• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.3
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• pp.155-165
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• 2001

By suggesting a mixed-mode transient simulation method utilizing a 2-dimensional device simulator, we have analyzed CDM ESD Phenomena in CMOS chips, which utilize NMOS transistors as ESD protection devices. By analyzing the simulation results, the mechanisms leading to device failures in CDM discharge and the differences in discharge characteristics with different polarities of stored charges have been explained in detail. The effects of changes in interconnection resistance values on the gate-oxide failure at input buffers, which is the most serious problem in CDM discharge, have been examined. Also improvements in discharge characteristics with addition of the NMOS transistor for input-buffer protection have been examined.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.14 no.6
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• pp.430-437
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• 2005

In this paper, we proposed a biologically inspired light-adaptive edge detection circuit based on the human retina. A saturating resistive network was suggested for light adaptation and simulated by using HSPICE. The light adaptation mechanism of the edge detection circuit was quantitatively analyzed by using a simple model of the saturating resistive element. A light-adaptive capability of the edge detection circuit was confirmed by using the one-dimensional array of the 128 pixels with various levels of input light intensity. Experimental data of the saturating resistive element was compared with the simulated results. The entire capability of the edge detection circuit, implemented with the saturating resistive network, was investigated through the two-dimensional array of the $64{\times}64$ pixels

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.04a
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• pp.49-51
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• 2004

고전압 기기의 절연물 내부에서 부분방전 현상이 발생되면 절연파괴로 진전된다. 회전기기가 운전중인 상태에서 on-line 부분방전시험은 고정자 권선의 절연상태를 검사, 평가 할 수 있는 중요한 수단으로서 이러한 부분방전시험을 통하여 회전기기 시스템의 사고예방을 위한 진단을 할 수 있다. 부분방전 펄스는 10MHz $\sim$ 1GHz의 대역폭을 갖는 것으로 알려져 있으며, 이러한 고주파 대역의 전자파 에너지의 효과적인 검출을 위한 센서 중 하나로 웨이브가이드 구조의 고주파 검출센서가 존재한다. 기존의 전자기적 에너지를 검출하는 SSC (Stator Slot Coupler)센서를 한쪽 포트를 가지는 마이크로스트립센서 형태로 사용할 경우 접지면이 도체전체로 씌워져 있고 임피던스 정합을 위한 50옴의 칩저항이 신호라인과 접지사이 루프를 형성하여 기기 운전시 기기의 성능에 영향을 미칠 수 있는 단점을 가지고 있다. 이 단점을 보완하기 위해서 본 논문에서는 회전기내 부분방전 펄스의 전자기적 에너지를 검출할 수 있는 2선 평행 전송선로 라인을 응용한 부분방전 검출 센서를 제안하였고 시뮬레이션을 통해 성능을 입증하였다. 제안된 센서의 성능을 입증하기 위하여 2선 평행 전송선로 타입의 센서와 기존의 SSC (Stator Slot Coupler) 센서를 약간 변형시킨 마이크로 스트립 센서를 고정자 슬롯의 Wedge 부착한 후 두 센서 비교 분석하였다. 결과적으로 제안된 센서는 기존 SSC 타입의 마이크로스트립 센서에 비하여 더 간단한 형상을 가지며 운전 중 기기의 성능에 영향을 덜 미치는 효과를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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• v.26 no.5
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• pp.368-374
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• 2016

This paper presents an experimental study on an electrical circuit model of the TiO2-based nano-wired memristor device for neuromophic applications. The electrical circuit equivalent model of the proposed memristor device consists of several electronics components and some passive devices including operational amplifiers, multipliers, resistors and capacitors. In order to verify the proposed design, both of simulation (using PSPICE) as well as hardware implementation were performed for the analysis of the memristor circuit with time waveforms, frequency spectra, I-V curves and power curves. The gained results from the measured data showed a good agreement with the simulation result that confirm the proposed idea.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2002.07c
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• pp.1521-1523
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• 2002

본 논문에서는 1.58 ${\times}$ 0.82 ${\times}$ 0.94 $mm^3$크기의 H 형태의 솔레노이드형 RF 칩 인덕터를 코일의 직경과 권선수를 변화시키면서 제작하였고, 그들의 고주파 성능을 비교 분석하였다. 저손실 $Al_2O_3$재료를 코아로 $30{\mu}m{\sim}40{\mu}m$의 여러 직경을 가진 Cu를 코일로 사용하였다. 인덕터의 인덕턴스(L), 품질계수(Q), 저항(R), 임피던스(Z) 그리고 커패시턴스(C) 등의 주파수 특성은 HP4291B로 측정하였다. 실험결과 동일권선수에 대해 코일직경이 자을수록 L, Q, R, 그리고 Z등이 증가하였고, 그 증가폭은 권선수가 클수록 커지는 경향이 있음을 알 수 있었다. 그러나 코일직경이 작을수록 기생 커패시턴스 효과가 빨리 나타나 자기 공진주파수 효과가 감소하는 경향을 보이고 있음을 확인하였다. 코일직경이 $3{\mu}m$이고 권선수가 6인 경우에 대표적인 값들은 다음과 같다. L=31.4nH(at 250MHz), Q=49.6(at 700MHz), R=0.362${\Omega}$(at 1MHz)

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.9 no.3
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• pp.31-36
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• 2002

The 2nd level solder joint reliability of 153 FC-BGA for high-speed SRAM (Static Random Access Memory) with the large chip on laminate substrate comparing to PBGA(Plastic Ball Grid Array) was studied in this paper. This work has been done to understand an influence as the mounting with single side or double sides, structure of package, properties of underfill, properties and thickness of substrate and size of solder ball on the thermal cycling test. It was confirmed that thickness of BT(bismaleimide tiazine) substrate increased from 0.95 mm to 1.20 mm and solder joint fatigue life improved about 30% in the underfill with the low young's modulus. And resistance against the solder ball crack became twice with an increase of the solder ball size from 0.76 mm to 0.89 mm in solder joints.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.9 no.3
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• pp.57-67
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• 2002

Increased signal speed can be obtained in three ways: changing the layout and/or the ratio of the width to thickness of the metal lines, decreasing the specific resistance of the interconnect metal, and decreasing the dielectric constant of the insulating material (intermetal dielectric). Further advancement cannot be expected from changing layout or decreasing specific resistance. The only alternative is to use an insulating material with a lower dielectric constant than other ones used presently. A large variety of polymers has been proposed for use as materials with low dielectric constants for applications in microelectronics. In this review, the properties of selected polymers as well as various fabrication methods for polymer thin films are discussed. Based on the properties described so far, and the requirements for applications as intermetal dielectric material, the possibilities for further developments also are discussed.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.06a
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• pp.164-165
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• 2008

현재의 소자간 연결을 위해 사용되는 금속배선 PCB의 한계로 인해 보다 고속/대용량의 광PCB가 크게 각광받고 있다. 본 논문에서는 광PCB와 소자간의 전기적 연결을 위해 사용되는 솔더 범프를 전도성 에폭시를 사용하여 마이크로 머시닝 공정을 통해 구현하고 제작된 솔더 범프의 I-V 특성을 살펴보았다. 제작된 100 um $\times$ 100 um $\times$ 25 um 와 300 um $\times$ 300 um $\times$ 25 um 의 샘플에서 각각 30 m$\Omega$과 90m$\Omega$의 전기저항을 얻을 수 있었다. 이를 통해 향후 센서및 엑츄에이터 시스템과 광 MEMS 등의 여러 분야에서 전도성 에폭시 솔더 범프를 이용하여 우수한 성능의 플립칩 본딩을 구현할 수 있을 것이다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1386-1387
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• 2006

PDMS와 ITO 유리를 이용하여 continuous-flow PCR chip을 제작하였다. PDMS를 이용하여 microchannel을 형성하여 주었고, ITO electrode를 heater와 sensor로 사용하기 위하여 반도체 공정을 통해 패턴을 형성하였다. microchannel내에 흐르는 시료의 온도를 제어하기 위하여 heater와 sensor를 calibration을 하였다. ITO heater는 인가된 전압에 대해 매우 선형적인 발열을 하였으며, ITO sensor는 온도에 대해 선형적인 저항 변화를 나타낸 바, 그 결과 continuous-flow PCR chip의 정확한 온도 제어가 가능하였다.

• Journal of Satellite, Information and Communications
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• v.9 no.4
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• pp.63-68
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• 2014

Electrostatic Discharge(ESD) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapback holding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-up immunity.