Screen printing is commonly used to form the front/back electrodes in silicon solar cell. But it has caused high resistance and low aspect ratio, resulting in decreased conversion efficiency in solar cell. Recently the plating method has been combined with screen-printed c-Si solar cell to reduce the resistance and improve the aspect ratio. In this paper, we investigated the effect of light induced silver plating with screen-printed c-Si solar cells and compared their electrical properties. All wafers were textured, doped, and coated with anti-reflection layer. The metallization process was carried out with screen-printing, followed by co-fired. Then we performed light induced Ag plating by changing the plating time in the range of 20 sec~5min with/without external light. For comparison, we measured the light I-V characteristics and electrode width by optical microscope. During plating, silver ions fill the porous structure established in rapid silver particle sintering during co-firing step, which results in resistance decrease and efficiency improvement. The plating rate was increased in presence of light lamp, resulting in widening the electrode with and reducing the short-circuit current by shadowing loss. With the optimized plating condition, the conversion efficiency of solar cells was increased by 0.4% due to decreased series resistance. Finally we obtained the short-circuit current of 8.66 A, open-circuit voltage of 0.632 V, fill factor of 78.2%, and efficiency of 17.8% on a silicon solar cell.
Recently, multi-hole electrode RF capacitively coupled plasma discharge is being used in the deposition of microcrystalline silicon for thin film solar cell to increase the speed of deposition. To make efficient multi-hole electrode RF capacitively coupled plasma discharge, the hole diameter is to be designed concerning the plasma parameters. In past studies, the relationship between plasma parameters such as pressures and gas species, and hole diameter for efficient plasma density enhancement is experimentally shown. In the presentation, the relationship between plasma deriving frequency and hole diameter for efficient multi-hole electrode RF capacitively coupled plasma discharge is shown. In usual capacitively coupled plasma discharge, plasma parameter, such as plasma density, plasma impedence and plasma temperature, change as frequency increases. Because of the change, the optimum hole diameter of the multi-hole electrode RF capacitively coupled plasma for high density plasma is thought to be modified when the plasma deriving frequency changes. To see the frequency effect on the multi-hole RF capacitively coupled plasma is discharged and one of its electrode is changed from a plane electrode to a variety of multi-hole electrodes with different hole diameters. The discharge is derived by RF power source with various frequency and the plasma parameter is measured with RF compensated single Langmuir probe. The shrinkage of the hole diameter for efficient discharge is observed as the plasma deriving frequency increases.
Kim, Kyung Ho;Koo, Jun-Mo;Ryu, Sung-Soo;Yoon, Sang Hun;Han, Yoon Soo
한국표면공학회지
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제49권6호
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pp.507-512
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2016
Expensive silver powder is used to form electrodes in most IT equipment, and recently, many attempts have been made to lower manufacturing costs by developing powders with Ag-Ni or Ag-Cu core-shell structures. This study examined the sintering behavior of Ag-Ni electrode powder with a core-shell structure for silicon solar cell with high energy efficiency. The electrode powder was found to have a surface similar to pure Ag powder, and cross-sectional analysis revealed that Ag was uniformly coated on Ni powder. Each electrode was formed by sintering in the range of $500^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$, and the specimen sintered at $600^{\circ}C$ had the lowest sheet resistance of $5.5m{\Omega}/{\Box}$, which is about two times greater than that of pure Ag. The microstructures of electrodes formed at varying sintering temperatures were examined to determine why sheet resistance showed a minimum value at $600^{\circ}C$. The electrode formed at $600^{\circ}C$ had the best Ag connectivity, and thus provided a better path for the flow of electrons.
Composite material of the graphene ball (GB) inserted graphene oxide (GO) sheet for a supercapacitor electrode was studied. Chemical vapor deposition (CVD) process used to make GBs on the silicon oxide nanoparticles. The GBs mixed into the GO sheets to make GOGB and reduced it to create a reduced GOGB(RGOGB) composite. The RGOGB composite electrode had a large surface area and improved electrochemical properties. Specific capacitance of the RGBGO composite electrode was higher over 20 times than a pure GO and GOGB electrode in cyclic voltammetry(CV) tests, and the Z' and Z" impedance measured by an electrochemical impedance spectrometry(EIS) also low. So, the RGBGO composite electrode would use effectively to expand a performance of supercapacitor.
본 연구에서는 고성능 리튬이온전지용 음극 소재로써 2차원 구조의 티타늄 카바이드(MXene)와 나노 실리콘의 정전기적 결합을 통한 MXene/Si 음극 복합소재를 제조하였다. LiF/HCl을 이용하여 Ti3AlC2 MAX를 에칭해 Ti3C2Tx MXene을 제조하였으며, 정전기적 결합을 형성하기 위해 나노 실리콘의 표면을 CTAB (Cetyltrimethylammonium bromide)을 활용하여 양전하로 대전하였다. MXene/Si 음극 복합소재는 제조된 MXene과 대전 된 실리콘의 간단한 혼합 공정을 통해 성공적으로 제조되었다. 제조된 복합소재의 물리적 특성과 전기화학적 특성을 MXene과 실리콘의 조성비에 따라 조사하였으며, 전극의 안정성을 평가하기 위해 충·방전 사이클 후의 전극 표면을 분석하였다. MXene/Si 복합소재는 MXene 대비 실리콘 조성 비율이 2, 3 및 4로 증가할수록 1962.9, 2395.2 및 2504.3 mAh/g의 높은 초기 방전용량을 나타내었다. MXene과 실리콘 조성비가 1 : 4인 MXene/Si-4는 100 사이클에서 1387.5 mAh/g의 가역 용량과 74.5%의 용량 유지율을 나타내었으며, 4.0 C의 높은 율속에서도 700.5 mAh/g으로 높은 용량을 발현하였다. 이러한 결과를 통해 정전기적 결합으로 제조된 MXene/Si 복합소재는 고성능 리튬이온배터리용 음극소재로 적용 될 수 있다.
The back contact solar cell (BCSC) has several advantages compared to the conventional solar cell since it can reduce grid shadowing loss and contact resistance between the electrode and the silicon substrate. This paper presents the effect of the surface texturing of the silicon BCSC by varying the texturing depth or the texturing gap in the commercially available simulation software, ATHENA and ATLAS of the company SILVACO. The texturing depth was varied from $5{\mu}m$ to $150{\mu}m$ and the texturing gap was varied from $1{\mu}m$ to $100{\mu}m$ in the simulation. The resulting efficiency of the silicon BCSC was evaluated depending on the texturing condition. The quantum efficiency and the I-V curve of the designed silicon BCSC was also obtained for the analysis since they are closely related with the solar cell efficiency. Other parameters of the simulated silicon BCSC are as follows. The substrate was an n-type silicon, which was doped with phosphorous at $6{\times}10^{15}cm^{-3}$, and its thickness was $180{\mu}m$, a typical thickness of commercial solar cell substrate thickness. The back surface field (BSF) was $1{\times}10^{20}\;cm^{-3}$ and the doping concentration of a boron doped emitter was $8.5{\times}10^{19}\;cm^{-3}$. The pitch of the silicon BCSC was $1250{\mu}m$ and the anti-reflection coating (ARC) SiN thickness was $0.079{\mu}m$. It was assumed that the texturing was anisotropic etching of crystalline silicon, resulting in texturing angle of 54.7 degrees. The best efficiency was 25.6264% when texturing depth was $50{\mu}m$ with zero texturing gap in case of low texturing depth (< $100{\mu}m$).
Silicon-carbon composite was prepared by the magnesiothermic reduction of mesoporous silica and subsequent impregnation with a carbon precursor. This was applied for use as an anode material for high-performance lithium-ion batteries. Well-ordered mesoporous silica(SBA-15) was employed as a starting material for the mesoporous silicon, and sucrose was used as a carbon source. It was found that complete removal of by-products ($Mg_2Si$ and $Mg_2SiO_4$) formed by side reactions of silica and magnesium during the magnesiothermic reduction, was a crucial factor for successful formation of mesoporous silicon. Successful formation of the silicon-carbon composite was well confirmed by appropriate characterization tools (e.g., $N_2$ adsorption-desorption, small-angle X-ray scattering, X-ray diffraction, and thermogravimetric analyses). A lithium-ion battery was fabricated using the prepared silicon-carbon composite as the anode, and lithium foil as the counter-electrode. Electrochemical analysis revealed that the silicon-carbon composite showed better cycling stability than graphite, when used as the anode in the lithium-ion battery. This improvement could be due to the fact that carbon efficiently suppressed the change in volume of the silicon material caused by the charge-discharge cycle. This indicates that silicon-carbon composite, prepared via the magnesiothermic reduction and impregnation methods, could be an efficient anode material for lithium ion batteries.
The traditional silicon heterojunction solar cells consist of intrinsic amorphous silicon to prevent recombination of the silicon surface and doped amorphous silicon to transport the photo-generated electrons and holes to the electrode. Back contact solar cells with silicon heterojunction exhibit very high open-circuit voltages, but the complexity of the process due to form the emitter and base at the backside must be addressed. In order to solve this problem, the structure, manufacturing method, and new materials enabling the carrier selective contact (CSC) solar cell capable of achieving high efficiency without using a complicated structure have recently been actively developed. CSC solar cells minimize carrier recombination on metal contacts and effectively transfer charge. The CSC structure allows very low levels of recombination current (eg, Jo < 9fA/cm2), thereby achieves high open-circuit voltage and high efficiency. This paper summarizes the core technology of CSC solar cell, which has been spotlighted as the next generation technology, and is aiming to speed up the research and development in this field.
Kim, Byung Gon;Shin, Weon Ho;Lim, Soo Yeon;Kong, Byung Seon;Choi, Jang Wook
Journal of Electrochemical Science and Technology
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제3권3호
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pp.116-122
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2012
As an effort to address the chronic capacity fading of Si anodes and thus achieve their robust cycling performance, herein, we develop a unique electrode in which silicon nanoparticles are embedded in the carbon nanotubes network. Utilizing robust contacts between silicon nanoparticles and carbon nanotubes, the composite electrodes exhibit excellent electrochemical performance : 95.5% capacity retention after 140 cycles as well as rate capability such that at the C-rate increase from 0.1C to 1C to 10C, the specific capacities of 850, 698, and 312 mAh/g are obtained, respectively. The present investigation suggests a useful design principle for silicon as well as other high capacity alloying electrodes that undergo large volume expansions during battery operations.
Laser scribing of silicon plays an important role in metallization including the grid pattern and the front surface geometry which means aspect ratio of metal contacts. To make a front metal electrode of buried contact solar cell, we used ND:YAG lasers that deliver average 3-4W at TEM$\_$00/ mode power to sample stage. The Q-switched Nd:YAG laser of 1.064 gm wavelength was used for silicon scribing with 20-40.mu.m width and 20-200.mu.m depth capabilities. After silicon slag etching, the groove width and depth for buried contact solar cell are -20.mu.m and 30-50.mu.m respectively. Using MEL 40 Nd:YAG laser system, we can scribe the silicon surface with 18-23.mu.m width and 20-200.mu.m depth controlled by krypton arc lamp power, scan speed, pulse frequency and beam focusing. We fabricated a buried contact Silicon Solar Cell which had an energy conversion efficiency of 18.8 %. In this case, the groove width and depth are 20.mu.m and 50.mu.m respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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