An automatic measurement system of high value resistance standards($10M{\Omega}$ and $1G{\Omega}$) was developed. A system has been assembled with programmable do calibrators in two of the arms. An electrometer is used to measure the difference in currents flowing through the remaining two arms of the bridge consisting of unknown and standard resistors. Type A standard uncertainty was 2ppm in the $10M{\Omega}$, 1 ppm in the $1G{\Omega}$.
The main purpose of this paper is to introduce a new type of $q$-Euler numbers and polynomials with weak weight (${\alpha}$,${\omega}$): $\tilde{E}^{({\alpha},{\omega})}_{n,q}$ and $\tilde{E}^{({\alpha},{\omega})}_{n,q}(x)$, respectively. By using the fermionic $p$-adic $q$-integral on $\mathbb{Z}_p$, we can obtain some results and derive some recurrence identities for the $q$-Euler numbers and polynomials with weak weight (${\alpha}$,${\omega}$).
This paper shows that if $1<p<{\infty}$, ${\alpha}{\geq}-n-2$, ${\alpha}>-1-{\frac{p}{2}}$ and f is holomorphic on the unit ball ${\mathbb{B}}_n$, then $${\int_{{\mathbb{B}}_n}}{\mid}Rf(z){\mid}^p(1-{\mid}z{\mid}^2)^{p+{\alpha}}dv_{\alpha}(z)<{\infty}$$ if and only if $${\int_{{\mathbb{B}}_n}}{\int_{{\mathbb{B}}_n}}{\frac{{\mid}f(z)-F({\omega}){\mid}^p}{{\mid}1-(z,{\omega}){\mid}^{n+1+s+t-{\alpha}}}}(1-{\mid}{\omega}{\mid}^2)^s(1-{\mid}z{\mid}^2)^tdv(z)dv({\omega})<{\infty}$$ where s, t > -1 with $min(s,t)>{\alpha}$.
Let u be a function on a locally finite graph G = (V, E) and Ω be a bounded subset of V. Let 𝜀 > 0, p > 2 and 0 ≤ λ < λ1(Ω) be constants, where λ1(Ω) is the first eigenvalue of the discrete Laplacian, and h : V → ℝ be a function satisfying h ≥ 0 and $h{\not\equiv}0$. We consider a perturbed Yamabe equation, say $$\{\begin{array}{lll}-{\Delta}u-{\lambda}u={\mid}u{\mid}^{p-2}u+{\varepsilon}h,&&\text{ in }{\Omega},\\u=0,&&\text{ on }{\partial}{\Omega},\end{array}$$ where Ω and ∂Ω denote the interior and the boundary of Ω, respectively. Using variational methods, we prove that there exists some positive constant 𝜀0 > 0 such that for all 𝜀 ∈ (0, 𝜀0), the above equation has two distinct solutions. Moreover, we consider a more general nonlinear equation $$\{\begin{array}{lll}-{\Delta}u=f(u)+{\varepsilon}h,&&\text{ in }{\Omega},\\u=0,&&\text{ on }{\partial}{\Omega},\end{array}$$ and prove similar result for certain nonlinear term f(u).
Kim, C.K.;Yang, S.J.;Lee, J.H.;Cho, N.I.;Jung, K.H.;Kim, N.K.;Kim, E.D.;Kim, D.H.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.764-768
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2002
Characteristics of ohmic Co/Si/Co contacts to n-type 4H-SiC are investigated systematically. The ohmic contacts were formed by annealing Co/Si/Co sputtered sequentially. The annealings were performed at $800^{\circ}C$ using RTP in vacuum ambient and $Ar:H_2$(9:1) ambient, respectively. The specific contact resistivity$(\rho_c)$, sheet resistance$(R_s)$, contact resistance$(R_c)$, transfer length$(L_T)$ were calculated from resistance$(R_T)$ versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. While the resulting measurement values of sample annealed at vacuum ambient were $\rho_c=1.0{\tiimes}10^{-5}{\Omega}cm^2$, $R_c=20{\Omega}$ and $L_T$ = 6.0 those of sample annealed at $Ar:H_2$(9:1) ambient were $\rho_c=4.0{\tiimes}10^{-6}{\Omega}cm^2$, $R_c=4.0{\Omega}$ and $L_T$ = 2.0. The physical properties of contacts were examined using XRD and AES. The results showed that cobalt silicide was formed on SiC and Co was migrated into SiC.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.11
no.3
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pp.195-202
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1998
The LPCVD system of batch type for the massproduction of semiconductor fabrication has a problem of phosphorous concentration uniformity in the boat. In this paper we study an improvement of the uniformity for phosphorous concentration and sheet resistance. These property was improved by using the nitrogen process and modified long nozzle for gas injection tube in the doped polysilicon deposition system. The phosphorous concentration and its uniformity for polysilicon film are measured by XRF(X-ray Fluorescence) for the conventional process condition and nitrogen process. In conventional process condition, the phosphorous concentration, it uniformity and sheet resistance for polysilicon film are in the range of 3.8~5.4$\times$10\ulcorner atoms/㎤, 17.3% and 59~$\Omega$/ , respectively. For the case of nitrogen process the corresponding measurements exhibited between 4.3~5.3$\times$10\ulcorner atoms/㎤, 10.6% and 58~81$\Omega$/ . We find that in the nitrogen process the uniformity of phosphorous concentration improved compared with conventional process condition, however, the sheet resistance in the up zone of the boat increased about 12 $\Omega$/ . In modified long nozzle, the phosphorous concentration, its uniformity and sheet resistance for polysilicon films are in the range of 4.5~5.1$\times$10\ulcorner atoms/㎤, 5.3% and 60~65$\Omega$/ respectively. Annealing after $N_2$process gives the increment of grain size and the decrement of roughness. Modification of nozzle gives the increment of injection amount of PH$_3$. Both of these suggestion result in the stable phosphorous concentration and sheet resistance. The results obtained in this study are also applicable to process control of batch type system for memory device fabrication.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2002.11a
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pp.73-77
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2002
Characteristics of Cu/Si/Cu ohmic contacts to n-type 4H-SiC were investigated systematically. The ohmic contacts were formed by rf sputtering of multi layer Cu/Si/Cu sputtered sequentially. The annealings were peformed With 2-Step using RTP in vacuum ambient. The specific contact resistivity($\rho$c), sheet resistance(Rs), contact resistance(Rc), transfer length(L$_{T}$) were calculated from resistance(R$_{T}$) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. Best results were obtained for a sample annealed at vacuum as $\rho$c = 1.0x10$^{-6}$$\Omega$$\textrm{cm}^2$, Rc = 2$\Omega$ and L$_{T}$ = 1${\mu}{\textrm}{m}$. The physical properties of contacts were examined using XRO and AES. The results showed that copper silicide was formed on SiC and Cu was migrated into SiC.o SiC.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.13
no.4
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pp.6-11
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1976
The carbon (the iron) -beewax.polyethylene thermistors have been prepared by heating the well ground mixture of carbon (iron), beewax and polyethylene at 16$0^{\circ}C$ for one hour and by cooling it under pressure of 12kgw/cm2. The resistivity for the former (the latter) increased from 102$\Omega$.cm (104$\Omega$.cw) to 1010$\Omega$.cm(1010$\Omega$.cm) as temperature changed from 2$0^{\circ}C$ to 9$0^{\circ}C$. The resistivity, 102$\Omega$.cm at room temperature for the former, was lower by order Q( two than that for the papostor made by the earlier reporter. The reproducibility, which has been an important Problem for this type of thermistors to be industrialized, was improved by introducing pressure in cooling procedure for both carbon and iron thermistors.
We define the spherical non-commutative torus $L_{\omega}$/ as the crossed product obtained by an iteration of l crossed products by actions of, the first action on C( $S^{2n+l}$). Assume the fibres are isomorphic to the tensor product of a completely irrational non-commutative torus $A_{p}$ with a matrix algebra $M_{m}$ ( ) (m > 1). We prove that $L_{\omega}$/ $M_{p}$ (C) is not isomorphic to C(Prim( $L_{\omega}$/)) $A_{p}$$M_{mp}$ (C), and that the tensor product of $L_{\omega}$/ with a UHF-algebra $M_{p{\infty}}$ of type $p^{\infty}$ is isomorphic to C(Prim( $L_{\omega}$/)) $A_{p}$$M_{m}$ (C) $M_{p{\infty}}$ if and only if the set of prime factors of m is a subset of the set of prime factors of p. Furthermore, it is shown that the tensor product of $L_{\omega}$/, with the C*-algebra K(H) of compact operators on a separable Hilbert space H is not isomorphic to C(Prim( $L_{\omega}$/)) $A_{p}$$M_{m}$ (C) K(H) if Prim( $L_{\omega}$/) is homeomorphic to $L^{k}$ (n)$\times$$T^{l'}$ for k and l' non-negative integers (k > 1), where $L^{k}$ (n) is the lens space.$T^{l'}$ for k and l' non-negative integers (k > 1), where $L^{k}$ (n) is the lens space.e.
Sample frying oil was manufactured from simple mixing treatment of capsicum. butter flavor and silicone resin. the amount were 0.20, 0.15% ($\omega$/$\omega$) and 10 rpm in soybean oil, respectively. This frying oil was confirmed to improving of heat stability as well as removal effect of meat flavor. Frying oil obtained from treatment of capsicum and silicone resin was appeared, acid value and smoke point were 0.301, 232$\^{C}$, than its value in the non-treated soybean oil were 0.385. 220$\^{C}$, respectively, in the case of continuous frying at 185$\pm$2$\^{C}$. These effects were likely to according both anti-oxidation effect of capsicum and inhibition of free fatty acids and smoke production from anti-expansion of surface area in frying oil. Meat flavor and burnt flavor of oil in the frying oil and fried foods were weakened by treating of butter flavor(0.15%, $\omega$/$\omega$), this effect will be produced to new type\`s frying oil product.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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