• Title/Summary/Keyword: 적층 두께

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The Study of Nondestructive Test about Impact Damage of Plate Composite Materials (판형 복합재료의 충격 손상에 대한 비파괴시험적 고찰)

  • 나성엽;김재훈;최용규;류백능
    • Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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    • v.5 no.4
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    • pp.20-30
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    • 2001
  • This study represents the Nondestructive Test about impact damage of composite materials made by different lay-up patterns and degrees. For this study, they were examined by the drop test on composite materials of two type lap-up patterns with fabric and unidirectional prepreg and examined nondestructive test of those. Nondestructive methods were X-ray test with $ZnI_2$ penetrant and Ultrasonic C-scan. The defect detectability of X-ray and Ultrasonic test was compared according to defect species. And the amounts of damage on impacted zone wert compared according to impact energy on two type test specimens. At results, Ultrasonic test was more effective to detect delamination and Penetrant X-ray test was more effective to detect matrix crack and fiber fracture. There were some differences in defect shapes and grades according to lay-up patterns and degrees, and the trend appeared that matrix crack, delamination, fiber fracture occured and increasing defects sizes according to increasing impact energy.

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About Short-stacking Effect of Illite-smectite Mixed Layers (일라이트-스멕타이트 혼합층광물의 단범위적층효과에 대한 고찰)

  • Kang, Il-Mo
    • Economic and Environmental Geology
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    • v.45 no.2
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    • pp.71-78
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    • 2012
  • Illite-smectite mixed layers (I-S) occurring authigenically in diagenetic and hydrothermal environments reacts toward more illite-rich phases as temperature and potassium ion concentration increase. For that reason, I-S is often used as geothermometry and/or geochronometry at the field of hydrocarbons or ore minerals exploration. Generally, I-S shows X-ray powder diffraction (XRD) patterns of ultra-thin lamellar structures, which consist of restricted numbers of sillicate layers (normally, 5 ~ 15 layers) stacked in parallel to a-b planes. This ultra-thinness is known to decrease I-S expandability (%S) rather than theoretically expected one (short-stacking effect). We attempt here to quantify the short stacking effect of I-S using the difference of two types of expandability: one type is a maximum expandability ($%S_{Max}$) of infinite stacks of fundamental particles (physically inseparable smallest units), and the other type is an expandability of finite particle stacks normally measured using X-ray powder diffraction (XRD) ($%S_{XRD}$). Eleven I-S samples from the Geumseongsan volcanic complex, Uiseong, Gyeongbuk, have been analyzed for measuring $%S_{XRD}$ and average coherent scattering thickness (CST) after size separation under 1 ${\mu}m$. Average fundamental particle thickness ($N_f$) and $%S_{Max}$ have been determined from $%S_{XRD}$ and CST using inter-parameter relationships of I-S layer structures. The discrepancy between $%S_{Max}$ and $%S_{XRD}$ (${\Delta}%S$) suggests that the maximum short-stacking effect happens approximately at 20 $%S_{XRD}$, of which point represents I-S layer structures consisting of ca. average 3-layered fundamental particles ($N_f{\approx}3$). As a result of inferring the $%S_{XRD}$ range of each Reichweite using the $%S_{XRD}$ vs. $N_f$ diagram of Kang et al. (2002), we can confirms that the fundamental particle thickness is a determinant factor for I-S Reichweite, and also that the short-stacking effect shifts the $%S_{XRD}$ range of each Reichweite toward smaller $%S_{XRD}$ values than those that can be theoretically prospected using junction probability.

Impact analysis of a liminated composite beam by the finite element method (유한 요소법에 의한 적층 복합 보의 충격 해석)

  • 안국찬;김문생;김규남
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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    • v.12 no.4
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    • pp.652-661
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    • 1988
  • A theoretical attempt is made to analyze the dynamic contact force and response of laminated composite beams subjected to the transverse impact of steel balls. A beam finite element model based on the modified theory for laminated composites in conjunction with static contact laws is formulated for the theoretical investigation. Finally, it is shown that the present results are in good agreement with some existing solutions or wave propagation theory.

High Speep/High-Precision Chip Joining Using Self-Assembly Technology for Three-Dimensional Integrated Circuits (삼차원적층형 집적회로 구현을 위한 자기조직화정합기술을 이용한 고속.고정밀 접합기술)

  • Lee, Kang-Wook
    • Journal of Welding and Joining
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    • v.29 no.3
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    • pp.19-26
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    • 2011
  • 본 논문에서는 액체의 표면장력을 이용하여 복수의 KGD 들을 웨이퍼 상태에서 일괄접합함으로써, 높은 수율의 삼차원적층칩을 빠른 생산성으로 제작할 수 있는, 고속 고정밀 접합기술인 자기조직화정합 (Selfassembly) 기술에 대해 소개를 하였다. 본 연구실에서 개발한 self-assembly 기술을 적용하여 5mm 각(角) 크기의 칩 500개를 1초 이내에 평균 $0.5{\mu}m$ 정도의 높은 정밀도로 8인치 웨이퍼상에 일괄접합시키는데 성공하였다. Self-assembly 기술에 의한 삼차원 칩 적층방식은, 기존의 pick-and-place 적층방식에서 높은 정밀도의 접합특성을 확보하는데 필요한 공정시간을 혁신적으로 단축하는 것이 가능하고, 웨이퍼 레벨에서 복수의 KGD 들을 일괄접합하는 것이 가능하므로, 향후 TSV 기술의 양산화를 실현하는데 적합한 고속 고정밀 접합 기술로서 기대가 크다. 현재 본 연구실에서는 두께가 $50{\mu}m$ 이하의 얇은 LSI 칩 및 메탈범프가 형성된 LSI 칩 등을 이용하여, self-assembly 기술에 의한 삼차원 적층형 집적회로 구현을 위한 접합기술을 개발 중에 있다.

p-Convergent Transition Element for Analysis of Cracked Laminate Plates with patch Repairs (팻취보강된 균열적층판 해석을 위한 p-수렴 천이요소)

  • Yang, Seung-Ho;Woo, Kwang-Sung;Shin, Young-Sik;Yi, Dong-Woo
    • Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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    • 2010.04a
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    • pp.314-317
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    • 2010
  • 본 논문에서는 p-수렴 천이요소의 층별이론을 사용하여 균열을 갖는 적층판의 팻취보강 효과에 대해 알아보았다. 이 모델의 면내 변위는 각 구간별로 연속인 선형변화로 가정하였고, 두께방향으로의 면외 변위는 일정한 상수로 가정하여 적용하였다. 변위장의 정의는 적분형 르장드로 다항식을 적용하였다. 또한 에너지 방출률법과 VCCT 방법을 사용하여 응력확대계수를 산출하였다. 수치적분은 별도의 외삽법 없이 각층별의 절점에서 방생하는 적분 값을 바로 얻을 수 있는 가우스-로바토 적분법을 사용하여 계산하였으며, 수치예제를 통해 제안된 모델의 정확도와 기존의 3차원 고체요소를 사용한 것보다 동일한 정확도를 얻기 위해 휠씬 적은 요소 및 자유도가 사용됨을 알 수 있었다.

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The Reliability and Electric Properties of High Voltage Multilayer Ceramic Capacitor According to Dielectric Materials (유전체 원료에 따른 고압용 적층칩 캐패시터 신뢰성 및 전기적 특성)

  • Yoon, Jung-Rag;Park, Jung-Won
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.21-22
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    • 2007
  • 내환원성을 가지는 (Ca,Sr)(ZrTi)$O_3$계 C0G 원료와 코어 쉘 구조를 가지는 $BaTiO_3$계 X7R 원료를 적용하여 고압용 적층 칩 캐패시터를 제작하여 내부전극 형상 및 원료에 따른 신뢰성 밑 전기적 특성을 연구하였다. C0G 특성의 원료는 X7R 원료에 비해 단위 두께당 내전압이 감소하는 경향이 적었으며 내전압 특성도 우수하게 나타났다. 또한, 내부 전극 설계에 있어 floating에 따른 영향은 C0G, X7R 특성 원료 모두 향상된 전기적 특성과 신뢰성을 가짐을 확인 할 수 있었다.

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Chip stack height measurement of semiconductor using slit beam (슬릿빔을 이용한 반도체의 칩 적층 높이 측정)

  • Shin, Gyun-Seob;Cho, Tai-Hoon
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2009.10a
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    • pp.422-424
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    • 2009
  • In this paper, we studied methods that measure chip stack height using slit beam in mold equipment among semiconductor manufacture equipments. We studied two methods to improve chip stack height measurement performance. First, it is relation of camera exposure time and height measurement repeatability. Second we could improve measurement performance applying method of least mean square method for measurement error minimization about PCB(Printed Circuit Board) flexure phenomenon.

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The Study of the Tunnel Recombination Junction Properties in Multi-Junction Thin Film Silicon Solar Cells (다중 적층형 박막 실리콘 태양 전지의 터널 접합 특성 연구)

  • Hwang, Sun-Tae;Shim, Jenny H.;Chung, Jin-Won;Ahn, Seh-Won;Lee, Heon-Min
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2010.06a
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    • pp.62.2-62.2
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    • 2010
  • 박막 실리콘 태양 전지는 저가격화 및 대량생산, 대면적화에 유리하다는 장점을 가지고 있다. 단점으로 지적되는 낮은 효율을 극복하기 위해 광흡수층의 밴드갭이 서로 다른 두 개 이상의 박막을 적층하여, 넓은 파장 대역의 빛을 효과적으로 흡수함으로써 광변환 효율을 올리기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다. 서로 다른 밴드갭의 광흡수층을 가진 p-i-n 구조를 다중 적층하여 고효율의 태양 전지를 제작하기 위해서는 n-도핑층과, p-도핑층 간에 전자와 정공이 빠르게 재결합할 수 있는 터널 접합(Tunnel Recombination Junction)의 형성이 필수적이며, 이때 광손실이 최소화되도록 해야한다. 만약 터널 접합이 적절하게 형성되지 않으면 결합되지 않은 전자와 정공이 도핑층 사이에 쌓이게 되고, 도핑층 사이의 저항 증가로 태양 전지의 광변환 효율은 크게 하락한다. 이번 연구에서는 터널 접합이 잘 이루어지게 하기 위한 n-도핑층 및 p-도핑층 박막의 특성과, 터널 접합의 특성에 따른 적층형 태양 전지의 광효율 변화를 확인하였다. 광흡수층 및 도핑층은 TCO($SnO_2:F$, Asahi) 유리 기판 위에 PECVD를 사용하여 p-i-n 구조로 RF Power 조건에서 증착되었고, ${\mu}c$-Si 광흡수층의 경우에는 VHF Power 조건에서 증착되었다. 광흡수층이 a-Si/${\mu}c$-Si의 구조를 가지는 이중 접합 태양 전지에서 ${\mu}c$-Si n-도핑층/${\mu}c$-Si p-도핑층 사이의 터널 접합 실험 결과 n-도핑층 및 p-도핑층의 결정화도와 도핑 농도를 조절하여 터널 접합의 저항을 최소화했고, 터널 접합 특성이 이중 접합 셀의 광효율 특성과 유사한 경향을 보임을 확인하였다. 광흡수층이 a-Si/a-SiGe/${\mu}c$-Si의 구조를 가지는 삼중 접합 태양 전지 실험의 경우 a-Si과 a-SiGe 광흡수층 사이에 ${\mu}c$-Si n-도핑층/${\mu}c$-Si p-도핑층/a-SiC p-도핑층의 구조를 적용하여 터널 접합을 형성하였으며, ${\mu}c$-Si p-도핑층의 두께 및 박막 특성을 개선하여 광손실이 최소화된 터널 접합을 구현하였고, 삼중 접합 태양 전지에 적용되었다.

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Design and Fabrication of Dual Linear Polarization Stack Antenna for 4.7GHz Frequency Band (4.7 GHz 대역에서 동작하는 이중 선형편파 적층 안테나의 설계 및 제작)

  • Joong-Han Yoon;Chan-Se Yu
    • The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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    • v.18 no.2
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    • pp.251-258
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    • 2023
  • In this paper, we propose DLP(Dual Linear Polarization) stack antenna for private network. The proposed antenna has general stack structure and design airgap between two substrate to obtain the maximum gain. Also, to improve cross polarization isolation, two feeding port is designed to separate for each substrate. The size of each patch antenna is 17.80 mm(W1)×16.70 mm(L1) for lower patch and 18.56 mm(W2)×18.73 mm(L2) for upper patch, which is designed on the FR-4 substrate which thickness (h) is 1.6 mm, and the dielectric constant is 4.3, and which is 40.0 mm(W)×40.0 mm(L) for total size of substrate. From the fabrication and measurement results, bandwidths of 100 MHz (4.74 to 4.84 GHz) for feeding port 1, and 150 MHz (4.67 to 4.82 GHz) for feeding port 2 are obtained on the basis of -10 dB return loss and transmission coefficient S21 is got under the -20 dB. Also, cross polarization isolation between each feeding port obtained