순방향 안전 동작 영역(Forward biased safe operating area) 증가를 위한 수평형 LDMOS와 수평형 LIGBT를 직렬 연결한 구조

Cascading Structure of LDMOS and LIGBT for Increasing the Forward Biased Safe Operating Area(FBSOA)

  • 이승철 (서울대학교 전기 및 컴퓨터 공학부) ;
  • 오재근 (서울대학교 전기 및 컴퓨터 공학부) ;
  • 김수성 (서울대학교 전기 및 컴퓨터 공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기 및 컴퓨터 공학부) ;
  • 최연익 (아주대학교 전자공학부)
  • 발행 : 2001.11.03

초록

LIGBT의 캐소드에 전류 제한 능력이 있는 LDMOS를 직렬 연결하여 LIGBT의 전류가 기생 사이리스터가 동작하게 되는 지점까지 증가하는 것을 억제함으로써 기생 사이리스터의 동작으로 인한 LIGBT의 불안정 동작 효과적으로 방지하는 새로운 구조의 LIGBT를 제안한다. 또한 턴-오프 시에 LDMOS의 전류 차단 능력에 의해 전류가 기존의 소자에 비해 빠르게 감소하는 효과로 인해 빠른 스위칭 속도를 얻을 수 있었다.

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