• 한국세라믹학회지
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• 제31권3호
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• pp.249-256
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• 1994

By surface structure and X-ray topographic observation, growth mechanism of NAB single crystal grown by TSSG technique using a BaB4O7 flux was studied. Surface structure of grown crystals were investigated by optical microscope. Growth history and crystal defects included within grown crystal were investigated using X-ray topography. The {001} faces were grown by 2-D nucleation growth. As decreasing cooling rate, growth mechanism of {111} and {11} was changed from 2-D nucleation growth to the growth by screw dislocation. Only surface striations developed parallel to a-axis were observed on {010} faces. Growth sector of NAB crystals were divided into {001}, {111}, {010}, {021}, {11}. The inclusion which was usually trapped between {001} faces was investigated.

• 한국광물학회지
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• 제18권4호통권46호
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• pp.237-248
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• 2005

[ $Mg_{2}SiO_{4}{-}$ ]스피넬에서 올리빈으로의 역상변이에 대한 고온 X-선 회절실험 결과, 진공상태에서 가열하였을 때 상변이가 일어나며, 일정한 온도에서 스피넬상으로부터 올리빈상이 시간이 경과하면서 성장하는 것으로 보아 상변이 메커니즘은 '핵생성 및 성장' 형태인 것으로 판단된다. 스피넬 상으로부터 올리빈 상으로 역상변이 할 때의 활성화 에너지를 구하기 위해 $Mg_{2}SiO_{4}{-}$스피넬 시료에 대한 상변이 실험을 진공 및 고온($1023\∼1116\;k$)에서 시행하였다. 올리빈 상에 대해 '주어진 시간에 따른 비분율법'을 이용하여 활성화 에너지 값을 결정하였다. 아브라미 방정식을 이용하여 계산한 결과, n값은 대체로 온도가 증가함에 따라 매우 넓은 영역에서 동반 상승하는데, 이러한 현상은 '핵생성 및 성장' 메커니즘이 아마도 온도에 종속적이지 않느냐 하는 것을 제시해주고 있다. 상대적으로 낮은 온도에서는 $Mg_{2}SiO_{4}{-}$스피넬은 핵이 생성된 자리가 포화된 후, 새로운 결정상이 표면에서 성장을 시작하고 시간이 지남에 따라 내부 쪽으로 옮아가는 것으로 판단된다. 그러나 고온에서, 성장은 핵이 생성된 자리가 포화되고 난 후 표면뿐만 아니라, 내부에서도 동시에 시작되는 것으로 보인다.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권2호
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• pp.94-98
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• 2005

[ $RuO_2$ ]는 DRAM과 FRAM소자에서 고유전 capacitors의 저전극물질로서 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 XRD, SEM, AFM 분석 등을 통하여 금속유기 화학 증착법(MOCVD)으로 $RuO_2$ 증착시 핵생성에 영향을 미치는 수소, 산소, 아르곤 ECR플라즈마 전처리 효과를 조사하였으며, 아르곤 ECR플라즈마 전처리의 경우 가장 높은 핵생성 밀도를 나타내었다. ECR 플라즈마 전처리를 통한 $RuO_2$의 핵생성 향상 메카니즘은 아르곤이나 수소 ECR 플라즈마는 TiN막 표면의 질소나 산소원자를 제거하고 따라서 TiN막 표면은 Ti-rich TiN으로 바뀌게 되는 것이다.

• 한국재료학회지
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• 제2권6호
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• pp.443-451
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• 1992

반응성 스팟터법에 의하여 형성된 TiN막 표면상에 CVD 텅스텐막을 증착할 때 여러가지 전처리 실시에 따른 텅스덴의 핵 생성 양상의 변화를 비교 조사하였다. 먼저 Ar rf 스팟터에칭 전처리는 에칭 두께가 200A 이상일 때에는 잠복기와 증착속도를 증가시킨다. Ar 이온주입 전처리는 잠복기를 증가시켜 텅스텐의 핵 생성에는 불리한 효과를 나타내는 반면, 증착속도는 증가시킨다. 또한 Si$H_4$flushing 전처리는 TiN막 표면에서의 Si의 흡착을 용이하게 함으로써 잠복기를 약간 감소시키는 효과를 나타낸다.

• 한국철도학회논문집
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• 제10권5호
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• pp.546-553
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• 2007

본 연구는 압입축에 프레팅이 발생할 경우 프레팅 마모에 의한 접촉형상의 변화가 접촉응력의 분포, 균열발생 위치에 미치는 영향을 분석하고자 하였다. 압입축의 프레팅 피로실험시 측정한 접촉면의 프로파일을 이용하여 유한요소 해석을 수행하고 피로 사이클별 마모형상 변화에 따른 접촉면의 응력 변화를 분석하였다. 접촉면의 응력 해석결과를 이용하여 프레팅 피로손상 파라미터와 다축 피로이론를 적용하여 마모에 따른 균열발생위치의 변화를 해석하고 실험과 비교, 분석하였다. 프레팅 마모에 의해 접촉 끝단의 응력집중은 초기에 급격하게 감소하며, 마모가 진행될수록 응력집중의 위치는 접촉끝단에서 안쪽으로 이동한다. 따라서 프레팅 마모에 의한 접촉응력의 변화가 균열발생 위치의 변차와 다중균열발생의 주요원인임을 명확히 하였다.

• 한국소성가공학회:학술대회논문집
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• 한국소성가공학회 1999년도 제3회 압연심포지엄 논문집 압연기술의 미래개척 (Exploitation of Future Rolling Technologies)
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• pp.373-382
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• 1999

Nucleation and growth process of sticking particle in ferritic stainless steels was investigated using a two disk type hot rolling simulator. The sticking behavior was strongly dependent on the surface roughness of a high speed steel roll(HSS) and the oxidation resistance of the ferritic stainless steels. A hot rolling condition with the lower oxidation resistance of the stainless steel and the higher surface roughness of HSS roll was more sensitive to sticking occurrence. It was also illucidated that the initial sticking particles were nucleated at the scratches formed on the roll surface and were served as the sticking growth sites. As rolling proceeded, the sticking particles grew sites. As rolling proceeded, the sticking particles grew by the process that the previous sticking particles provided the sticking growth sites.

• 한국자원리싸이클링학회:학술대회논문집
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• 한국자원리싸이클링학회 2003년도 추계정기총회 및 국제심포지엄
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• pp.185-189
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• 2003

The effect of surface roughness of the substrate on HF-CVD diamond coating was researched. The surface roughness was changed variously by electro-chemical etching conditions. The etching process acted to remove the metallic cobalt from the WC-Co. Diamond nucleation density was higher in etched the substrate. Therefore, the etching process was effective in both Co-removal and higher surface roughness, leading to the improving the diamond nucleation and deposition.

• 한국표면공학회지
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• 제21권2호
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• pp.76-82
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• 1988

The bright nickel electroplatings were carried out the Watt bath containg a solobel saccharin as class I brightner and para substituted benzaldehydes as class II one. Extended Huckel MO calculation was done and polarization was measured to examine between $\pi$-electron density and the brightness. The correlation is also investigated between $\pi$-electron density of oxygen atom of aldehyde group and slope of polarization curve. As a result of the analysis of rate equation of nucleation, the surface energy of the deposited particle was obtained from the slope of the plot of $\ell$nI against 1/η2, and also the reat equation of nucleation found to influnced on the leveling on the basis of adsorption theory. We have proposed the general electroplating mechanism that is applied other to all other electroplating but nickel one. The above elucidated mechanism can be extended can be extended to the all electroplating other than bright nickel electroplating.

• 한국표면공학회지
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• 제39권4호
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• pp.153-159
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• 2006

Nanodiamond films were deposited on Si substrate by introducing a time dependent on/off modulation of $CH_4\;and\;O_2$ flows in a vertical-type microwave plasma enhanced chemical vapor deposition system. Surface morphology and diamond quality of the film were investigated as a function of the on/off modulation time interval. The diamond nucleation density on the substrate was enhanced under low temperature and low pressure condition. In addition, the diamond nucleation density was enhanced by increasing the on/off modulation time interval. Enhanced diamond quality was noticeable under the condition of a longer on/off modulation time interval. It was suggested that the nanodiamond nuclei formed the cluster formation.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.537-541
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• 2004

Molecular dynamics simulation of nanolithography by AFM is conducted to study nucleation of various defects, and their subsequent development and interactions as well. During nanolithography via AFM, dislocation loops are emitted along the top surface, and resourceful defect interactions such as, formation of voids chain via the motion of a jog, and creations of extended nodes and Lomer-Cottrell Lock are observed.