• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제17권4호
• /
• pp.483-491
• /
• 2017

The interdigitated germanium (Ge) meta-lsemiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) with and without an $SiO_2$ anti-reflection (AR) layer was fabricated, and the effect of $SiO_2$ AR layer on their optoelectronic response properties were investigated in detail. The lowest reflectance of 15.6% at the wavelength of 1550 nm was obtained with a $SiO_2$ AR layer with a thickness of 260 nm, which was in a good agreement with theoretically calculated film thickness for minimizing the reflection of Ge surface. The Ge MSM PD with 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer exhibited enhanced device performance with the maximum values of responsivity of 0.65 A/W, the quantum efficiency of 52.2%, and the detectivity of $2.49{\times}10^9cm\;Hz^{0.5}W^{-1}$ under the light illumination with a wavelength of 1550 nm. Moreover, time-dependent switching analysis of Ge MSM PD with 260 nm- thick $SiO_2$ AR layer showed highest on/off ratio with excellent stability and reproducibility. All this investigation implies that 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer, which is effective in the reduction in the reflection of Ge surface, has a great potential for Ge based optoelectronic devices.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.297-303
• /
• 2003

rf magnetron sputtering법을 이용하여 Mn-Ni-Co계 써미스터 박막을 증착하였다. $300^{\circ}C$ 및 $Ar/O_2$ = 10/0에서, cubic spinel 상형성이 이루어졌으며 공정가스에 산소 첨가 시, cubic spinel 상은 열처리를 통해서도 형성되지 않았다. 써미스터 박막은 Mn, Ni, Co 성분 외 다른 이종 성분은 포함되어 있지 않았다. 써미스터 박막에 대한 적외선 반사 특성을 분석으로 증착된 박막은 일정 각도로 입사되는 적외선에 대해 비교적 높은 반사율을 가짐을 관찰할 수 있었다. DI water : $HNO_3$: HCI=60 : 30 : 10 vo1%에서 써미스터 박막의 식각 속도는 약 63 nm/min였다. 박막 써미스터의 B상수는 약 3500 K였으며 TCR은 약 -3.95%/K였다 전압감도는 약 108.5 V/W였으며 NEP와 specific detectivity는 각각 $5.1\times 10^{-7}$ W/$Hz^{-1/2}$ $0.2\times 10^6$cm $Hz^{1/2}$/W였다.

• 센서학회지
• /
• 제20권3호
• /
• pp.156-161
• /
• 2011

We fabricated a schottky barrier metal oxide semiconductor field effect transistor(SB-MOSFET) by applying indium-tin-oxide(ITO) to the source/drain on a highly resistive GaN layer grown on a silicon substrate. The MOSFET, with 10 ${\mu}M$ gate length and 100 ${\mu}M$ gate width, exhibits a threshold gate voltage of 2.7 V, and has a sub-threshold slope of 240 mV/dec taken from the $I_{DS}-V_{GS}$ characteristics at a low drain voltage of 0.05 V. The maximum drain current is 18 mA/mm and the maximum transconductance is 6 mS/mm at $V_{DS}$=3 V. We observed that the spectral photo-response characterization exhibits that the cutoff wavelength was 365 nm, and the UV/visible rejection ratio was about 130 at $V_{DS}$ = 5 V. The MOSFET-type UV detector using ITO, has a high UV photo-responsivity and so is highly applicable to the UV image sensors.

• 비파괴검사학회지
• /
• 제33권4호
• /
• pp.342-348
• /
• 2013

본 논문에서는 비접촉 비파괴검사에 사용되는 적외선열화상카메라의 응답 및 노이즈 특성을 평가할 수 있는 방법을 제시하고 있으며 차동모드흑체의 적외선 표적과 그 주변의 온도차 ${\Delta}$T를 이용하여 상용 적외선열화상카메라의 신호전달함수 및 온도분해능을 구하고 그 결과를 카메라 사양과 비교함으로써 본 평가 방법의 적합성을 검증하였다. 또한 비균일성 보정의 적용 유무로부터 나타나는 온도분해능의 차이 0.01 K을 통하여 적외선열화상카메라의 성능평가에 있어서 비균일성 보정이 필수적인 과정임을 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제25권7호
• /
• pp.791-794
• /
• 2014

본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 285 GHz에서 2,270 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 $38pW/Hz^{1/2}$의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였으며, 250~305 GHz의 범위에서 NEP< ${\sim}200pW/Hz^{1/2}$를 보였다. 측정용 패드와 밸룬(Balun)을 포함한 제작된 칩의 크기는 $400{\mu}m{\times}450{\mu}m$이며, 측정용 요소들을 제외한 주요 칩의 크기는 $150{\mu}m{\times}100{\mu}m$이다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
• /
• 제18권5호
• /
• pp.261-264
• /
• 2017

$Ni_{0.79}Co_{0.15-x}Cu_xMn_{2.06}O_4$ ($0{\leq}x{\leq}0.09$) thick films were fabricated using the conventional solid-state reaction method and screen-printing method. Structural and electrical properties of specimens based on the amount of Cu were observed in order to investigate their applicability in the infrared detector. All specimens showed a single spinel phase with a homogeneous cubic structure. As the amount of Cu increased, the average grain size increased and was found to be approximately $5.01{\mu}m$ for the $Ni_{0.79}Co_{0.06}Cu_{0.09}Mn_{2.06}O_4$ specimen. The thickness of all specimens was approximately $55{\sim}56{\mu}m$. As Cu content increased, the resistivity and TCR properties at room temperature decreased, and these values for the $Ni_{0.79}Co_{0.06}Cu_{0.09}Mn_{2.06}O_4$ specimen were $502{\Omega}-cm$ and $-3.32%/^{\circ}C$, respectively. The responsivity and noise properties decreased with an increase in Cu content, with the specimen with a Cu content of x=0.09 showing 0.0183 V/W and $5.21{\times}10^{-5}V$, respectively.

• 센서학회지
• /
• 제3권3호
• /
• pp.16-21
• /
• 1994

표준 CMOS공정으로 제작되며 게이트 콘트롤을 가지는 3단자형의 pin type 수광센서를 제안하고 이를 CMOS회로와 집적하여 제작하였다. $100{\mu}m{\times}120{\mu}m$ 크기로 제작된 수광센서의 암전류(Dark current)는 -5V에서 1nA이하, 정전용랑은 0.75pF, 항복전압(Breakdown voltage)은 -l4V이상의 특성을 보였다. 응답도는 $0.805{\mu}m$의 파장에서 0.19A/W(양자효율 30%), $0.633{\mu}m$에서는 0.25A/W(양자효율 50%)였으며 게이트에 전압을 가하면 응답도가 증가하였다. 이 수광센서를 CMOS 디지탈 인버터와 집적했을때 $22k{\Omega}$의 전달이득(Transimpedance)을 가지며 $90{\mu}A$의 광전류로 별도의 증폭단없이 인버터를 스위칭시켰다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제17권4호
• /
• pp.215-221
• /
• 2016

본 연구의 목적은 어린이집을 이용하는 영유아의 어머니 및 교사에 대한 애착과 교사의 반응성과의 관계를 검증하는 것이다. 본 연구는 D시 어린이집에 재원중인 12개월에서 36개월 사이의 영유아 64명과 어머니, 그리고 영유아를 담당하는 교사들이다. 연구도구로 애착 Q-set검사와 교사의 반응성도구를 사용하였으며, 수집된 자료는 SPSS 18.0 프로그램을 이용하여 조사도구의 신뢰도를 위해 Cronbach's ${\alpha}$와 연구문제를 위해 Pearson 적률상관계수를 구하였다. 본 연구의 결과는 첫째, 교사의 일관성, 온정성, 민감성은 영유아의 교사에 대한 안정된 애착과 유의미한 상관이 있었다. 둘째, 교사의 온정적인 태도와 민감한 반응은 영유아의 어머니에 대한 안정된 애착과 유의미한 상관이 있었다. 본 연구의 결과는 영유아를 담당하는 보육교사의 민감하고 반응적인 특성이 영유아의 교사에 대한 애착뿐 아니라 어머니에 대한 애착 형성에도 매우 중요한 변인임을 말해주었다. 본 연구의 결과는 영유아를 담당하는 교사가 애정적인 신체접촉과 함께 긍정적인 정서로 일관되고 민감하게 영유아에게 상호작용하는 반응성이 얼마나 중요한지 검증함과 동시에, 이러한 교사의 특성이 영아-교사간의 관계에 대한 영향을 넘어 영아-부모간의 관계에도 영향을 미칠 수 있는 중요한 요인이 된다는 것을 밝혀주었다.

• 한국광학회지
• /
• 제15권5호
• /
• pp.443-448
• /
• 2004

국제단위계 중의 하나인 칸델라 눈금을 두 개의 광도계를 사용하여 실현하였다. 광도계의 분광감응도는 광출력을 전기출력으로 치환하여 측정하는 극저온 절대복사계에 소급하여 측정하였다. 광도계 외부에 설치된 정밀 개구는 다이아몬드 회전가공기로 가공하였으며 그 면적은 불확도 0.05%(k = 1) 이내로 측정하였다. 이 광도계를 사용하여 광도 벤치 위에서 1 kW FEL 전구로 칸델라 단위를 실현할 때 불확도를 분광감응도, 감응도의 공간 균일도, 개구 면적, FEL 전구의 색온도와 위치 재현성을 고려하여 평가한 결과 0.25%(k = 1)를 얻었다. 실현한 눈금의 유효성을 확인하기 위하여 미국 NIST의 눈금과 비교한 결과 0.1% 이내에서 일치하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제43권5호
• /
• pp.25-33
• /
• 2006

전달 행렬 방법과 capacitance-voltage 특성, 그리고 측정된 광응답 스펙트럼을 이용하여 Schottky 다이오드 UV-A와 B 광검출기에 사용되는 GaN, $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$ 등의 반도체 및 Schottky 접촉 금속 Ni의 물질특성인 흡수계수(absorption coefficient)를 추출하였다. 입사된 빛이 반도체의 공핍영역에서 흡수되는 양을 구하고, 이로부터 각 파장에서의 광응답 특성을 얻는 과정을 컴퓨터 프로그램으로 구현하였다. 그리고, 계산 값을 측정치와 비교하여 각 파장에서 GaN, $Al_{0.2}Ga_{0.8}N$, Ni의 흡수계수를 얻을 수 있었다. 추출된 흡수계수를 이용하여 자외선 광검출기의 광응답을 높이는 설계 방안을 모색하였다. Ni의 흡수계수가 크기 때문에 광응답을 결정하는 주요 요소는 Ni 전극의 두께이다. 따라서 Schottky 접촉 금속 Ni의 두께를 줄이고, 공핍 영역의 크기를 늘릴 수 있다면 광응답 특성이 더욱 향상된 광검출기의 실현이 가능해질 것이다.