We numerically demonstrate that the inherent spiking behavior in the quasi-continuous-wave (QCW) operation of an Nd:YAG laser can be suppressed by adopting bias pumping. After spiking suppression, the output QCW pulses from a bias-pumped Nd:YAG laser are very stable, and they can maintain nearly the same temporal shape as that of pump pulse under different pump repetition rates and peak powers. Our study implies that bias pumping is an alternative method of spiking suppression in solid-state lasers, and the application areas of an Nd:YAG laser may be extended by bias pumping.
Even if ion pumps are widely and mostly used in ultra-high vacuum (UHV) conditions, virtually every existing ion pump has its maximum pumping speed around 1E-6 mbar (1E-4 Pa). Discharge intensity in the ion pump Penning cell is defined as the current divided by pressure (I/P). This quantity reflects the rate of cathode bombardment by ions, which underlies all of the various pumping mechanisms that occur in ion pumps (chemisorption on sputtered material, ion burial, etc.), and therefore is an indication of pumping speed. A study has been performed to evaluate the influence of magnetic fields and cell dimensions on the ion pump discharge intensity and consequently on the pumping speed at different pressures. As a result, a combination of parameters has been developed in order to design and build an ion pump with the pumping speed peak shifted towards lower pressures. Experimental results with several different test set-ups are presented and a prototype of a new 200 l/s ion pump with the maximum pumping speed in the 1E-8 mbar (1E-6 Pa) is described. A model of the system has also been developed to provide a framework for understanding the experimental observations.
본 논문에서는 저전압 DRAM용 VPP Generator의 전하펌프회로(Charge Pump Circuit)를 새롭게 제안하였다. 제안된 전하펌프회로는 2-Stage 크로스 커플 전하펌프회로(Cross-Coupled Charge Pump Circuit)이다. 4개의 비중첩 클럭신호들을 이용하여 전하전달 효율을 향상시켰고, 각 전하펌프단 마다 Oscillation 주기를 줄일 목적으로 Distributed Clock Driver인 Inverter 4개를 추가하여 펌핑전류(Pumping Current)를 증가시켰다. 그리고 전하전달 트랜지스터의 게이트단에 프리차지회로 (Precharge Circuit)를 두어 대기모드진입 시 펌핑된 전하를 방전하지 못하고 고전압을 유지하여 소자의 신뢰성을 떨어트리는 문제를 해결하였다. 모의실험결과 펌핑전류, 펌핑효율(Pumping Efficiency), 파워효율(Power Efficiency) 모두 향상된 것을 확인하였고, $0.18{\mu}m$ Triple-Well 공정을 이용하여 Layout 하였다.
This paper deals with the design and fabrication of a novel superconducting power supply system, and characteristics have been analyzed through experiments. Superconducting power supply consists of rotating and static parts, and superconducting magnet. In this experiment, the current-pumping characteristics have been analyzed with superconducting sheets placed in parallel within the static part of the machine. In addition, in order to observe the 3-dimensional flux distribution in the superconducting sheet, several hall-sensors were placed in it. With the flux distribution acquired, the effect of the flux on the superconducting sheet during the process of current pumping have been analyzed. Also, general operational characteristics of the superconducting power supply system have been investigated on the basis of the current and voltage data and magnetic field values acquired through the experiments. In this experiment, maximum pumping current has been achieved to about 1280 amps.
Many superconductor applications such as MRI and SMES must be operated in persistent current mode to eliminate the electrical ohmic loss. This paper presents the characteristic analysis of the high temperature superconducting (HTS) power supply made of YBCO coated conductor (CC). In this research, we have manufactured the HTS power supply to charge the 0.73 mH HTS double-pancake magnet made of YBCO CC. Among the all design parameters, the heater triggerring time and magnet applying time were the most important factors for the best performance of the HTS power supply. In this paper, three-dimensional simulation through finite element method (FEM) was used to study the heat transfer in YBCO CC and the magnetic field of the magnetic circuit. Based upon these results, the final operational sequence could be determined to generate the pumping current. In the experiment, the maximum pumping current reached about 16 A.
This paper proposes a harmonics reducing circuit for fluorescent lamp inverters using hybrid type smoothing circuit with pumping and smoothing capacitors. A waveform of full-wave rectification used as a direct current power supply at fluorescent lamp inverters contains a lot of harmonic wave from inrush current which is generated near the maximum of input voltage with purse shape when voltage smoothing capacitor is charged. Therefore, in order to suppress inrush current which will result in harmonic wave. this paper proposes a method to control abrupt charging current by use of charging voltage at pumping capacitor. The suppression of harmonics generation at lamp current is confirmed through simulations.
A superconducting current generator, or a superconducting rectifier(SCR) is used as a current source to energize a superconducting magnets in SMES, MRI. We selected a full-wave SCR among various SCR models and analyzed its operational characteristics by computer simulation. In process of pumping the current, the improvement of performance is dependent on how much bigger the open resistance of the switch is in comparison to load coil impedance when one of two switches become active. Faster transfer can he seen in resistive commutation mode by shortening the time elapsed for the resistance to arrive at certain level from zero state. Although recovery time for the switch has no direct effect on current pumping, optimal switch design is needed to increasing operational frequency.
해안지역에서는 해수와 담수의 밀도차, 조석에 의한 해수면변화등과 같은 자연적 요인과 양수, 하구에서의 골재채취, 대규모 간척사업등의 인위적 요인에 의해서 해수가 육지부로 침투되는 현상이 발생한다. 본 연구에서는 양수가 지하수의 염분농도변화에 미치는 영향을 분석하였다. 모의결과, $200m^3/day$이상 양수시에는 지하수위의 저하보다는 횡방향흐름이 가속화 됨에 따라 밀도차에 의한 흐름과 횡방향흐름 유속이 합쳐져서 해수의 급격한 유입으로 TDS농도가 증가하는 것으로 나타났다. 결론적으로 기 관측된 점자료를 이용하여 3차원 공간분포상에서 양수에 따른 염분농도의 변화를 가시적으로 확인 할 수 있으며, 이를 통하여 해안지역에서 해수침투로 인한 재해를 막고 지하수를 보다 안전하게 이용하기위한 적정양수량을 제안할 수 있을 것으로 기대된다.
The Si-SiO$_2$interface trap and nitride bulk trap distribution of SONOSFET(polysilicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor field effect transistor) NVSM (nonvolatile semiconductor memory) cell is investigated by single junction charge pumping method. The device was fabricated by 0.35㎛ standard logic fabrication process including the ONO stack dielectrics. The thickness of ONO dielectricis are 24$\AA$ for tunnel oxide, 74 $\AA$ for nitride and 25 $\AA$ for blocking oxide, respectively. By the use of single junction charge pumping method, the lateral profiles of both interface and memory traps can be calculated directly from experimental charge pumping results without complex numerical simulation. The interface traps were almost uniformly distributed over the whole channel region and its maximum value was 7.97$\times$10$\^$10/㎠. The memory traps were uniformly distributed in the nitride layer and its maximum value was 1.04$\times$10$\^$19/㎤. The degradation characteristics of SONOSFET with write/erase cycling also were investigated.
This paper presents a design of a charge pumping circuit for LCD Driver IC. The charge pumping circuit consists of a control block, a VCIOUT generating block, a DDVDH generating block, a VGH/VGL generating block, and VCL generating block. It generates various higher and lower voltage than supply voltage using external control input. Simulation results show that voltages of DDVDH, VGH, VGL, and VCL satisfy the target voltage, and the output DDVDH drives the output current 7mA.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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