• 한국전자파학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.358-365
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• 2008

본 논문에서는 CMOS 0.18 um 공정을 이용하여 UWB(Ultra Wide Band) 시스템의 낮은 대역 $3.1{\sim}4.8GHz$에서 사용할 수 있는 단일 입력-차동 출력 이득 제어 저잡음 증폭기를 설계하였다. 측정 결과는 높은 이득 모드에서 차동 출력 전력 이득은 각각 $14.1{\sim}15.8dB,\;13.3{\sim}15dB$로, 입력 반사 계수는 -10dB 이하로, lIIP3는 -19.3dBm, 잡음 지수는 $4.85{\sim}5.09dB$로 측정되었으며, 이때 전원 전압 1.8V에서 사용 전력은 19.8 mW를 사용하였다. 낮은 이득 모드에서 차동 출력 전력 이득은 각각 $-6.1{\sim}-4.2dB,\;-7.6{\sim}-5.6dB$로, 입력 반사 계수는 -10dB 이하로, IIP3는 -1.45 dBm, 잡음 지수는 $8.8{\sim}10.3dB$로 측정되었으며, 이때 전원 전압 1.8V에서 사용 전력은 5.4mW를 사용하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.305-308
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• 2002

An 1.8V 6bit IGSPS ADC for high speed data acquisition is discussed in this paper. This ADC is based on a flash ADC architecture because the flash ADC is the only practical architecture at conversion rates of IGSPS and beyond. A straightforward 6bit full flash A/D converter consists of two resistive ladders with 63 laps, 63 comparators and digital blocks. One important source of errors in flash A/D converter is caused by the capacitive feedthrough of the high frequency input signal to the resistive reference-lauder. Consequently. the voltage at each tap of the ladder network can change its nominal DC value. This means large transistors have a large parasitic capacitance. Therefore, a dual resistive ladder with capacitor is employed to fix the DC value. Each resistive ladder generates 32 clean reference voltages which alternates with each other. And a two-stage amplifier is also used to reduce the effect of the capacitive feedthrough by minimizing the size of MOS connected to reference voltage. The proposed ADC is based on 0.18${\mu}{\textrm}{m}$ 1-poly 6-metal n-well CMOS technology, and it consumes 307㎽ at 1.8V power supply.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제7권4호
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• pp.281-286
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• 2007

In this paper, sub-circuits for 24 GHz phase locked 100ps(PLLs) using $0.5{\mu}m$ SiGe HBT are presented. They are 24 Ghz voltage controlled oscillator(VCO), 24 GHz to 12 GHz regenerative frequency divider(RFD) and 12 GHz to 1.5 GHz static frequency divider. $0.5{\mu}m$ SiGe HBT technology, which offers transistors with 90 GHz fMAX and 3 aluminum metal layers, is employed. The 24 GHz VCO employed series feedback topology for high frequency operation and showed -1.8 to -3.8 dBm output power within tuning range from 23.2 GHz to 26 GHz. The 24 GHz to 12 GHz RFD, based on Gilbert cell mixer, showed 1.2 GHz bandwidth around 24 GHz under 2 dBm input and consumes 44 mA from 3 V power supply including I/O buffers for measurement. ECL based static divider operated up to 12.5 GHz while generating divide by 8 output frequency. The static divider drains 22 mA from 3 V power supply.

• 대한전기학회논문지:전기기기및에너지변환시스템부문B
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• 제49권8호
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• pp.551-556
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• 2000

A zero-voltage-switching(ZVS) programmable power supply employing the ZVS active clamp forward converter is suggested. Through the analysis on operation region of the supply, the constant power region and the maximum current limit region are clearly identified. Furthermore, the duty ratio range corresponding to the variation range of the output voltages and the control scheme at the minimum duty ration region are presented. Finally, in order to vefity the validity of the operation for the proposed power supply, experimental evaluation results obtained on an 1kW prototype power supply for the 198~242VAC input voltage range(220VAC$\pm$10%), the 0~25V output voltage range, and the 100kHz switching frequency are presented.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제3권1호
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• pp.29-34
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• 2003

In this paper, we fabricated an 1.8 ㎓ differential VCO using a commercial 0.5 ${\mu}{\textrm}{m}$ SiGe BiCMOS process technology, The fabricated VCO consumes 16 ㎃ at 3 V supply voltage and has a 1.2 $\times$ 1.6 $mm^2$TEX>chip area. A phase noise measured at 100 KHz offset carrier is -110 ㏈c/Hz and a tuning range is 1795 MHz~1910 MHz when two varactor diodes are biased from 0 V to 3 V.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권7호
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• pp.13-19
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• 2006

5Gb/s대역 크로스커플 구조의 트랜스임피던스 증폭기 및 제한증폭기가 연결된 광 수신기를 광 PCB에 응용하기 위해 설계 하였다. 회로는 0.18um CMOS 공정으로 구현되었다. 광 수신기는 0.5pF 광 다이오드 기생 캐퍼시턴스에서 $92.8db{\Omega}$ 임피던스 이득과 5Gbps의 주파수 대역을 갖는다. 그리고 1.8V, 2.4V 공급전압에서 9.74mV의 전력소모를 보인다. 입력단의 임피던스는 $50{\Omega}$ 이다. 회로를 광 PCB기판에 올려 광신호 송신 실험하여 5Gb/s 데이터의 수신을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.522-527
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• 2011

본 논문에서는 54 GHz 대역의 위상 고정 루프에서 사용되기 위한 Ring 발진기를 이용한 3 분주 주입 동기 주파수 분주기(Injection-Locked Frequency Divider: ILFD)를 0.13-${\mu}M$ Si RFCMOS 공정을 이용하여 설계, 제작한 결과를 보인다. 1.8 V의 공급 전압에 대해서 buffer단을 포함하여 70 mW의 전력을 소비하며, 입력 신호가 없을 때 0~1.8 V의 varactor 조정 전압 범위에 대하여 18.92~19.31 GHz에서 자유 발진(free-running oscillation)을 하였다. 0 dBm의 입력 전력에 대해서 1.02 GHz(54.82~55.84 GHz)의 동기 범위(locking range)를 가지며 varactor 조정(0~1.8 V)을 포함한 동작 범위(operating range)는 약 2.4 GHz(54.82~57.17 GHz)를 보였다. 제작된 회로의 크기는 측정 pad를 포함하여 0.42 mm${\times}$0.6 mm이며, pad를 제외한 실제 동작 영역의 크기는 0.099 mm${\times}$0.056 mm이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권2호
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• pp.73-78
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• 2011

본 논문은 DAB 응용을 위한 주파수 합성기를 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계하였다. VCO는 NP-core를 사용하여 저전력 특성, 출력 파형의 대칭적 특성을 향상시켰다. 커패시터 뱅크와 버랙터(varactor) 뱅크를 선택적으로 스위칭 하는 기법을 적용하여 1302.34MHz - 1949.51MHz 에서 동작이 가능한 것을 확인하였다. 버랙터 커패시턴스의 선형 특성을 개선하는 버랙터 바이어스 개수를 2개로 최소화 하였고, 버랙터 스위칭 기법으로 $K_{vco}$(VCO 이득)를 일정하게 유지할 수 있었다. 또한, VCO 주파수 보정 회로를 추가하여 VCO 이득의 간격을 일정하게 유지하도록 설계하였다. VCO와 주파수 합성기의 각 블록은 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계하여 Cadence Spectre를 이용하여 검증하였고, 측정된 VCO 소모 전류는 9mA, 39.8%의 tuning range, 주파수 합성기 전체의 소모 전력은 18 mW 이다.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.1058-1063
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• 2020

본 논문은 생체 신호 및 센서 신호 처리를 위하여 저전력으로 동작하는 12비트 SAR A/D 변환기를 제안한다. 기존의 SAR A/D 변환기의 전력소모를 줄이고자, 동적 전류를 감소시켜 전체 전력 소모를 감소시켰다. 동적 전류를 감소시키기 위해서 C-DAC 비트 스위치를 동작시키는 샘플링 시간을 클럭 생성기의 샘플링 시간과 다르게 인가하였다. 추가적으로 SAR A/D 변환기의 전체 전력소모 중 70%를 차지하는 디지털 블록의 공급전압을 0.6V로 낮춰 설계하였다. 제안하는 SAR A/D 변환기는 CMOS 65nm 공정 1-poly 6-metal을 사용하여 설계하였으며, 1.2V의 공급전압으로 동작하며, ENOB는 10.1 비트, INL/DNL은 ±0.5LSB/±1.2LSB이며, 전체 전력소모는 31.2uW이고 FoM은 2.8fJ/step 이다.

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권2호
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• pp.36-47
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• 1998

Low power circuit techniques have been developed to realize the highest possible performance of embedded SRAM at 1V power supply with$0.5\mu\textrm{m}$ single threshold CMOS technology in which the unbalance between NMOS and PMOS threshold voltages is utilized to optimize the low power CMOS IC design. To achieve the best trade-off between the transistor drivability and the subthreshold current increase, the ground potential of memory array is raised to suppressthe subthreshold current. The problems of lower cellstability and bit-line dealy increase due to the enhanced array ground potential are evaluated to be controlled within the allowable range by careful circuit design. 160MHz, 128kb embedded SRAM with 3.4ns access time is demonstrated with the power consumption of 14.8mW in active $21.4{mu}W$ in standby mode at 1V power supply.