본 논문은 브릿지형 컨버터에 존재하는 기생성분이 게이트 구동에 미치는 영향을 분석한다. 다양한 기생성분과 입출력 사양에 따라 게이트 구동을 저해하는 EMI의 크기가 어떻게 변하는지 그 관계를 밝힌다. 이론적 분석을 통하여 시뮬레이션 모델을 구축하고, 실험을 통하여 타당성을 증명한다.
본 논문은 실제 단상유도전동기의 정확한 특성예측을 위해 각종 기생성분, 즉 자기회로 포화 및 고조파에 의한 영향을 분석하였다. 특히 기동특성에 큰 영향을 주는 공간고조파 성분의 영향을 고려하기 위해 슬롯과 권선분포에 대한 고조파분석 및 고조파 등가회로를 구현하였다. 이로부터 동특성해석을 시행함으로써 공간고조파에 의한 기동에서의 기생토크효과를 분석하였다.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
/
v.52
no.10
/
pp.33-46
/
2015
In this paper, we predicts the analog and digital circuit performance of FinFETs that are scaled down following the ITRS(International technology roadmap for semiconductors). For accurate prediction of the circuit performance of scaled down devices, accurate parasitic resistance and capacitance analytical models are developed and their accuracies are within 2 % compared to 3D TCAD simulation results. The parasitic capacitance models are developed using conformal mapping, and the parasitic resistance models are enhanced to include the fin extension length($L_{ext}$) with respect to the default parasitic resistance model of BSIM-CMG. A new algorithm is developed to fit the DC characteristics of BSIM-CMG to the reference DC data. The proposed capacitance and resistance models are implemented inside BSIM-CMG to replace the default parasitic model, and SPICE simulations are performed to predict circuit performances such as $f_T$, $f_{MAX}$, ring oscillators and common source amplifier. Using the proposed parasitic capacitance and resistance model, the device and circuit performances are quantitatively predicted down to 5 nm FinFET transistors. As the FinFET technology scales, due to the improvement in both DC characteristics and the parasitic elements, the circuit performance will improve.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
/
v.13
no.5
/
pp.959-964
/
2018
In this paper, it was firstly confirmed that the drain current of the depleted SOI MOSFET operated in the high frequency response delay occurs by the inductive parasitic. Depleted SOI MOSFET cannot be applied as a conventional high-frequency MOSFET model because the response delay of the drain current is generated in accordance with the drain voltage fluctuation. This response delay may be described as a non-quasi-static effect, and the SOI MOSFET generated the response delay by the inductive parasitics compared to typical MOSFET. It is confirmed that depleted SOI MOSFET's RF characteristics can be well reproduced with the proposed method including the drain current response delay.
Kim, Dong-Sik;Joo, Dong-Myoung;Lee, Byoung-Kuk;Kim, Jong-Soo
Proceedings of the KIPE Conference
/
2015.07a
/
pp.269-270
/
2015
본 논문에서는 GaN FET과 같이 고주파 스위칭이 가능하나 턴-온 문턱전압이 매우 낮은 전력반도체 소자의 안정적 구동을 위해 기생성분을 최소화 할 수 있는 PCB Layout 설계 방법에 대해 고찰한다. PCB Track의 길이 및 배치에 따른 기생 인덕턴스 등의 기생성분을 정량적으로 분석하고, Faulty 턴-온에 가장 직접적인 문제를 야기하는 ac-loop 인덕턴스 최소화 설계 방법을 제시하며 실험으로 검증한다.
This paper has presented research results for the switching mode class E frequency multiplier that has simple circuit structure and high efficiency. Frequency multiplication is coming from the nonlinearity of the active component, and this paper models the FET active component as a simple switch and some parasitics to analyze the characteristics. The matching component parameters for the class E frequency doubler have been derived with modeling the FET as a input controlled switch and some parasitics. A circuit simulator, ADS, is used to simulate the output voltage and current waveform and efficiency with the variation of the parasitic values. With 2.9GHz input and 2V bias, the drain efficiency has been decreased from 98% to 28% with changing the parasitic capacitance from 0pF to 1pF at 5.8GHz output, which shows that the parasitic capacitance CP has the most significant effect on the efficiency among the parasitics of FET.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
/
2003.05a
/
pp.112-115
/
2003
Sub-90nm급 high speed 소자를 위해서는 extension영역의 shallow junction과 sheet 저항의 감소가 필수적이다. 일반적으로 기생저항은 channel저항의 약 10-20%정도를 차지하도록 제작되므로, 이를 최소화하여 optimize하기 위해서는 기생저항에 대한 성분 분리와 이들이 가지는 저항값에 대한 정량적 계산이 이루어져야 한다. 이에 본 논문은 calibration된 TCAD simulation을 통해 90nm급 Tr. 에서 각 영역의 저항성분을 계산, 평가하는 방법을 제시한다. 이 결과, 특히, extension영역의 표면-accumulation부분이 가장 개선이 있어야 할 부분으로 분석되었으며, 이 저항은 gate하부에 존재하는 extension으로부터 발if되는 측면 doping의 tail영역으로 인해 형성되는 것으로,doping의 abruptness가 가장 중요한 factor인 것으로 판단된다.
최근 COVID-19(Coronavirus disease, 2019)의 발병으로 정확한 진단을 하기위한 X-ray 검사에 대한 수요가 증가하고 있다. 품질이 높은 수준의 Xray 영상을 얻기 위해서는 X-ray 튜브에 촬영 목적에 맞는 일정한 고전압을 제어를 통해 인가해야 한다. 그러기 위해서는 전력변환장치의 출력전압 특성을 고려하여 설계해야 한다. 따라서 Xray 발생장치에 주로 사용되는 Cockcroft-Walton Voltage Multiplier를 사용하여 다이오드의 기생커패시턴스 성분이 변압기의 누설 인덕턴스 성분, 회로의 기생 인덕턴스 성분과 공진현상을 일으켜 발생하는 출력전압의 특성 변화에 대한 시뮬레이션을 개발하고 분석 하였다.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
/
v.26
no.5
/
pp.483-491
/
2015
This paper describes the design optimization of parasitic elements used for TACAN broadband antenna. We deployed parasitic elements arranged in a circular array to electronically rotate the antenna instead of employing a mechanically rotated antenna to generate the composite radiation pattern of 15 Hz and 135 Hz including bearing information and to meet the harmonic contents specification of MIL-STD-291C. We performed the simulation for optimization of the parasitic elements and fabricated the antenna composed of 16 parasitic elements of 15 Hz and 63 parasitic elements of 135 Hz. With harmonics magnitude reduction by increasing the number of steps using vector composition of the reflectors, the measured result meets the specification of MIL-STD-291C.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
/
v.35D
no.10
/
pp.91-97
/
1998
The modulation performance of 10 Gbps electro-absorption InGaAsP/InGaAsP strain compensated MQW (Multiple Quantum Well) modulator module depends on the modulator as well as the package parasitics. The high frequency package parasitics resulting from various structural discontinuities, limit the modulation bandwidth and increase the chirp-parameter. Therefore, we propose the double bondwires embedded in dielectric materials to minimize the bondwire parasitics. Using the proposed structure with 50 $\Omega$ terminating resistor, the modulation bandwidth is greatly increased by 125 % than the bare chip and the chirp-parameter is also reduced. This technique can be used in optimizing the package of high speed external modulators.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.