$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구
(Improvement of Breakdown Voltage Characteristics in 4H-SiC Schottky Barrier Diode by $B^+$ Ion Implantation)
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- 한국재료학회:학술대회논문집
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- 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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- pp.28-28
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- 1998