Cu/Si/Cu Ohmic contacts to n-type 4H-SiC

n형 4H-SiC의 Cu/Si/Cu 오옴성 접합

Characteristics of Cu/Si/Cu ohmic contacts to n-type 4H-SiC were investigated systematically. The ohmic contacts were formed by rf sputtering of multi layer Cu/Si/Cu sputtered sequentially. The annealings were peformed With 2-Step using RTP in vacuum ambient. The specific contact resistivity($\rho$c), sheet resistance(Rs), contact resistance(Rc), transfer length(L$_{T}$) were calculated from resistance(R$_{T}$) versus contact spacing(d) measurements obtained from TLM(transmission line method) structure. Best results were obtained for a sample annealed at vacuum as $\rho$c = 1.0x10$^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$, Rc = 2$\Omega$ and L$_{T}$ = 1${\mu}{\textrm}{m}$. The physical properties of contacts were examined using XRO and AES. The results showed that copper silicide was formed on SiC and Cu was migrated into SiC.o SiC.

n형 SiC를 이용한 오옴성 접합을 알아보고자 Cu/Si/Cu 형태의 접합실험을 실시하였다. 오옴성 접합의 형성을 위하여 Cu/Si/Cu를 증착 하고 열처리를 시행하였다. 열처리는 RTP를 이용한 진공상태의 2-step 방법으로 시행하였다. 접합에 계산을 위하여 TLM구조로, 면 저항(Rs), 접촉저항(Rc), 이동거리(L$_{T}$), 패드간거리(d), 저항(R$_{T}$)값을 구하면 접합비 저항(Pc) 값을 알 수 있다. 이로 인한 결과 값은 접촉저항 값은 2$\Omega$이었고, 이동간 거리는 1$\mu\textrm{m}$이었으며 접합비저항($\rho$c)=1.0x$10^{-6}$ $\Omega$$\textrm{cm}^2$ 값을 얻을 수 있었다. 물리적 변화를 AES 및 XRD를 이용하여 알아보았다. SiC 계면 상에 Cu의 변화로 인한 silicide형성이 이루어짐을 알 수 있었다.있었다.