본 논문은 EMTP-RV를 이용하여 변압기 여자돌입전류를 모델링하는 방법을 제시하였다. 우선, 변압기 여자돌입전류의 특성을 조사하였다. 그 다음으로, EMTP-RV의 변압기의 모델링 방법을 분석하여 변압기 여자돌입전류 모델링을 위한 적절한 방법을 선택하였다. 마지막으로, 다양한 조건에 대하여 여자돌입전류를 모델링하여 그 방법의 적합성을 증명하였다.
본 연구에서는 AlGaN/GaN HEMT (High electron mobility transistor)를 제작하고 20 mTorr의 챔버 압력과 15 sccm의 ${N_2}O$ 유량, 40 W의 RF 전력의 조건으로 원거리에서 형성된 플라즈마로 소스와 드레인 영역을 10초${\sim}$120초 동안 처리하여 HEMT의 전기적 특성을 관찰하였다. 상온에서 ${N_2}O$ 플라즈마에 처리한 경우 HEMT의 특성이 변화하지 않았으나 $200^{\circ}C$의 온도에서 10초 동안 처리한 경우 게이트 길이가 1um, 소스와 드레인 사이의 거리가 4um인 HEMT의 게이트 누설전류가 246 nA로부터 1.2 pA로 크게 감소하였다. 또한 25 um 떨어진 200um 폭의 두 활성층 사이 누설전류가 3 uA로부터 7 nA로 감소하였으며 720 ${\Omega}/{\box}$의 활성층의 면저항을 608 ${\Omega}/{\box}$로 감소시켜 도전율의 증가를 나타내기도 하였다. ${N_2}O$ 플라즈마의 처리에 의한 전기적 특성 개선은 10초 이내의 짧은 시간 동안 이루어지며 더 이상의 처리는 누설전류 특성 개선에 도움이 되지 않았다. 또한 ${N_2}O$ 플라즈마 처리로 개선된 특성은 $SiO_2$의 증착과 식각 후에도 개선된 특성이 유지되었다. ${N_2}O$ 플라즈마의 처리는 트랜지스터의 트랜스컨덕턴스와 드레인 전류의 증가, 드레인 전류의 차단특성의 개선에도 기여하여 고품위의 AlGaN/GaN HEMT 제작에 효과적으로 이용될 수 있음이 확인되었다.
본 논문에서는 이득 및 주파수 특성이 개선된 CMOS 저전압 전류모드 적분기가 설계되었다. 설계된 전류모드 적분기는 본 논문에서 새롭게 제안한 선형 캐스코드 회로를 기본으로 구성되었다. 제안된 전류모드 적분기는 기존의 전류미러형 전류모드 적분기의 이득(43.7dB) 및 단위이득주파수(15.2MHz) 비해서 높은 전류이득(47.8dB) 및 단위 이득 주파수(27.8MHz)의 특성을 얻을 수 있었다. 제안된 전류모드 적분기의 응용회로로써 차단주파수 7.03MHz를 갖는 5차 체비세프 저역통과 필터를 설계하였다. 설계된 모든 회로들은 1.8V-$0.18{\mu}m$ CMOS 공정파라메터로써 HSPICE를 이용하여 시뮬레이션되었다.
본 논문은 p-MOS 트랜지스터에서 음 바이어스 온도 불안정(NBTI) 전류 스트레스 인가에 의해서 드레인 전류, 문턱 전압, 문턱 전압아래 기울기, 게이트유기 드레인 누설(GIDL) 전류가 변화하는 열화특성을 측정하고 분석하였다. 스트레스 시간, 온도와 전계 의존에 연관된 열화 크기는 실리콘/산화막 계면에서 계면 트랩 생성에 좌우된다는 것으로 나타났다. 문턱 전압의 변화와 문턱 전압아래 기울기 사이에 상관관계로부터, 소자 열화에 대한 중요한 메카니즘이 계면 상태의 생성과 관련이 있다는 것을 분석하였다. GIDL 측정 결과로부터, NBTI 스트레스에 기인한 계면상태에서 전자 정공쌍의 생성이 GIDL 전류의 증가를 가져온다. 그러므로 초박막 게이트 산화막 소자에서 NBTI 스트레스 후에 GIDL 전류 증가를 고려하여 야만 한다. 또한, 신뢰성 특성과 dc 소자 성능을 동시에 고려함이 초고집적 CMOSFET의 스트레스 공학기술에서 상당히 필수불가결하다.
전기철도 급전선에 흐르는 기유도전류를 계산하는 방법은 ITU-T의 지침서에 다도체 계산법으로 제시되어 있고 급전선 특성에 의한 전파상수 및 전차선 전류의 계산에 관하여는 이도체 해석 방법으로 계산하도록 되어 있다. 본 논문에서는 특히 급전 구간내에서도 전차 및 통신선의 상대적 위치 관계에 따른 기유도전류의 변화를 ITU에서 제시한 방식에 의하여 국내 전차선 전파상수 특성 파라미터를 부여하고 전차의 이동에 따라 어떠한 변화를 나타내는지 시뮬레이션을 통하여 분석하여 보았다. 급전구간내에서 변화하는 기유도전류는 급전소 간에 대칭적 쌍곡선 함수 특성으로 나타남을 알수 있고 이러한 해석 결과는 급전소간의 유도 영향 관계에서 통신선 장애에 대응하는 데에 기초적 영향 변수로 활용될 수 있다.
본 논문은 게이트 채널 길이 0.13 [${\mu}m$]의 p-MOS 트랜지스터에서 음 바이어스 온도 불안정(NBTI) 전류 스트레스 인가에 의한 게이트유기 드레인 누설(GIDL) 전류를 측정 분석하였다. NBTI 스트레스에 의한 문턱전압의 변화와 문턱전압아래 기울기와 드레인 전류 사이에 상관관계로부터, 소자의 특성 변화의 결과로 열화에 대한 중요한 메카니즘이 계면 상태의 생성과 관련이 있다는 것을 분석하였다. GIDL 전류의 측정 결과로부터, NBTI 스트레스에 기인한 계면상태에서 전자-정공 쌍의 생성이 GIDL 전류의 증가의 결과를 도출하였다. 이런 결과로 부터, 초박막 게이트 산화막 소자에서 NBTI 스트레스 후에 증가된 GIDL 전류를 고려해야만 한다. 또한, 동시에 신뢰성 특성과 직류 소자 성능의 고려가 나노 크기의 CMOS 통신회로 설계의 스트레스 파라미터들에서 반드시 있어야 한다.
이 논문은 ZnO 피뢰기의 외부환경 변화에 따른 전기적 특성을 기술하였다. 뇌임펄스전류에 의한 ZnO 피뢰기의 열화특성을 분석하기 위해 8/20[${\mu}s$], 2.5[kA]의 임펄스전류를 시료에 인가하였다. ZnO 피뢰기의 누설전류를 다양한 외부 온도와 주수 상태에서 상용 주파수 교류 전압을 인가하여 측정하였다. 그 결과 임펄스전류의 인가횟수와 외부 온도가 증가함에 따라 누설전류가 증가하였고, 누설전류의 비대칭성도 뚜렷하였다. 또한 주수 시험에서 ZnO 피뢰기의 외피를 통하여 흐르는 전류는 피뢰기 소자의 누설전류보다 크게 나타났다. 본 연구의 결과는 피뢰기의 감시시스템 성능과 신뢰성 향상의 요소로 적용할 수 있다.
본 논문에서는 자속구속형 초전도 사고전류제한기의 전압등급증대를 위한 방안으로 하나의 철심을 매개로 직렬로 연결된 자속구속형 초전도 사고전류제한기를 제안하고 이의 사고전류제한 특성을 분석하였다. 직렬 연결된 각각의 자속구속형 초전도 사고전류제한기의 구조는 두 개의 코일이 하나의 철심을 매개로 병렬로 연결되며 초전도 소자가 두 코일중 하나의 코일과 직렬로 연결된 구조를 가진다. 하나의 철심을 매개로 공유된 내부자속은 직렬연결된 각각의 자속구속형 초전도 사고전류제한기를 구성하는 초전도 소자들의 임계전류차이로 인한 불균일한 전력분담을 균일하게 유지시켜 주는 것을 실험을 통해 확인하였다.
본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널도핑농도의 변화에 따른 문턱전압이하 전류의 변화를 분석하였다. 이를 위하여 이중게이트 MOSFET의 채널 내 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용하였다. 전위분포는 경계조건을 이용하여 채널크기에 따른 해석학적인 함수로 구하였다. 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 채널도핑농도 등에 대하여 문턱전압 이하 전류 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 전위모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 문턱전압이하 전류 특성을 분석하였다. 분석결과, 문턱전압이하 전류는 채널도핑농도 및 가우시안 분포함수의 변수 등에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.
옥외 장기실증시험 설비를 구축하여 154(kV) 송전 전압으로 1년 동안 자기애자(36,000lbs) 및 폴리머 애자(154 [kV] 용)에 대하여 비 또는 눈이 올 때 각 계절에 대한 누설전류 특성에 관하여 조사하였다. 그 결과 자기애자는 누설전류가 장마철, 한여름, 가을의 경우 잦은 집중호우로 첫날은 급격한 증가가 보였으면 폭우 후에는 자연세정으로 인한 폭우 전보다 더 낮게 나타났다. 그리고 겨울에 눈이 올 경우에는 적은 양의 눈으로도 자기 애자 표면에 눈의 쌓여 누설전류가 넓은 시간 높게 나타났으며, 겨울비가 올 경우에는 겨울 동안 눈으로 인해 염분 및 진애의 누적으로 폭우에 대하여 사계절 중 가장 높은 누설전류를 나타났다. 한편 폴리머 애자의 경우에는 사계절에 관계없이 누설전류 증감은 크지 않았으나 겨울비가 을 경우에는 누설전류가 수 백 $[\muA]$까지 증가하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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