• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.558-569
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• 2017

본 논문에서는 MCU 내장형 1.5V 단일전원 256Kb EEPROM IP는 배터리 응용을 위해 설계되었다. 기존의 body-potential 바이어싱 회로를 사용하는 cross-coupled VPP (Boosted Voltage) 전하펌프회로는 erase와 program 모드에서 빠져나올 때 5V cross-coupled PMOS 소자에 8.53V의 고전압이 걸리면서 junction breakdown이나 gate oxide breakdown에 의해 소자가 파괴될 수 있다. 그래서 본 논문에서는 cross-coupled 전하펌프회로의 출력 노드는 VDD로 프리차징시키는 동시에 펌핑 노드들을 각 펌핑 단의 입력전압으로 프리차징하므로 5V PMOS 소자에 5.5V 이상의 고전압이 걸리지 않도록 하므로 breakdown이 일어나는 것을 방지하였다. 한편 256Kb을 erase하거나 program하는 시간을 줄이기 위해 all erase, even program, odd program과 all program 모드를 지원하고 있다. 또한 cell disturb 테스트 시간을 줄이기 위해 cell disturb 테스트 모드를 이용하여 256Kb EEPROM 셀의 disturb를 한꺼번에 인가하므로 disturb 테스트 시간을 줄였다. 마지막으로 이 논문에서는 erase-verify-read 모드에서 40ns의 cycle 시간을 만족하기 위해 CG disable 시간이 빠른 CG 구동회로는 새롭게 제안되었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제8권8호
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• pp.1227-1234
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• 2013

1.2 더블 폴리 부유게이트 트랜지스터로 구성된 아날로그 메모리가 CMOS 표준공정에서 제작되었다. 효율적인 프로그래밍을 위해 일반적인 아날로그 메모리에서 사용되었던 불필요한 초기 소거 동작을 제거하였으며 프로그래밍과 읽기의 경로를 동일하게 가져감으로서 읽기 동작 시에 발생하는 증폭기의 DC 오프셋 문제를 근본적으로 제거하였다. 어레이의 구성에서 특정 셀을 주변의 다른 셀들로부터 격리시키는 패스 트랜지스터 대신에 Vmid라는 별도의 전압을 사용하였다. 실험 결과 아날로그 메모리가 디지털 메모리의 6비트에 해당하는 정밀도를 보였으며 프로그래밍 시에 선택되지 않은 주변의 셀들에 간섭 효과가 없는 것으로 확인되었다. 마지막으로, 아날로그 어레이를 구성하는 셀은 특이한 모양의 인젝터 구조를 가지고 있으며, 이것은 아날로그 메모리가 특별한 공정 없이도 트랜지스터의 breakdown 전압 아래에서 프로그래밍 되도록 하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.226-231
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• 2014

Thin thermistor films of solutions with nickel and manganese oxides were prepared by metal-organic decomposition (MOD). The structural properties of the thin films were investigated as a function of annealing temperature. Field emission scanning electron microscope (FE-SEM) results indicated that the thin films had a thin thickness, smooth and dense surface. The crystallization temperature of $414.9^{\circ}C$ was confirmed from thermogavimetric-differential thermal analysis (TG-DTA) curve. A single phase of cubic spinel structure was obtained for the thin film annealed from $700^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$, which was confirmed from the X-ray diffraction (XRD). From the selected area electron diffraction (SAED) in high resolution transmission electron microscope (HRTEM), the nano grains (2~3 nm) of spinel phase with (311) and (222) planes were detected for the thin film annealed at $500^{\circ}C$, which could be applicable to read-out integrated circuit (ROIC) substrate of the uncooled microbolometer with low processing temperature.

• 한국항행학회논문지
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• 제21권6호
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• pp.651-658
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• 2017

방사선이 존재하는 환경에서 무색, 무미, 무촉의 방사선을 검출하기 위한 계측장비는 매우 중요하며 그동안 방사선 계측장비의 개발에 대한 많은 연구들이 있었다. 특히 방사선을 검출한 이후 측정된 검출신호를 손실 없이 효율적으로 처리하기 위해 검출된 미세전류를 전압형태로 정형하고, 이를 정확하게 판독하는 신호처리 부분은 매우 중요하다. 검출된 방사선 신호파형을 판독할 때, 지금까지는 신호의 전압파형을 짧은 시간 동안 일정한 값으로 유지시켜 파형의 크기를 판독한 후, 그 전기적인 값을 방전하고 다음 파형에 대비하는 피크홀드방식을 사용하였다. 이 연구에서는 방사선 검출기에서 측정된 검출신호 전압파형의 판독을 피크홀드방식이 아닌, 전압신호의 파고 정점에 이르는 시간을 포착하여 그 값을 직접 판독하는 방식을 제안한다. 이 방식에 의하면 전압 파고를 일정한 시간동안 유지하거나, 유지된 전압 파고를 초기상태로 만드는 복잡한 과정을 거치지 않고 검출된 방사선 신호를 정확하게 판독할 수 있다는 장점을 가지며, 실제 시뮬레이션을 통하여 이를 검증하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제17권1호
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• pp.141-146
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• 2017

In this letter, we propose the use of tunneling field effect transistors (TFET) as a biosensor that detects bio-molecules on the gate oxide. In TFET sensors, the charges of target molecules accumulated at the surface of the gate oxide bend the energy band of p-i-n structure and thus tunneling current varies with the band bending. Sensing parameters of TFET sensors such as threshold voltage ($V_t$) shift and on-current ($I_D$) change are extracted as a function of the charge variation. As a result, it is found that the performances of TFET sensors can surpass those of conventional FET (cFET) based sensors in terms of sensitivity. Furthermore, it is verified that the simultaneous sensing of two different target molecules in a TFET sensor can be performed by using the ambipolar behavior of TFET sensors. Consequently, it is revealed that two different molecules can be sensed simultaneously in a read-out circuit since the multi-sensing is carried out at equivalent current level by the ambipolar behavior.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권12호
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• pp.8-14
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• 2008

본 논문에서는 $8{\times}8$ CNT 센서 어레이를 CMOS 공정 후 처리를 통하여 센서회로가 제작된 CMOS 칩에 집적시켜 측정장비 없이도 자체적으로 감지결과를 출력할 수 있는 센서 칩의 기본적인 플랫폼을 설계 제작한 결과를 보고한다. 센서 소자로는 알루미늄 패드 사이에 연결된 CNT network을 사용하였으며 생화학적 반응에 의하여 전기전도도가 변화하는 것을 감지한다. 표준 CMOS 공정의 감지회로는 CNT network의 저항 값 변동에 의해 ring oscillator의 주파수가 변동하는 것을 감지하는 방식을 사용한다. 제작된 CMOS 센서 칩을 활용하여 이를 대표적인 생화학물질인 glutamate을 검출하는데 실험적으로 적용하여 농도에 따른 출력결과 값을 얻는데 성공한다. 본 연구를 통하여 본 센서 칩 플랫폼을 이용한 상용화의 가능성을 확인하며, 추가적으로 개발이 필요한 기술에 대해 파악한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.407-410
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• 2012

최근, 무선 네트워크의 서비스가 널리 사용됨에 따라, 무선 네트워크 모듈의 개발 기술 및 그 활용도가 점차 확대되고 있으며, 그에 따라서 IT 융합 산업들이 많이 나타나고 있는 추세이다. 본 연구는 자동차 정보를 가져오기 위해 OBD-II 통신을 이용하고, 외부 서버로 데이터를 전송하여 다른 외부 장치에서도 고속 주행 중인 차량의 상태 정보를 확인 할 수 있는 시스템을 개발하였다. 차량 내부의 각종 센서들로부터 OBD-II 커넥터를 이용하여 정보를 읽고 사용자가 보기 쉽게 변환한 뒤, 무선 네트워크 모듈을 이용하여 외부 서버로 전송을 하는 고속 차량 상태 확인 시스템을 구현하였다. 개발한 시스템의 성능 테스트를 위하여 실제 써킷에서 고속 주행 중인 경주용 차량을 이용했다. 고속 주행 중인 차량에서 발생된 데이터는 OBD-II 스캐너를 통하여 전송되었으며, 고속 차량 상태 확인 시스템은 이 데이터가 정상적으로 수신 되는 것을 확인하였다. 수신된 데이터는 무선 네트워크를 이용하여 외부 서버로 전송을 하였을 때 똑같은 데이터가 에러 없이 송 수신되는 것을 확인하였다. 향후 이런 기술은 새로운 자동차 IT 융합의 새로운 연구 분야로써 성장하게 될 것이다.

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권10호
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• pp.30-37
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• 1998

1.2㎛ 더블 폴리 부유게이트 트랜지스터로 구성된 아날로그 메모리가 CMOS 표준공정에서 제작되었다. 효율적인 프로그래밍을 위해 일반적인 아날로그 메모리에서 사용되었던 불필요한 초기 소거 동작을 제거하였으며 프로그래밍과 읽기의 경로를 동일하게 가져감으로서 읽기 동작 시에 발생하는 증폭기의 DC offset 문제를 근본적으로 제거하였다. 어레이의 구성에서 특정 셀을 주변의 다른 셀들로부터 격리시키는 패스 트랜지스터 대신에 Vmid라는 별도의 전압을 사용하였다. 실험 결과 아날로그 메모리가 디지털 메모리의 6비트에 해당하는 정밀도를 보였으며 프로그래밍 시에 선택되지 않은 주변의 셀들에 간섭 효과가 없는 것으로 확인되었다. 마지막으로, 아날로그 어레이를 구성하는 셀은 특이한 모양의 인젝터 구조를 가지고 있으며, 이것은 아날로그 메모리가 특별한 공정 없이도 트랜지스터의 breakdown 전압 아래에서 프로그래밍 되도록 하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제30권5호
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• pp.348-355
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• 2019

UHF 및 초고주파 대역의 RFID 시스템은 13.56 MHz 대역 RFID에 비해 RFID 리더 전방 수 m 반경 안에 위치한 복수 개의 태그 정보를 역산란 방식으로 읽을 수 있어 유통 물류 등 다양한 분야에 응용되고 있다. 하지만 반경이 넓으면서 특정한 위치에 있는 태그만을 인식하는 응용분야에서는 태그의 위치 센싱이 어려워 적용에 어려움이 있다. 이에 본 연구에서는 기존 RFID 리더에서 주파수의 조정만으로 태그의 위치 정보를 센싱하도록 함으로써 특정 거리의 태그만을 인식할 수 있는 RFID 시스템을 새롭게 제안한다. 제안된 시스템의 가능성을 검증하기 위하여 PLL을 이용하여 주파수를 가변하는 RFID 리더와 부하변조방식으로 역산란하는 태그를 2.4GHz 대역에서 구현하고 주파수 가변을 통해 태그의 위치를 센싱 할 수 있는 시스템을 실험적으로 검증하였다. 검증 결과, 주파수 조정으로 태그의 위치를 센싱할 수 있음을 확인하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권3호
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• pp.327-332
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• 2023

전통적인 실리콘 기반 반도체 소자 보다 높은 성능과 다양한 활용성으로 차세대 반도체 후보로 높은 관심 받고 있는 CNTFET은 CNT 배치와 같은 CNTFET만의 고유한 공정 편차가 아직 성숙되지 않아 상용화에 어려움을 겪고 있다. 이러한 어려움을 극복하고자 반복적인 회로 구성으로 공정 편차의 영향을 적게 받는 회로를 MOSFET-CNTFET 기반 하이브리드 회로로 구현하여 CNTFET 의 장점을 취하고 단점을 보완하고자 하는 수많은 연구들이 지속적으로 수행되어 왔다. 본 논문에서는 하이브리드 SRAM의 성능이 기존의 MOSFET SRAM 또는 CNTFET SRAM에 존재하는 반도체 공정 변화에 의해 얼마나 변화될 수 있는지를 비교하였다. 시뮬레이션 결과, CNT 밀도를 32nm 당 7개에서 9개 사이로 유지할 수 있다면, hybrid SRAM은 기존 MOSFET SRAM보다 읽기 동작에서 그리고 쓰기 동작에서 공정 편차에 대한 강건성이 각각 약 2.6배 그리고 약 1.1배 있음을 보여준다.