• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.10c
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• pp.101-103
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• 2005

전기강판으로 제작되어진 전기기기의 보다 정확한 수치적인 해석을 위해서는 회전자계(Rotating magnetic flux)에 따른 전기강판의 정화한 자계특성 측정이 필요하다. 이 논문에서는 개발되어진 2방향 자계인가 형 Single sheet tester를 이용하여 회전자계에 따른 전기강판의 자계특성을 측정하였다. 실험을 통하여 등방성 시료와 방향성 시료에 대하여 각각 1.6[T] 와 1.2[T]까지 측정할 수 있었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2018.11a
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• pp.119-120
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• 2018

국내 원자력 발전소의 비상전원공급을 위하여 대체교류디젤 발전기와 납축전지를 사용하고 있다. 납축전지는 온도, 방전 전류, 수명 및 안정성 등에서 리튬계열전지와 비교되고 있으며, 전기적 특성이 우수하고 안정성이 높은 리튬계열전지의 사용이 고려되고 있다. 본 논문은 원전의 비상전원 설계를 위하여 납축전지와 리튬계열전지의 전기적 특성을 비교 분석하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2013.11a
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• pp.198-199
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• 2013

본 논문에서는 리튬공기(Li-Air) 배터리를 소개하고 전기화학적 특성분석을 간단히 진행하였다. 우선, 리튬공기 배터리의 동작원리를 소개하고 기존 리튬이온(Li-Ion) 배터리와의 차이점을 제시하였다. 각 만방전압에 따른 배터리의 전기화학적 특성분석을 위해 방전용량 및 임피던스 특성커브를 분석하였다. 더불어, 향후 State-of-charge(SOC) 추정을 위한 데이터를 위해 Open-circuit voltage(OCV) 및 실제 충방전 전류 프로파일에 따른 충방전 전압을 분석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.04b
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• pp.256-257
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• 2006

전류 미러회로를 이용한 직류 전류 센서를 이용하면 간단하게 전류센서회로를 구성할 수 있다. 더우기 Shunt 저항에서 낮은 전압을 이용하므로 효율적인 전류감지회로를 구성할 수 있다. 그러나 트랜지스터의 에미터 베이스 전압을 이용하므로 비 직선성이 두드러진다. 이 회로의 전류센서, 온도특성등 여러 전기적 물리적 특성을 이해하고 이를 마이크로프로세서를 이용하여 그 특성을 상쇄하는 구성을 고려하여 보기로 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 2002.11a
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• pp.276-280
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• 2002

환경적ㆍ산업적으로 크게 문제되는 폐기물인 Steel 음료캔과 Aluminum 음료캔을 사용하여 기존의 콘크리트와 다른 다양한 관점에서 음료캔 발열콘크리트의 강도와 전기적 특성에 관하여 실험했다. 본 연구에서는 2002년 3월 8일부터 2002년 10월 9일 까지 장기간에 걸쳐서 계절이 바뀌는 자연현상에서 음료캔 발열콘크리트의 특성파악을 위한 전기ㆍ전도 특성과 축열효과 관점에서 저항률 변화를 계속 실험, 연구하였다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.9 no.2
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• pp.29-34
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• 1995

본 논문에서는 콤팩트 형광램프용 Dimming형 전자식 안정기의 설계에 있어서, 인버터 공진탱크의 커패시턴스값을 변화시킬 때 전압이득곡선을 분석하여 최적의 회로정수를 결정하는 방법을 제안하였다. 또한 하프브리지 인버터회로의 회로정수에 대한 PSpice 시뮬레이션을 행하여 램프전압과 전류값을 구하였고, 실제 전자식 안정기를 제가하고 시동특성과 조광특성을 비교분석하였다. 시동특성은 일반 전자식 안정기와 거의 동일하였으며, 조광특성은 전체 광출력의 5%까지 안정동작되어, 제안된 방법이 뛰어남을 확인하였다.

• The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.11 no.6
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• pp.44-49
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• 1997

백열전구 시스템의 설계에서 스너버 회로의 설계는 백열전구의 특성을 고려하는 것이 대단히 중요하다. 특히 서지전압 유입시 백열전구의 과도특성은 설계시 보다 많은 설계사양들을 제공하게 된다. 본 논문에서는 서지전압 유입시 과도특성에 근거한 백열전구의 동작모델을 등가회로로 나타냈다. 이 모델은 제조사가 다른 백열전구에도 광범위한 적용이 가능하다. 본 논문에서 제시한 모델이 실질적으로 효용성이 있음을 나타냈으며, 스너버 회로와 리액턴스(LS) 설계시 백열전구의 서지전압 및 과도 특성에 의한 최적설계를 더욱 명확히 할 수 있다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2003.06a
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• pp.253-255
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• 2003

Flash memory는 device 특성상 peripheral circuit을 구성하는 transistor의 종류가 다양하고, 이에 따른 각 transistor의 동작 전압 영역이 넓다. 이에 따라 설계 초기의 전기적 특성 스펙 절정을 위해서는, silicon 상에서 소자의 scale down에 따른 전기적 특성을 선 검증하는 과정이 필수적이었으며, 이로 인해 설계 및 소자 개발의 기간을 단축하기 어려웠다. 본 연구에서는 TCAD tool을 사용하여 silicon상에서의 제작 공정을 거치지 않고, 효과적으로 model parameter를 생성할 수 있도록 하는 방법을 제안하여. 전기적 특성 스펙 결정과 설계 단계의 시간 지연을 감소할 수 있도록 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.293-293
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• 2013

최근 디스플레이산업이 발달하면서 투명전도성 물질에 대한 산업의 요구도가 높아지고 있다. ITO투명전도성 박막은 낮은 비저항과 우수한 식각특성을 가지고 있어 평면표시소자, 광소자, 터치패널 그리고 가스 센서 등 다양한 분야에 응용되고 있으며 디스플레이 소자가 소형화 되어감에 따라 박막의 다기능화가 요구되고 있다. 본 실험에서는 전기적 특성과 친, 발수특성을 동시에 가지는 다기능성 ITO 박막을 연구하였다. RIE방식으로 식각을 통하여 Poly Si-wafer 표면에 미세구조를 만든 기판과 Slide Glass기판에 RF-magnetron sputtering 방법을 이용해 ITO박막을 증착하여 비교분석 하였다. ITO박막 증착시 $100{\sim}400^{\circ}C$ 열처리와 산소를 사용하지 않고 Ar 가스만을 사용하여 실험한 후 열처리온도에 따른 전기적 특성 및 접촉각에 대하여 조사하였다. 3 uL의 Di-water를 사용하여 접촉각을 측정한 결과 $400^{\circ}C$ 열처리가 된 Poly si-wafer 위에 증착된 ITO 박막에서 초-친수 특성을 나타냈으며, 그 위에 PTFE을 증착하였을 경우 12 uL의 Di-water를 사용하여 약 $150^{\circ}$ 이상의 초-발수 특성을 나타내었다. 전기적 특성은 $5.8{\times}10^{-4}$의 비 저항을 나타내었다. 이러한 전기적 특성과 친 발수 특성을 동시에 가지는 ITO 박막은 Anti-Fogging, self-Cleaning, Solar cell 및 디스플레이소자 등 다양한 산업에 이용 가능할 것으로 생각된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2009.07a
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• pp.1238_1239
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• 2009

본 논문에서는 ELA poly-Si TFT보다 뛰어난 균일도를 갖고, a-Si:H TFT보다 전기적 안정도가 우수한 PMOS SPC-Si TFT의 특성을 연구하였다. SPC-Si의 계면 특성을 향상 시키기 위해 $SiO_2$ 게이트 절연막을 증착하기 전에 Solid Phase Crystalline 실리콘(SPC-Si) 채널 영역에 다양한 H2 플라즈마 처리를 해주었다. PECVD를 이용하여 100W에서 H2 플라즈마 처리를 5분 해주었을 때 SPC-Si TFT의 전기적 특성이 향상되는 것을 볼 수 있는데, $V_{TH}$가 약 -3.91V, field effect mobility가 $22.68cm^2$/Vs, 그리고 Subthreshold swing이 0.64 정도를 보였다. 또한 소자에 Hot carrier stress($V_{GS}$=14.91V, $V_{DS}$=-15V, for 2,000sec)를 주었을 때도 전기적 특성이 변하지 않았으며, 일정한 bias stress($V_{GS}$=-15V, $V_{DS}$=-10V, for 2,000sec)를 가하였을 때도 $V_{TH}$가 증가하지 않았다. 이러한 결과를 통해 SPC-Si가 poly-Si TFT보다 더욱 안정함을 알 수 있었다.