Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2002.05a
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- Pages.261-263
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- 2002
Analysis of Electrical Characteristics for Double Gate MOSFET
Double Gate MOSFET의 전기적 특성 분석
Abstract
CMOS devices have scaled down to sub-50nm gate to achieve high performance and high integration density. Key challenges with the device scaling are non-scalable threshold voltage(
CMOS 소자들은 고속 동자 및 고집적을 위해 50nm이하로 작아지고 있다. 소자 scaling에서 중요한 것은 스케일 되지 않은 문턱 전압(