deactive those simultaneously. In this study it was shown that CM 100 and NM 200 were active catalysts in simultaneous hydrodesulfurization of DBT and hydrocracking of n-heptane reactions.

• 한국진공학회지
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• 제15권6호
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• pp.637-641
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• 2006

본 논문에서는 100 nm 게이트 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT(metamorphic high electron mobility transistors)m의 DC와 RF 특성을 분석 하였다. 이중 노광 방법으로 ZEP520/P(MMA-MAA)/PMMA 3층 구조의 레지스터와 게이트 길이 100 nm인 게이트를 제작하였다. 게이트의 단위 폭이 $70\;{\mu}m$인 2개의 게이트와 길이가 100 nm로 제작된 MHEMT를 DC 및 RF특성을 조사하였다. 최대 드레인 전류 밀도는 465 mA/mm, 상호전달 컨덕턴스는 844 mS/mm이, RF 측정으로부터 전류 이득 차단 주파수는 192 GHz와 최대 진동주파수 310 GHz인 특성을 보였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2007년도 춘계학술대회A
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• pp.1532-1536
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• 2007

A plastic substrate with tiny rectangular pillars less than 100nm is injection molded to study pattern replication in injection molding. The size of the substrate is 50mm ${\times}$ 50mm and 1mm thick. The substrate has 9 patterned areas of which size is 2mm ${\times}$ 2mm respectively. The lengths of the pillars are 50nm, 100nm, 150nm and 200nm and the width and height are 50nm and about 100nm respectively. A pattern master is fabricated by e-beam writing using positive PR(photo resist) and then a nickel stamper replicated from the PR master by nickel electro-plating. Cr is deposited on the PR pattern master before nickel electro-plating as a conducting layer. Using this nickel stamper, several injection molding experiments are done to investigate effects of the injection molding parameters such as mold temperature, injection rate, packing pressure or pattern location on the replication of the patterns under 100nm.

• 한국광학회지
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• 제21권4호
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• pp.175-178
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• 2010

본 논문에서는 은-산화막-은 구조의 박막형 에탈론 기반의 투과형 컬러필터를 제안하고 구현하였다. 제안된 박막형 소자는 전자빔 리소그래피 방식에 비해 넓은 유효면적을 갖고 적외선 대역에서의 차단 특성이 우수하다. 또한 금속의 분산특성 및 두께 그리고 기판의 영향 등을 고려하기 위하여 FDTD 방법을 도입함으로써 제안된 소자를 설계 및 분석하였다. 설계된 청색, 녹색, 적색 필터 소자의 산화막 캐비티 두께는 각각 100, 130, 160 nm였으며, 은 박막의 두께는 25 nm였다. 얻어진 측정결과를 살펴보면, 중심파장은 각각 480, 555, 650 nm, 대역폭은 각각 약 120, 100, 120 nm였으며 투과율은 약 60%였다. 그리고 빔의 입사각에 대한 상대적인 투과율 변화율은 ~1%/degree 였다.