본 연구에서는 풀림방지 볼트를 설계하는 방법을 제시하고 화약 작동 후 볼트 몸체의 특성 변화에 대한 자료를 제공한다. 이와 같은 연구 결과를 증명하기 위하여 M10, M20의 모델을 제작하였고, 폭발 볼트 몸체의 특성 변화에 대한 자료는 시험적으로 획득하였다. 이를 통하여 본 연구는 볼트 몸체의 팽창은 재연성이 있으며 팽창율은 설계인자의 조합에 의해 제어될 수 있다는 것과 풀림방지 특성은 수치화 될 수 있다는 것을 입증했다. 본 연구는 또한 풀림방지 성능을 갖는 볼트를 제작하는데 필요한 자료들을 제공하고 있다.
본 논문에서는 통신, 탐지 및 제어를 위한 원신호의 크기가 시간적으로 변화하고 또한 간섭 잡음의 역할을 하는 교란 신호의 크기도 시간적으로 변화하는 현대전의 상황에서 교란 간섭 신호와 원 신호를 구분하여 원 신호를 디지털신호로 복원하는 확률을 높이기 위하여 본 논문에서는 피드백의 경로에 있는 MOSFET의 실효적인 면적을 디지털 제어 신호로 변경하여 피드백 전류 신호양의 조절하고 히스테리시스의 크기를 조절할 수 있는 IC 회로를 제안하여 설계, 제작 후 측정 및 분석하였다. 병렬 디지털 제어신호에 의한 히스테리시스가 설계 시 예측한 만큼 제어됨을 0.35m-CMOS 공정의 IC 회로를 제작하고 측정하여 증명하였으며 이를 직렬 디지털 제어신호를 제어하기 위한 회로를 설계하여 모의 실험하였다. 또한 교란신호의 크기에 따란 적합한 피드백을 제공하기 위한 제어신호를 모의실험으로 제시하였다.
중적외선 물질에는 Ge, ZnS, ZnSe, Si 등이 있으나 고굴절율이므로 반사가 매우 크게 발생을 한다. 이를 줄이기 위해 다층 박막 무반사 코팅을 일반적으로 사용하지만 열에 취약함, 적합한 물질을 찾는 것이 매우 어려움, 다층 박막으로 제작 시 두께가 매우 두꺼워짐의 단점이 있다. 또한 Ge, ZnS, ZnSe 의 소재는 가격이 Silicon에 비해 매우 비싸다. 그러므로 RCWA(Rigorous Coupled Wavelength Analysis) 시뮬레이션을 이용하여 상대적으로 저렴한 소재임에도 고투과성을 지닌 중적외선용 무반사 실리콘 서브파장구조(Subwavelength Structures, SWSs)를 제안한다. 본 연구에서는 원기둥, 원뿔, 파라볼라, 잘린 원뿔(truncated cone) 등의 형태에 따른 투과율 특성을 파악하여 최적구조가 파라볼라 형태임을 증명하였다. 또한 서브파장구조의 주기, 높이의 특성을 조절하여 공정 시의 종횡비(Aspect ratio)를 고려한 최적형태를 제안하였다. 중적외선 영역($3{\mu}m{\sim}5{\mu}m$)에서 일반 Silicon의 적외선 영역에서 평균 55%의 낮은 투과율을 보이나, 양면에 무반사 구조를 설계 하였을 때 평균 94%의 높은 투과율을 확인할 수 있다. 다양한 형태를 가진 무반사 실리콘 서브파장 구조물을 RCWA 방식으로 계산함으로서 특성을 파악하며 최적구조를 설계 할 수 있다. 또한 단면에 비하여 양면으로 SWSs 구조를 제작할 시 매우 두드러지는 투과특성을 확인할 수 있다. 고굴절율이지만 뛰어난 투과특성을 이용하여 초소형 적외선 카메라 렌즈 뿐만 아니라 적외선 광검출기, 광학 필터 등에 이용 가능할 것으로 예상된다.
사다리형 SAW 필터의 개발을 위해서 종래에는 설계변수 하나하나를 변화시켜 시행착오식으로 사양을 만족시키는 값을 찾아야만 하였다. 본 연구에서는 주어진 사양을 만족시킬 수 있는 사다리형 SAW 필터의 패턴을 자동으로 설계하는 최적 설계법을 개발하였다. 우선 Smith 등가회로 해석법을 이용하여 사다리형 SAW 필터용 해석 프로그램을 제작하였으며, 그 프로그램에 의한 시뮬레이션 결과를 실제 제작된 시작품의 성능과 비교해 봄으로써 타당성을 검증하였다. 이 해석 프로그램을 바탕으로 설계변수의 조정에 따른 성능변수의 변화 경향을 분석함으로써 최적 설계 알고리즘을 개발하였으며. 그 타당성 및 효용성을 기 상용화된 제품들에 대해 시험 설계해 봄으로써 증명하였다.
실험실에서 간단하고 값싼 교류 전압전류계를 제작하였다. 이 장치는 직류함수 발진기, lock-in 증폭기로 구성되어 있다. 1M 황산용액에서 백금을 작업전극으로 하여 $1{\times}10^{-3}M$${Fe(CN)_5}^{3-}$의 가역계에서 CV 전압전류곡선과 교류 전압전류곡선을 구한 데이터로부터 이 장치가 잘 작동되는 것으로 증명되었다. 요오드에 대한 정량분석 결과도 구하였다.
본 논문에서는 중$\cdot$대용량 고밀도 전원 장치에 적합한 플랫 트랜스포머(Flat Transformer)를 사용하여 다양한 출력의 DC/DC 변환장치를 설계하는 방법을 제시하였다. 플랫 트랜스포머 모듈은 다수의 트랜스포머를 병렬로 구성하여 제작하고, 이차 권선이 항상 1턴으로 구성되므로 기존의 트랜스포머에 비해 누설 인덕턴스가 크게 감소하게 되어 고주파 스위칭에 적합한 형태를 가지고 있다. 본 논문에서는 플랫 트랜스포머의 성능을 증명하기 위하여 750W급 AC/DC 변환기를 구성하여 다양한 출력을 갖는 전원 장치를 제작/실험하였다.
회로 시뮬레이터인 SPICE를 이용하여 1.9GHz 대역의 CMOS up-conversion 믹서를 설계하였고, 회로 설계를 위한 시뮬레이션 과정을 소자 모델링을 포함하여 상세히 설명하였다. $0.5{\mu}m$ 표준 CMOS 공정을 이용하여 칩을 제작한 결과, 제작된 칩의 특성과 초기 시뮬레이션에 의해 예상되는 특성 사이에 큰 차이점이 발견되어 이에 대한 원인 분석을 시도하였다. 발견된 문제점들을 고려한 경우의 시뮬레이션을 통해 시도한 시뮬레이션 방법의 타당성을 증명하였고, 이러한 문제점들을 보완할 경우 사용한 표준 CMOS 공정으로도 GaAs MESFET 공정을 사용한 유사 칩의 특성에 근접하는 칩 특성의 구현이 가능함을 보였다.
본 논문에서는 항공사진을 이용하여 제작된 수치지도를 객체관계형 DBMS에 저장하기 위한 방안을 제시하고, 실험을 통해서 그 효율성을 분석하였다. 수치지도는 관리 및 공급을 위해서는 파일단위로 관리되고 있는데, 이로 인해서 연속적인 도형자료를 얻을 수 없으며, 단지 한 개 도면에 포함된 도형개체를 사용할 수 있다. 본 논문은 타일(Tile)기반의 수치지도 개체를 ORDBMS에 입력할 수 있는 형태로 변환한 후에, 일괄적으로 ORDBMS에 저장하였다. 그리고, 전체 도면 중 필요로 하는 도형 개체를 추출할 수 있는 방안을 실험을 통해 증명하였다.
본 연구는 submicrometer CMOS 인버터의 신호 전달 지연에 대한 모사로서 출력 전류 파형을 삼각형 모양으로 근사하고 두 개의 실험적 변수를 사용하여 구현 하였다. 본 모사의 결과는 HSPICE 결과와 매우 부합된 결과를 보인다. 모델의 시뮬레이션 결과 인버터 지연 값과 jitter의 최대 오류치는 각각 0.6%와 2.8% 이하의 결과를 보인다. 앞선 연구자들의 결과와 비교해 볼 때 본 연구의 모사는 작은 동작 전압에서 더 나은 결과를 보이는 특성을 가지고 있다. 이러한 모사의 결과를 실험적으로 증명하기 위해 인버터 체인을 제작 하였고 인버터 지연과 jitter 특성을 평가하였다. 제작된 시료의 결과는 새로운 모델과 매우 근사한 값을 보인다.
박판용접은 선박, 자동차 등의 강(steel) 구조물의 제작시 폭넓게 사용되어지고 있다. 그러나 박판용접시 발생되어지는 열변형 및 용접잔류응력은 구조물 제작중은 물론 가동시에도 그 안전성을 해치는 경우가 있다. 따라서 용접잔류응력 및 열변형을 정확하게 예측하기 위하여 열원이동의 효과를 고려한 박판의 온도 분포특성을 정확하게 해석하는 것이 중요하다. 본 논문에서는, 박판의 2차원 비정상 열전도 문제를 아이소파라메트릭 요소를 이용하여 정식화하였으며, 동시에 유한요소법의 컴퓨터 프로그램을 개발하였으며, 그 타당성을 검증하기 위하여 본 해석 결과와 실험식과 비교 검토하였으며 또한 그 효용성을 증명하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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