• 전자공학회논문지D
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• 제35D권6호
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• pp.21-27
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• 1998

E-beam 장비로 ZnS:Mn/Zns:Tb 2층 구조의 TFEL 소자를 제작하여 전기, 광학적 특성을 조사하였다. ITO 투명전극과 ATO 절연체가 증착된 유리기판(corning 7059 glass) 위에 E-beam 장비를 이용하여 ZnS:Mn, ZnS:Tb 형광체를 각각 3000 A로 증착하여 총 두께 6000 Å 갖도록 제작하였다. ZnS:Mn/ZnS:Tb TFEL 소자의 스펙트럼은 Mn/sup 2+/ 이온과 Tb/sup 3+/ 이온의 고유한 발광 스펙트럼을 모두 포함하여 540㎚에서 640㎚에 이르는 매우 넓은 범위의 발광 스펙트럼을 나타내었다. 휘도는 인가전압의 크기가 112V에서부터 급격히 증가하여 155 V에서 포화 휘도 1025 Cd/㎡를 나타내었고 최대 전압 185 V에서의 휘도는 2080 Cd/㎡이었다. Capacitance-voltage(C-V) 및 transferred charge-phosphor voltage(Q/sub t/-V/sub p/) 특성으로부터 형광층 capacitance (C/sub p/)와 절연층 capacitance (C/sub i/)가 각각 13.5 nF/㎠, 60 nF/㎠됨을 알 수 있었고, 인가전압의 최대치를 155 V에서 185 V로 증가시킬수록 TFEL 소자의 문턱전압(V/sub thl/)이 126 V에서 93 V로 감소함을 알 수 있었다. 이것은 인가전압을 증가시킬수록 polarization charge가 증가되고 polarization charge에 의해 형성된 형광체 내부전압이 증가되었기에 문턱전압이 감소한 것이다. 또한 처음으로 문턱전압에 관한 수식을 제안하였으며 문턱전압의 이론치와 실험치가 일치하는 것을 확인하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2001년도 제14회 신호처리 합동 학술대회 논문집
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• pp.609-612
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• 2001

An adaptive sub-optimal method using a preset threshold for combining partial transmit sequence (PTS) of an orthogonal frequency division multiplexing (OFDM) signal is presented. The results show that adaptive sub-optimal method reduces the 0.1% PAP by 3.4dB, while iterative flipping method reduces it by 3dB and PTS reduce it by 4.1dB. The complexity of adaptive sub-optimal method is 2.4% of that of PTS method for M=8.

• Wind and Structures
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• 제1권1호
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• pp.25-42
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• 1998

Improvements to the Gumbel method of extreme value analysis of wind data made over the last two decades are reviewed and illustrated using sample data for Jersey. A new procedure for extending the Gumbel method to include M-th highest annual extremes is shown to be less effective than the standard method, but leads to a method for calibrating peak-over-threshold methods against the standard Gumbel approach. Peak-over-threshold methods that include at least the 3rd highest annual extremes, specifically the modified Jensen and Franck method and the "Method of independent storms" are shown to give the best estimates of extremes from observations.

• 대한전기학회논문지:시스템및제어부문D
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• 제53권4호
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• pp.258-264
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• 2004

This paper propose a method that GOP structure based on the picture complexity change realtime adaptive without pre-analysis or time delay. Proposed algorithm calculates the complexity of pictures at first, and the ratio of the complexity( X$\sub$p/ /X$\sub$i/) between P picture and I picture is calculated. The suitable M value for the three picture select by comparing with predetermined threshold. Used bit and vbv_delay the value of GOP is calculated according to selected M. Experimental results show that the prediction error is reduce than the fixed GOP structure. Since the complexity distribution of the sequence is different, applied limits of threshold value is changed, also.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권3호
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• pp.331-338
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• 2014

A charge-pump circuit using a current-bypass technique, which suppresses charge sharing and reduces the sub-threshold currents, helps to decrease phase-locked loop (PLL) jitter without resorting to a feedback amplifier. The PLL shows no stability issues and no power-up problems, which may occur when a feedback amplifier is used. The PLL is implemented in 0.11-${\mu}m$ CMOS technology to achieve 0.856-ps RMS and 8.75-ps peak-to-peak jitter, which is almost independent of ambient temperature while consuming 4 mW from a 1.2-V supply.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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• pp.275-278
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• 2002

MOSFET의 게이트 길이가 50nm이하로 작아지면 소자를 설계함에 있어 고려해야 하는 많은 문제점들이 존재하게 된다. 본 논문에서는 MOSFET 소자에 대한 문턱 전압 특성을 조사하였다. 소자에 대한 스케일링은 generalized scaling을 사용하였고 게이트 길이 100nm에서 30nm까지 시뮬레이션 하였다. 이때 나노 구조 MOSFET에 대한 스케일링의 한계를 볼 수 있었다. 문턱 전압을 구하는 방법으로는 선형 추출 방법을 사용하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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• pp.261-263
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• 2002

CMOS 소자들은 고속 동자 및 고집적을 위해 50nm이하로 작아지고 있다. 소자 scaling에서 중요한 것은 스케일 되지 않은 문턱 전압($V^{th}$ ), 고 전계, 기생 소스/드레인 저항과 임의의 dopant 분배에 의한 $V^{th}$ 변화율이다. 이런 일반적인 소자의 scaling down 문제들을 해결하기 위해 새로운 소자의 구조가 제안된다. 본 논문에서는 이런 문제들을 해결하기 위해 main-gate와 side-gates를 갖는 double-gate MOSFET에 대해 조사하였다.

• 접착 및 계면
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• 제22권3호
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• pp.91-97
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• 2021

본 연구는 Parylene C 유전체 표면에 유기 자기조립단분자막(self-assembled monolayer, SAM) 중간층을 도입함으로써 표면특성을 제어하고 최종적으로 유기전계효과 트랜지스터(organic field-effect transistors, OFETs)의 전기적 안정성을 향상시킨 결과를 제시하였다. 유기 중간층을 적용함으로써, Parylene C 게이트 유전체의 표면 에너지를 제어하였으며, OFET의 가장 중요한 성능변수인 전계효과 이동도(field-effect transistor, μ_FET)와 문턱 전압 (threshold voltage, V_th)의 성능향상과 구동 안정성을 증대시켰다. 단순히 Parylene C 유전체를 적용한 Bare OFET에서 μ_FET 값은 0.12 cm²V^-1s^-1가 측정되었으나, hexamethyldisilazane (HMDS)과 octadecyltrichlorosilane (ODTS)를 중간층으로 적용된 소자에서는 각각 0.32과 0.34 cm²V^-1s^-1로 μ_FET가 증가하였다. 또한 1000번의 transfer 특성의 반복측정을 통해 ODTS 처리한 OFET의 μ_FET와 V_th의 변화가 가장 작게 나타남을 확인하였다. 이 연구를 통해 유기 SAM 중간층, 특히 ODTS는 효과적으로 Parylene C 표면을 알킬 사슬로 덮어 극성도를 낮춤과 함께 전하 트래핑을 감소시켜 소자의 전기적 구동 안정성을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.

• Applied Microscopy
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• 제50권
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• pp.27.1-27.6
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• 2020

Transition metal dichalcogenides (TMD), which is composed of a transition metal atom and chalcogen ion atoms, usually form vacancies based on the knock-on threshold of each atom. In particular, when electron beam is irradiated on a monolayer TMD such as MoS₂ and WS₂, S vacancies are formed preferentially, and they are aligned linearly to constitute line defects. And then, a hole is formed at the point where the successively formed line defects collide, and metal clusters are also formed at the edge of the hole. This study reports a process in which the line defects formed in a monolayer WS₂ sheet expends into holes. Here, the process in which the W cluster, which always occurs at the edge of the formed hole, goes through a uniform intermediate phase is explained based on the line defects and the formation behavior of the hole. Further investigation confirms the atomic structure of the intermediate phase using annular dark field scanning transition electron microscopy (ADF-STEM) and image simulation.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제11권1호
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• pp.40-50
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• 2011

A two-dimensional (2D) analytical model for the potential distribution and threshold voltage of short-channel ion-implanted GaAs MESFETs operating in the sub-threshold regime has been presented. A double-integrable Gaussian-like function has been assumed as the doping distribution profile in the vertical direction of the channel. The Schottky gate has been assumed to be semi-transparent through which optical radiation is coupled into the device. The 2D potential distribution in the channel of the short-channel device has been obtained by solving the 2D Poisson's equation by using suitable boundary conditions. The effects of excess carrier generation due to the incident optical radiation in channel region have been included in the Poisson's equation to study the optical effects on the device. The potential function has been utilized to model the threshold voltage of the device under dark and illuminated conditions. The proposed model has been verified by comparing the theoretically predicted results with simulated data obtained by using the commercially available $ATLAS^{TM}$ 2D device simulator.