Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.9
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pp.825-828
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2008
$Sr_xBa_{(1-x)}TiO_3$ red phosphors doped with Pr(0.13 mol%) and Al(O.23 mol%) were synthesized by solid state reaction method. Orthorhombic perovskite structure with increasing value of x in $Sr_xBa_{(1-x)}TiO_3$:Pr,Al phosphors changed to cubic perovskite structure. Emission bands at 615 nm and 492 nm in $Sr_{0.25}Ba_{0.75}TiO_3$:Pr,Al and $BaTiO_3$:Pr,Al phosphors were observed at room temperature. The main cause of green luminescence at 492 nm was explained by the change of the 4f5d band.
The effect of Zr content on the thermal stability of mechanically alloyed Al-8wt.% (Ti+Zr) alloys was investigated. As the Zr to Ti addition ratio increased the decrease of hardness due to the long time exposure at high temperature reduced so that the thermal stability of the alloy was improved. From the TEM work it was found that the coarsening of precipitates was responsible for the decrease of hardness and the coarsening of precipitates could be suppressed by the addition of Zr, XRD, SAD and EDS analyses confirmed that these precipitates were consisted of DO$\sub$22/, and DO$\sub$23/ type Al$_3$(Ti+Zr) ternary in termetallic compounds. Especially for the DO$\sub$23/ Al$_3$(Ti+Zr), the lattice parameter changed toward the smaller lattice mismatch between the precipitate and Al matrix as the Zr content increased. Therefore, it was considered that the improvement of thermal stability of Al-8wt.% (Ti+Zr) alloys was due to the formation of the ternary Al$_3$( Ti + Zr) intermetallic compounds.
Lee, Dong-Bok;Kim, Min-Jeong;Abro, M.A.;Yadav, P.;Shi, Y.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.107-107
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2016
TiCrAlSiN films were developed in order to improve the high-temperature oxidation resistance, corrosion resistance, and mechanical properties of conventional TiN films that are widely used as hard films to protect and increase the lifetime and performance of cutting tools or die molds. In this study, a nano-multilayered TiAlCrSiN film was deposited by cathodic arc plasma deposition. It displayed relatively good oxidation resistance at $700-900^{\circ}C$, owing to the formation protective oxides of $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$, and $SiO_2$, and semiprotective $TiO_2$. At $1000^{\circ}C$, the increased temperature led to the formation of the imperfect oxide scale that consisted primarily of the outer ($TiO_2$,$Al_2O_3$)-mixed scale and inner ($TiO_2$, $Al_2O_3$, $Cr_2O_3$)-mixed scale.
Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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v.5
no.1
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pp.49-59
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2001
Functionally gradient materials(FGMs) generally consist of different material components, such as ceramics and metals. Continuous changes in their composition, microstructure, porositys, and so on result in gradients in the properties of FGMs. In this study AlN/Al-$Al_3$Ti FGM cubes were fabricated by the powder metallurgical process, and the characteristics of the FGMs were investigated. Powders of Mg and Ti mixed with Al in different ratios or the stack of the mixed powders having a stepwisely controlled compositional gradient from one plane to another were formed in a steel mold. The more the composition of Mg and sintering temperature are increased, the more the amount of AlN is formed. AlN and $Al_3$Ti distributed with continuously gradient composition were detected by XRD analysis and also revealed in optical microstructures, and microhardness tests.
Sessile drop studies of molten Al on single crystal sapphire substrate were conducted to understand the wetting behavior and interfacial reaction at Al/Al2O3 interface. To investigate the wetting mechanism, the variation in contact angle was determined with time. The contact angle obtained in this study decreased exponentially with time. This result means that the driving force for wetting is the reduction in interfacial energy between liquid Al and sapphire caused by the interfacial reaction. The closer examination revealed that the reaction was the dissolution of sapphire by molten Al. Ti has been frequently used to improve wetting on ceramic materials. Therefore, the influence of Ti content on the wetting behaviour was investigated in this work. The equilibrium wetting angles of pure Al, Al-0.3 wt%Ti, and Al-1.0 wt%Ti at 100$0^{\circ}C$ were 63$^{\circ}$, 59$^{\circ}$, and 54$^{\circ}$respectively. The difference is considered as the result of the change in interfacial energy caused by the reaction between Ti and sapphire and the interfacial reaction formed the reaction products of varying stoichiometry (TiO, Ti2O3, TiO2 etc.).
Lee, Woo-Jae;Wan, Zhixin;Kim, Da Young;Jang, Kyung Su;Choi, Hyun-Jin;Choi, Woo-Chang;Kwon, Se Hun
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.50
no.1
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pp.35-41
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2017
$TiO_2$, $Al_2O_3$, and $TiO_2-Al_2O_3$ nanolaminated films were grown by atomic layer deposition (ALD) on the 316L stainless steel (SS316L) substrates at a temperature of $150^{\circ}C$. The growth kinetics of $ALD-TiO_2$ and $Al_2O_3$ thin films were systematically investigated in order to precisely control the thickness of each layers in the $TiO_2-Al_2O_3$ nanolaminated films using a high-resolution transmission electron microscopy. And, the exact deposition rates of $ALD-TiO_2$ on $Al_2O_3$ surface and $ALD-Al_2O_3$ on $TiO_2$ surface were revealed to be 0.0284 nm/cycle and 0.11 nm/cycle, respectively. At given growth conditions, the microstructures of $TiO_2$, $Al_2O_3$ and $TiO_2-Al_2O_3$ nanolaminated films were amorphous. The potentiodynamic polarization test revealed that the $TiO_2-Al_2O_3$ nanolaminated film coated SS316L had a best corrosion resistance, although all ALDcoated SS316L exhibited a clear improvement of the corrosion resistance compared with a bare SS316L.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.189-189
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2016
In this study, the Al-rich AlTiSiN thin films that consisted of TiN/AlSiN nano-multilayers were deposited on the steel substrate by magnetron sputtering, and their high-temperature oxidation behavior was investigated, which has not yet been adequately studied to date. Since the oxidation behavior of the films depends sensitively on the deposition method and deposition parameters which affect their crystallinity, composition, stoichiometry, thickness, surface roughness, grain size and orientation, the oxidation studies under various conditions are imperative. AlTiSiN nano-multilayer thin films were deposited on a tool steel substrate, and their oxidation behavior of was investigated between 600 and $1000^{\circ}C$ in air. Since the amount of Al which had a high affinity for oxygen was the largest in the film, an ${\alpha}-Al_2O_3-rich$ scale formed, which provided good oxidation resistance. The outer surface scale consisted of ${\alpha}-Al_2O_3$ incoporated with a small amount of Ti, Si, and Fe. Below this outer surface scale, a thin ($Al_2O_3$, $TiO_2$, $SiO_2$)-intermixed scale formed by the inwardly diffusing oxygen. The film oxidized slower than the $TiO_2-forming$ kinetics and TiN films, but faster than ${\alpha}-Al_2O_3-forming$ kinetics. During oxidation, oxygen from the atmosphere diffused inwardly toward the reaction front, whereas nitrogen and the substrate element of iron diffused outwardly to a certain extent.
The crystal structures and morphologies of precipitates in $L1_0$-ordered TiAl intermetallics containing nitrogen were investigated by transmission electron microscopy (TEM). Under aging at an approximate temperature of 1073 K after quenching from 1423 K, TiAl hardens appreciably due to the nitride precipitation. TEM observations revealed that needle-like precipitates, which lie only in one direction parallel to the [001] axis of the $L1_0$-TiAl matrix, appear in the matrix preferentially at the dislocations. Selected area electron diffraction (SAED) pattern analyses showed that the needle-shaped precipitate is perovskite-type $Ti_3AlN$ (P-phase). The orientation relationship between the P-phase and the $L1_0$-TiAl matrix was found to be $(001)_P//(001)_{TiAl}\;and\;[010]_P//[010]_{TiAl}$. By aging at higher temperatures or for longer periods at 1073 K, plate-like precipitates of $Ti_2AlN$ (H-phase) with a hexagonal structure formed on the {111} planes of the $L1_0$-TiAl matrix. The orientation relationship between the $Ti_2AlN$ and the $L1_0$-TiAl matrix is $(0001)_H//(111)_{TiAl}\;and\;_H//_{TiAl}$.
Direct syntheses of bulk $Ti_3Al$ via electro-discharge-sintering (EDS) of a stoichiometric elemental powder mixture were investigated. A capacitor bank of $450{\mu}F$ was charged with three input energies, 0.5, 1.0, and 1.5 kJ. The charged capacitor bank was then instantaneously discharged through 0.3 g of a Ti-25.0 at.%Al powder mixture for consolidation. Complete phase transformation occurred in less than $200{\mu}sec$ by the discharge and a bulk $Ti_3Al$ compact was obtained. Compared with consolidated samples fabricated by conventional methods such as high vacuum sintering and casting, the electro-discharge-sintered $Ti_3Al$ compact shows a very fine microstructure with a hardness value of 425 Hv. Electro-discharge-sintering under a $N_2$ atmosphere successfully modified the surface Ti oxide of the $Ti_3Al$ compact into Ti nitride, which concurred with the synthesis and consolidation of $Ti_3Al$. Complete conversion yielding a single phase $Ti_3Al$ is primarily dominated by the fast solid state diffusion reaction.
The newly developed ${\alpha}-case$ controlled mold material for Ti investment castings was suggested in this research. The $Al_2O_3$ mold containing interstitial $TiO_2$ and substitutional $Ti_3Al$ was manufactured by the reaction between $Al_2O_3$ and Ti. It is obvious that as the $TiO_2$ and $Ti_3Al$ content in the mold surface were increased, the depth of the interfacial reaction was significantly reduced. In addition, substitutional $Ti_5Si_3$ in the mold surface owing to the reaction between Ti and $SiO_2$ from the binder was effective for ${\alpha}-case$ reduction. Therefore, the ${\alpha}-case$ reduction was accomplished by the diffusion barrier effect of interstitial $TiO_2$, substitutional $Ti_3Al$ and $Ti_5Si_3$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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