International journal of advanced smart convergence
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제12권4호
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pp.164-170
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2023
With the recent advances in AI (artificial intelligence) and HPC (high-performance computing) technologies, deep learning is proliferated in various domains of the 4th industrial revolution. As the workload volume of deep learning increasingly grows, analyzing the memory reference characteristics becomes important. In this article, we analyze the memory reference traces of deep learning workloads in comparison with traditional workloads specially focusing on read and write operations. Based on our analysis, we observe some unique characteristics of deep learning memory references that are quite different from traditional workloads. First, when comparing instruction and data references, instruction reference accounts for a little portion in deep learning workloads. Second, when comparing read and write, write reference accounts for a majority of memory references, which is also different from traditional workloads. Third, although write references are dominant, it exhibits low reference skewness compared to traditional workloads. Specifically, the skew factor of write references is small compared to traditional workloads. We expect that the analysis performed in this article will be helpful in efficiently designing memory management systems for deep learning workloads.
Contemporary embedded systems often use NAND flash memory instead of hard disks as their swap space of virtual memory. Since the read/write characteristics of NAND flash memory are very different from those of hard disks, an efficient page replacement algorithm is needed for this environment. Our analysis shows that temporal locality is dominant in virtual memory references but that is not the case for write references, when the read and write references are monitored separately. Based on this observation, we present a new page replacement algorithm that uses different strategies for read and write operations in predicting the re-reference likelihood of pages. For read operations, only temporal locality is used; but for write operations, both write frequency and temporal locality are used. The algorithm logically partitions the memory space into read and write areas to keep track of their reference patterns precisely, and then dynamically adjusts their size based on their reference patterns and I/O costs. Without requiring any external parameter to tune, the proposed algorithm outperforms CLOCK, CAR, and CFLRU by 20%-66%. It also supports optimized implementations for virtual memory systems.
International journal of advanced smart convergence
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제12권1호
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pp.70-75
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2023
With the recent proliferation of memory-intensive workloads such as deep learning, analyzing memory access characteristics for efficient memory management is becoming increasingly important. Since read and write operations in memory access have different characteristics, an efficient memory management policy should take into accountthe characteristics of thesetwo operationsseparately. Although some previous studies have considered the different characteristics of reads and writes, they require a modified hardware architecture supporting read bits and write bits. Unlike previous approaches, we propose a software-based management policy under the existing memory architecture for considering read/write characteristics. The proposed policy logically partitions memory space into the read/write area and the write area by making use of reference bits and dirty bits provided in modern paging systems. Simulation experiments with memory access traces show that our approach performs better than the CLOCK algorithm by 23% on average, and the effect is similar to the previous policy with hardware support.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권1호
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pp.23-30
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2016
We report a STT-MRAM write-scheme, in which the length of the write-pulse is determined dynamically by sensing the status of MTJ cells. The proposed scheme can reduce the power consumption by eliminating unnecessary writing current after the switching has occurred. We also propose a reference cell design, which is optimized for the use in write-circuits. The performance of the proposed circuit was verified by SPICE level simulations of the circuit implemented in a $0.13{\mu}m$ CMOS process.
최근 메모리 관리의 효율성을 높이기 위해 읽기 참조와 쓰기 참조의 기록을 별도로 활용하는 전략이 주목받고 있다. 이는 읽기/쓰기 시간이 비대칭적인 저장 매체의 출현과 읽기/쓰기 참조의 소프트웨어적 특성이 상이한 점을 반영하기 위해 필요한 전략이다. 한편, 기존의 연구들은 메모리 페이지에 읽기와 쓰기 중 어떤 참조가 발생했는지 운영체제가 구분할 수 있다는 가정을 하고 있으나, 대부분의 메모리 아키텍처는 이들을 구분할 수 있는 방안을 지원하지 않는다. 본 논문에서는 기존 연구와 달리 소프트웨어적인 방법으로 메모리 페이지에 발생하는 읽기 쓰기 참조의 특성을 반영하는 방법을 제안한다. 제안하는 방법은 참조 비트와 수정 비트를 이용해 각 페이지의 읽기 및 쓰기 기록을 추정하며, 시뮬레이션을 통해 하드웨어적인 지원이 있는 기존 연구와 거의 유사한 효과가 있음을 보인다.
최근 NAND 플래시메모리를 모바일시스템의 파일저장용 뿐 아니라 가상메모리의 스왑장치용으로 사용하려는 시도가 늘고 있다. 가상메모리의 페이지 참조는 시간지역성이 지배적이어서 LRU 및 이를 근사시킨 CLOCK 알고리즘이 널리 사용된다. 한편, NAND 플래시메모리는 읽기 연산에 비해 쓰기 연산의 비용이 높아 이를 고려한 페이지 교체 알고리즘이 필요하다. 본 논문에서는 가살메모리의 읽기/쓰기 참조 패턴을 독립적으로 분석하여 시간지역성이 강한 읽기 참조와 달리 쓰기 참조의 경우 시간지역성의 순위 역전 현상이 발생함을 발견하였다. 이에 근거하여 본 논문은 쓰기의 재참조 성향 예측을 위해 시간지역성뿐 아니라 쓰기 연산의 빈도를 함께 고려하는 페이지 교체 알고리즘을 제안한다. 새로운 알고리즘은 연산별 I/O 비용을 고려해서 메모리 공간을 읽기 연산과 쓰기 연산에 독립적으로 할당하고 참조 패턴의 변화에 적응해 할당 공간을 동적으로 변화시킨다. 알고리즘의 시간 오버헤드가 매우 적어 가상메모리 시스템에서 사용될 최적의 조건을 갖추고 있으며 파라미터 설정이 필요 없음에도 CLOCK, CAR, CFLRU 알고리즘에 비해 20-66% 정도의 I/O 성능을 향상시킴을 보였다.
본 논문에서는 향상된 히트율과 더 적은 낸드 플래시 메모리 쓰기 연산을 할당하는 디스크 버퍼 교체 정책을 소개한다. 플래시 메모리는 높은 집적도, 높은 신뢰성 및 비휘발성이라는 특징을 가지고 있어 최근 많은 곳에서 사용되고 있다. 하지만 삭제 이후 쓰기 연산 문제, 비대칭적인 연산 속도와 짧은 수명 등의 한계점도 가지고 있다. 이런 문제를 개선하기 위해 본 논문에서는 2WPR 정책을 소개한다. 2WPR 정책은 디스크 버퍼의 각 페이지마다 이후 재참조될 가능성, 각 지역성 및 쓰기 연산에 대한 가중치 분석을 통해 교체할 페이지를 선택한다. 제안된 새로운 정책은 기존 디스크 버퍼 관리 정책에 비해 히트율을 최대 10%까지 향상시킬 수 있으며 플래시 메모리에 대한 쓰기 연산을 최대 5%까지 감소시킬 수 있었다.
최근 모바일 앱의 수가 급증하면서 스마트폰의 메모리 크기 또한 크게 증가하고 있다. 메모리 매체인 DRAM은 모든 셀이 지속적인 전원재공급 연산을 수행해야 내용이 유지되는 휘발성 매체로 메모리 크기 증가 시 전력 소모도 그에 비례해 늘어난다. 최근 스마트폰의 메모리로 DRAM이 아닌 저전력의 비휘발성 메모리를 사용하여 배터리 소모를 줄이고자 하는 시도가 늘고 있다. 그러나, 비휘발성 메모리는 쓰기 연산에 취약성을 가지고 있어 이를 해결하기 위한 분석이 필요하다. 본 논문은 모바일 앱의 메모리 쓰기 참조 트레이스를 추출하고 그 특성을 다양한 각도에서 분석하였다. 본 논문의 연구 결과는 비휘발성 메모리가 메인 메모리로 채택되는 미래의 스마트폰 시스템에서 쓰기 효율성을 가진 메모리 관리 기법 설계에 널리 활용될 수 있을 것으로 기대된다.
본 논문은 전원전압 감지기와 소비전력이 적은 SRAM 쓰기 구동기에 대한 것이다. 전원전압 감지기는 전원전압이 기준전압보다 높을 때는 하이, 낮을 때는 로우를 발생한다. 쓰기 구동기는 쓰기 사이클에서 동작 전류를 줄이기 위해 가변 구동력을 가진 이중 크기 구조를 사용하였다. 전원전압 감지 결과에 따라 로우일 경우에는 두개의 구동기를 동작하게 하여 기존과 구동능력이 같고 하이일 경우에는 한개의 구동기만 동작하여 전류를 반으로 흘리도록 하여 저전력을 구현하였다. 0.6㎛ 3.3v/5v, CMOS 모델 파라메타를 가지고 모의 실험한 결과, 제안한 SRAM회로는 Vcc=3.3V에서 기존과 비교하여 전력소모를 22.6%, PDP(Power- delay-product)를 12.7% 감소한 결과를 보였다.
Write requests which stored in disk cache of the RAID5 controller should be destaged to disk arrays according to the destage algorithm. As the response performance of the parallel IO request is being hit by the effect of the destage, several destage algorithms have been studied to enhance the performance of he RAID5 controller. Among the destage algorithms, the load balancing destage algorithm has better performance than other destage algorithms when system load is highly increased. But the load balancing destage algorithm gives priority to load balance among the disks in disk arrays, therefore, when some disks are affected by the very heavy system load caused by small data requests, the load balancing destage algorithm cannot enhance the performance of parallel IO requests effectively since it makes effort to maintain the load balance without the benefit of the locality of the write requests. This paper proposes a new RAID5 controller that applied reference-load balancing destage algorithm which decides the destage priority based on the reference history and load distribution of the disks. The simulation results show that RAID5 controller with the reference-load balancing destage algorithm has better performance than previous load balancing destage algorithm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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