• Title/Summary/Keyword: 캐소드

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Experimental for Performance of electron 9un cathode electrode (Y-824) characteristics (전자총 캐소드전극(Y-824)의 특성실험)

  • Son, Y.G.;Kwon, S.J.
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07c
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    • pp.1552-1553
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    • 2006
  • A thermionic gun of injector linac for pohang accelerator laboratory is required to generate beam pulse width less than 1 nsec. The gun uses cathode-grid assembly(EIMAC Y824) and operates up to 80 kV anode voltage. In order research characteristics of the electron gun, emission current from gun wear measured by the wall current monitor. In this paper the pulser system and characteristics of the emission current in region from 30 mA to 15 A are described.

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MnO2 deposition on surface of Nickel mesh as cathode of Al-air battery (알루미늄 공기전지용 캐소드로서 니켈메쉬 표면에 이산화망간 도금)

  • O, Gi-Seok;Choe, Jin-Seop
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.152-153
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    • 2015
  • 알루미늄 공기전지의 환원전극으로 많은 재료들이 쓰이고 있지만 그중에서도 니켈은 값이 싸며 전기 전도도가 높아 많이 쓰이고 있다. 니켈 메쉬표면에 이산화망간을 촉매로써 처리하지만 이산화망간 용액을 적시고 말리는 기존방법에서는 균일하게 처리가 되지 않고 공기가 통하지 않는 경우도 있기 때문에 보다 균일한 처리를 위해 전해도금을 연구하였다.

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Characterization of OLED devices using IZO and IZTO films deposited by DC magnetron sputtering (DC 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 IZO 및 IZTO 박막을 사용한 OLED 소자의 특성)

  • Kim, Se-Il;Jeong, Tae-Dong;Song, Pung-Geun
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.197-197
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    • 2009
  • Indium tin oxide (ITO), Indium zinc oxide (IZO) 박막은 DC 마그네트론 스퍼터링 시스템을 이용하여 유리기판 위에 증착되었으며, Indium-zinc-tin oxide (IZTO) 박막은 두 개의 캐소드(DC, RF)를 사용한 마그네트론 이원동시방전 시스템에 의해 증착되었다. 모든 박막은 상온 증착 후 $200^{\circ}C$에서 후열처리 되었으며, IZO에 Sn이 소량 첨가됨에 따라 IZO보다 더 낮은 비저항을 갖는 것을 확인할 수 있었다.

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High-Voltage GaN Schottky Barrier Diode on Si Substrate Using Thermal Oxidation (열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드)

  • Ha, Min-Woo;Roh, Cheong-Hyun;Choi, Hong-Goo;Song, Hong-Joo;Lee, Jun-Ho;Kim, Young-Shil;Han, Min-Koo;Hahn, Cheol-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.1418-1419
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    • 2011
  • 차세대 전력 반도체인 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드의 역방향 특성을 개선하기 위해서 열 산화공정이 제안되었다. AlGaN/GaN 에피탁시 위에 쇼트키 장벽 다이오드 구조가 제작되었으며, 쇼트키 컨택은 증착 후 $450^{\circ}C$에서 산화되었다. 열 산화공정이 메사 측벽의 AlGaN 및 GaN 표면에 $AlO_x$$GaO_x$를 형성하여 표면으로 흐르는 누설전류를 억제한다. 표면 및 GaN 버퍼를 통한 누설전류는 열 산화 공정 이후 100 ${\mu}m$-너비당 51.3 nA에서 24.9 pA로 1/2000 배 수준으로 감소하였다. 표면 산화물 형성으로 인하여 생성된 Ga-vacancy와 Al-vacancy는 acceptor로 동작하여 surface band bending을 증가시켜 쇼트키 장벽 높이를 증가시킨다. 애노드-캐소드 간격이 5 ${\mu}m$인 제작된 소자는 0.99 eV의 높은 쇼트키 장벽 높이를 획득하여, -100 V에서 0.002 A/$cm^2$의 낮은 누설전류를 확보하였다. 애노드-캐소드 간격이 5에서 10, 20, 50 ${\mu}m$로 증가되면 소자의 항복전압은 348 V에서 396, 606, 941 V로 증가되었다. 열 산화공정은 전력용 GaN 전자소자의 누설전류감소와 항복전압 증가를 위한 후처리 공정으로 적합하다.

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A study on temperature characteristic of the gases supplied to SOFC system by utilizing the ship exhaust gas (선박 배기가스 활용에 따른 SOFC 시스템 공급가스의 온도특성에 관한 연구)

  • Park, Sang-Kyun
    • Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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    • v.37 no.8
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    • pp.822-828
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    • 2013
  • Since the operating temperature of Solid Oxide Fuel Cell (SOFC) is high, the heat management of the gases supplied to fuel cell system is important. In this paper, the temperature characteristic of the gases supplied to the anode and the cathode of the fuel cell is studied in case of utilizing the waste heat contained in the ship exhaust gas as a heat source to heat up the fuel, gas and water supplied to a 500kW SOFC system for a ship power. For the fuel cell system proposed in this paper, the temperature of gases supplied to the anode and the cathode was the highest temperature at 963K when the exhaust gas of the fuel cell was utilized as the heat source for gases supplied to fuel cell system instead of utilizing the ship exhaust gas. In addition, the engine power did not effect on the temperature of gases supplied to the fuel cell stack.

Patent Trend Report for Field Emission Display (FED) (전계 방출 디스플레이의 특허 동향 분석)

  • Jeong, In-Seong
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.467-467
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    • 2008
  • 전계 방출 디스플레이는 CRT와 FPD(평판디스플레이)의 장점을 모두 갖춘 디스플레이로서 주목을 받고 있으며, 여러 국가와 많은 연구자들이 연구개발을 활발히 진행하고 있는 차세대 디스플레이 중 하나이다. 본 연구에서는 최근 차세대 디스플레이로서 연구가 활발히 진행되고 관심이 높아지고 있는 전계 방출 디스플레이의 특허 동항에 대하여 살펴보았다. 전계 방출 디스플레이 분야의 특허는 1994년과 1995년을 전후하여 출원이 급격하게 증가하고 있고, 최근에도 출원량이 증가하는 것으로 나타났다. 국가별 분포에서는 한국이 37%로 가장 높게 나타났고, 미국이 32%, 일본이 27%, 유럽이 4%의 순으로 나타났다. 특히 한국은 최근에도 다른 나라에 비해 특허 출원량이 가장 많은 것으로 분석되었다. 이는 최근 한국이 디스플레이 전체에 대해 세계적으로 주도하고 있는 경향을 반영하고 있다. 각 기술별 출원 동향을 보면, 캐소드가 주요 출원국가 전체에서 가장 높은 비율을 차지하고 있고, 진공실장, 구동회로, 애노드의 순서로 분석되었다. 전계 방출 디스플레이 분야의 주요 출원인을 살펴보면 삼성SDI가 압도적으로 많은 비율을 차지하였고, 그 뒤를 LG전자 및 Canon, 오리온전자, 마이크론 등이 주요 출원인으로 분석되었다. 국가별 분석 결과에서와 같이, 주요 출원인에서도 디스플레이 시장을 선도하는 삼성SDI, LG전자, Canon 등이 가장 많은 출원 비율을 차지하는 것을 알 수 있었다. 국가별 주요 출원인으로, 한국에서는 삼성SDI, LG전자, 오리온전자, 일본에서는 Canon, Sony, Toshiba였고, 미국에서는 마이크론과 ITRI, 유럽에서는 삼성SDI와 Sony로 분석되었다. 따라서, 전계 방출 디스플레이를 연구 하고자 하는 연구소나 기업에는 삼성SDI, LG전자, Canon, Sony 등의 연구 개발 상황 또는 특허 출원 상태를 면밀하게 분석할 필요가 있다. 캐소드의 전자방출원의 형성 형태로는 팁형이 가장 많고, CNT형, 평면형의 순서로 나타났다. 그러나, 한국에서는 전자방출원으로 CNT헝이 가장 많게 나타나므로서 다른 나라들과는 연구 개발 형태가 조금 다른 것으로 분석되었다. 전계 방출 디스플레이의 특허 동향을 분석한 결과, 한국이 일본, 미국, 유럽보다 더 활발하게 특허 출원하고 있는 것으로 분석되었고, 최근에도 다른 나라에 비해 활발하게 특허를 출원하고 있어 향후에도 디스플레이 시장은 한국에서 주도해 나갈 것으로 판단되었다. 주요 출원인으로는 삼성SDI, LG전자, Canon, Sony로 분석되었으며, 위와 같은 선진 기업 및 주요 출원인은 연구개발 및 특허 출원 상황을 면밀하게 검토할 필요가 있다.

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Performance Degradation of Dead-end Type PEMFC by Startup and Shutdown Cycles (시동/정지 반복에 의한 데드엔드형 고분자전해질 연료전지의 성능 감소)

  • Jeong, Jaehyeun;Jeong, Jaejin;Song, Myunghyun;Chung, Hoibum;Na, Ilchai;Lee, Ho;Park, Kwonpil
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.51 no.5
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    • pp.540-544
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    • 2013
  • During start up and shut down of a proton exchange membrane fuel cells (PEMFC), the performance and lifetime of PEMFC were reduced. In this study, effect of startup and shutdown were investigated in dead-end type PEMFC using oxygen as a cathode gas with polarization curve, impedance spectroscopy (EIS), scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). Dummy load which eliminates residual hydrogen and oxygen during startup and shutdown operation should be applied to mitigated the degradation of PEMFC performance. At 50% relative humidity (RH) under the repetitive on/off cycling, the cell performance decayed faster than at 100% RH because of corrosion of the cathode carbon support. Water suppling into cell reduced the degradation rate of dead-end type PEMFC during start up and shut down cycling at 50% RH.

The Ballast for Field Emission Lamp with CNT Emitter (CNT를 이용한 무수은 면광원 안정기 개발)

  • Park, Dong-Hyuck;Ha, Seok-Jin;Jung, Hye-Man;Kim, Jong-Hyun;Baek, Ju-Won;Yoo, Dong-Wook;Song, Eui-Ho
    • The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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    • v.14 no.1
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    • pp.31-37
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    • 2009
  • Hybrid ballast for field emission lamp with CNT (carbon nano tube) emitter is proposed. Hybrid ballast consists of a high voltage dc part and hi-polar pulse generation part. Field emission lamp with CNT lamp is composed of three electrodes (anode, gate, and cathode). High voltage dc part is for anode and gate and hi-polar pulse generation part is for gate and cathode in CNT triode respectively. The experimental results demonstrate that the proposed topology is good for driving CNT lamp. To protect the lamp and ballast, OCP (Over Current Protection), OVP (Over Voltage Protection), and OTP (Over Temperature Protection) are added and the experimental results demonstrate that the proposed method is good for driving field emission lamp with CNT emitter.

성막직전 기판 열처리가 롤투롤 스퍼터를 이용하여 성장시킨 터치 패널용 ITO 투명 전극의 특성 미치는 효과 연구

  • Kim, Dong-Ju;Kim, Bong-Seok;Kim, Han-Gi
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.416-416
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    • 2010
  • 본 연구에서는 저가격, 대면적화를 위한 롤투롤 스퍼터를 설계&개발하고, 성막직전 PET 기판의 열처리 유무를 통한 ITO 박막을 성막 시킨 저항막 방식의 터치 패널용 투명 전극에 대하여 전기적, 광학적, 구조적, 표면적 특성을 분석하였다. 롤투롤 스퍼터는 degassing챔버와 스퍼터 챔버가 한 시스템에 구성되었고, Degassing 챔버는 좌우측의 Rewinder/Unwinder 롤러에 의해 감고 풀어지는 PET기판의 수분 및 가스를 중앙부에 위치한 히터를 통해 제거하며, 수분 제거 후 스퍼터 챔버로 옮겨진 1250 mm폭의 PET기판을 Unwinder/Rewinder 롤러에 장착하며, Unwinder 롤러로부터 풀려진 PET 기판은 guide 롤러를 거쳐 cooling drum과의 물리적 접촉에 의해 PET 기판의 냉각이 일어나게 된다. ITO 캐소드 전에 장착된 할로겐 히터 상부로 기판이 지나가면서 열처리가 진행되고 열처리 후 두 개의 ITO 캐소드 상부를 지나면서 연속적으로 ITO 박막이 PET 기판에 성막 되게 된다. ITO 박막의 주요 성막 변수인 DC Power, Ar/$O_2$ 가스 유량비, 기판의 속도는 최적으로 고정하고, 성막 직전 기판의 열처리에 유무에 따른 ITO박막의 필름을 각각 고온 챔버에서 $140^{\circ}C{\times}90min$ 동안 열처리를 통한 내열성 테스트를 진행하여 ITO 필름의 특성 향상을 비교 분석하였다. 분석을 위해 전기적 특성은 four-point probe로 측정했고, 투과도는 Nippon Denshoku사(社)의 COH-300A를 이용해 가시광(550nm)에서 분석했고, FE-SEM으로 ITO박막 의 표면 상태를 분석하였다. 또한 Bending Tester(Z-100)를 이용하여 기계적 안정성을 분석하였다. 성막직전 PET 기판의 열처리를 하지 않은 ITO박막은 고온의 챔버 에서 $140^{\circ}C{\times}90min$ 동안 내열성 테스트 후 면저항이 511($\omega/\Box$)에서 630($\omega/\Box$)으로 높아졌으나, 성막직전 열처리를 통한 ITO 박막인 경우에는 465($\omega/\Box$)에서 448($\omega/\Box$)로 안정화 되었고, 투과율은 성막직전 열처리를 통해 1%향상되어 89%를 보였고, 유연성 또한 보다 우수한 특성을 보였다. 표면 조도는 평균 0.416 nm의 낮은 값을 보였다. 이는 PET 기판의 degassing 공정 중 충분히 제거되지 않은 가스나 불순물을 성막직전 열처리 공정으로 충분히 제거하여 깨끗한 PET 기판 상에 ITO 박막을 성막시키고, 열처리시 기판에 주어진 열에너지에 의해 보다 밀도가 높은 ITO 박막이 성장했기 때문으로 사료 된다.

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Cascading Structure of LDMOS and LIGBT for Increasing the Forward Biased Safe Operating Area(FBSOA) (순방향 안전 동작 영역(Forward biased safe operating area) 증가를 위한 수평형 LDMOS와 수평형 LIGBT를 직렬 연결한 구조)

  • Lee, Seung-Chul;Oh, Jae-Keun;Kim, Soo-Sung;Han, Min-Koo;Choi, Yeam-Ik
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2001.11a
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    • pp.146-148
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    • 2001
  • LIGBT의 캐소드에 전류 제한 능력이 있는 LDMOS를 직렬 연결하여 LIGBT의 전류가 기생 사이리스터가 동작하게 되는 지점까지 증가하는 것을 억제함으로써 기생 사이리스터의 동작으로 인한 LIGBT의 불안정 동작 효과적으로 방지하는 새로운 구조의 LIGBT를 제안한다. 또한 턴-오프 시에 LDMOS의 전류 차단 능력에 의해 전류가 기존의 소자에 비해 빠르게 감소하는 효과로 인해 빠른 스위칭 속도를 얻을 수 있었다.

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