• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제8권1호
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• pp.34-52
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• 2004

Over the past decade the experimental technique of THz time domain spectroscopy (㎔- TDS) has proved to be a versatile method for investigating a wide range of phenomena in the ㎔ or far infrared spectral region from 100 ㎓ to 5 ㎔. This paper reviews some recent results of the Ultrafast ㎔ Research Group at Oklahoma State University using ㎔-TDS as a characterization tool. The experimental technique is described along with recent results on ㎔ beam propagation and how ㎔ beam profiles arise from propagation of pulse fronts along caustics. To illustrate how spatio-temporal electric field measurements can determine material properties over a wide spectral range, propagation of ㎔ pulses through systems exhibiting frustrated total internal reflection (FTIR) are reviewed. Finally two potential metrology applications of ㎔-TDS are discussed, thin film characterization and non-destructive evaluation of ceramics. Although ㎔-TDS has been confined to the research laboratory, the focus on application may stimulate the adoption of ㎔- TDS for industrial or metrology applications.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1455-1456
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• 2007

This paper presents the experimental results on impulse breakdown characteristics under a highly non-uniform electric field in $SF_{6}/N_{2}$ gas mixtures according to a change in temperature. Test temperature ranges from $-25^{\circ}C$ to $25^{\circ}C$. The impulse predischarge breakdown developments are investigated by the measurements of current pulse and discharge luminous events. As a result, the predischarge development mechanisms for both positive and negative polarities are same. When increasing the temperature, breakdown voltage due to lightning impulse voltage is increased in negative polarity. On the other hand, when increasing the temperature, breakdown voltage due to lightning impulse voltage is not changed in positive polarity.

• International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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• 제6권4호
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• pp.49-54
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• 2005

In this paper, micro structuring technique using localized electrochemical deposition (LECD) with ultra short pulses was investigated. Electric field in electrochemical cell was localized near the tool tip end region by applying pulses of a few hundreds of nano second duration, Pt-Ir tip was used as a counter electrode and copper was deposited on the copper substrate in mixed electrolyte of 0.5 M $CuSO_4$ and 0.5 M $H_2SO_4$, The effectiveness of this technique was verified by comparison with ECD using DC voltage. The deposition characteristics such as size, shape, surface, and structural density according to applied voltage and pulse duration were investigated. The proper condition was selected based on the results of the various experiments. Micro columns less than $10{\mu}m$ in diameter were fabricated using this technique. The real 3D micro structures such as micro spring and micro pattern were made by the presented method.

• 전력전자학회논문지
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• 제27권2호
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• pp.118-125
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• 2022

With the aim to maximize the use of a given voltage source in the field of railway and electric vehicles, this study applies a technique for controlling the overmodulation region between the linear and the six-step regions. High linearity overmodulation techniques that do not use look-up table (LUT) to digital signal processor (DSP) using carrier based pulse width modulation (PWM) are proposed. Such technique requires the phase of the voltage vector at the point where the circular trajectory of the voltage command vector and hexagonal cross each other. Therefore, a method is proposed to obtain a phase of a voltage vector that is derived through an equation and applied to a carrier-based PWM. Validity of the proposed implementation method is confirmed through simulation and experiment.

• 비파괴검사학회지
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• 제30권4호
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• pp.317-323
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• 2010

원자력발전소 배관 용접부에 대한 수동 초음파검사는 KPD(Korean Performance Demonstration)의 일반 절차서를 사용하여 기량 검증을 인정받고 있으나, 자동 초음파검사의 경우에는 일반 절차서가 없으며 해당 자동 검사 장비를 이용하여 절차서 기량 검증을 받아야 한다. 현재까지 국내에서 수행되고 있는 자동 초음파검사에 대한 절차서 기량검증은 대부분 펄스-반사기법을 적용한 절차서이나, 최근에 각광받고 있는 위상배열 초음파검사 기법을 이용한 절차서 기량검증은 국내에서 시행된 사례가 전무하다. 본 연구에서는 원자력발전소 가동중검사에 위상배열 초음파검사 기법을 적용하기 위하여 위상배열 초음파 신호취득 및 평가 소프트웨어를 개발하고 위상배열 초음파 탐촉자 및 웨지를 설계 하였다. 개발된 절차서에 대하여 결함 검출, 길이 및 크기 측정에 대한 기량검증을 수행하였으며, 검증된 위상배열 초음파탐상검사 절차서는 향후 원자력발전소 배관 용접부 검사에 적용할 예정이다.

• 대한환경공학회지
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• 제29권5호
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• pp.556-563
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• 2007

고전압 방전극이 기체상에 위치하고 접지 전극이 수중에 설치된 기체-액체 혼합 방전에 의한 화학적 활성종의 발생 특성에 관해 실험실 규모 실험을 수행하였다. 실험된 전극 구조는 기존의 연구에서 사용해왔던 일반적 전극 배열에서보다 높은 전계 강도(electric field strength)를 형성하고 짧은 폭을 지닌 펄스들을 생성시킴으로써 방전에 의해서 일어나는 화학반응의 에너지 효율성을 높일 수 있는 것으로 나타났다. 방전에 의해 기체상에 생성되는 오존 농도는 실험된 전압 범위의 중간 값인 45 kV 조건에서 가장 높은 것으로 관찰되었다. 용액 전도도가 낮을수록 액체상을 통한 전기 저항이 증가하여 기체상에서 높은 전계 강도가 형성되므로 오존 생성을 촉진시키는 것으로 나타났다. 인가전압이 증가할수록 높은 전계 강도가 형성되어 강한 방전이 이루어지므로 과산화수소 생성속도가 증가하는 것으로 나타났다. 낮은 전압에서는 용액 전도도가 증가하면 과산화수소 분해속도가 증가하기 때문에 과산화수소 생성 속도가 감소하며 높은 전압에서는 용액 전도도가 증가하면 자외선 조사 등에 의해 과산화수소 발생의 중간 생성물인 OH 라디칼의 발생이 촉진되므로 과산화수소 생성 속도가 증가하는 것으로 나타났다. 산소와 아르곤의 혼합기체가 공급될 때, 강하고 안정한 방전이 이루어져 과산화수소 생성속도가 증가하는 것으로 나타났다.

• 한국진공학회지
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• 제11권4호
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• pp.230-234
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• 2002

고온 급속 열처리를 행한 $LiNbO_3Si$/(100) 구조를 가지고 여러 가지 전극을 사용하여 금속/강유전체/반도체 커패시터를 제작하였으며, 제작한 커패시터의 비휘발성 메모리 응용 가능성을 확인하였다. MFS 커패시터의 C-V 특성 곡선에서는 LiNbO$_3$박막의 강유전성으로 인한 히스테리시스 특성이 관측되었으며, 1 MHz C-V 특성 곡선의 축적 영역에서 산출한 비유전율은 약 25 이었다. Pt 전극을 사용하여 제작한 커패시터에서는 인가 전계 500 kV/cm 범위에서 $1\times10^{-8}$ A/cm 이하의 우수한 누설전류 특성이 나타났다. midgap 부근에서의 계면 준위 밀도는 약 $10^{11}\textrm{cm}^2$.eV 이었으며, 잔류분극 값은 약 1.2 $\muC/\textrm{cm}^2$ 였다. Pt 전극과 A1 전극 모두 500 kHz 주파수의 바이폴러 펄스를 인가하면서 측정한 피로 특성에서 $10^{10}$ cycle 까지 측정된 잔류 분극 값이 초기 값과 같았다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 추계총회 및 학술대회 논문집
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• pp.16-16
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• 2012

Mg and its alloys have been of great interest because of their low density of 1.7, 30% lighter than Al, but their wide applications have been limited because of their poor resistances against corrosion and/or abrasion. Corrosion resistance of Mg alloys can be improved by formation of anodic films using anodic oxidation method in aqueous electrolytes. Plasma electrolytic oxidation (PEO) is one of anodic oxidation methods by which hard anodic films can be formed as a result of micro-arc generation under high electric field. PEO method utilize not only substrate elements but also chemical components in electrolytes to form anodic films on Mg alloys. PEO films formed on AM50 magnesium alloy in an acidic fluozirconate electrolyte were observed to consist of mainly $ZrO_2$ and $MgF_2$. Liu et al reported that PEO coating on AM30 Mg alloy consists of $MgF_2$-rich outer porous layer and an MgO-rich dense inner layer. PEO films prepared on ACM522 Mg die-casting alloy in an aqueous phosphate solution were also reported to be composed of monoclinic $Mg_3(PO_4)_2$. $CeO_2$-incorporated PEO coatings were also reported to be formed on AZ31 Mg alloys in $CeO_2$ particle-containing $Na_2SiO_3$-based electrolytes. Magnesium tin hydroxide ($MgSn(OH)_6$) was also produced on AZ91D alloy by PEO process in stannate-containing electrolyte. Effects of $OH^-$, $F^-$, $PO{_4}^{3-}$ and $SiO{_3}^{2-}$ ions and alloying elements of Al and Sn on the formation of PEO films on pure Mg and Mg alloys and their protective properties against corrosion have been investigated in this work. $PO{_4}^{3-}$, $F^-$ and $SiO{_3}^{2-}$ ions were observed to contribute to the formation of PEO films but $OH^-$ ions were found to break down the surface films under high electric field. The effect of pulse current on the formation of PEO films will be also reported.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제10권6호
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• pp.1186-1190
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• 2009

본 논문에서는 균일한 전계내의 대전입자의 운동특성에 대하여 연구하였다. 패널을 제작하기 위하여 양전하를 띠는 검은색 대전입자(토너)와 음전하를 띠는 노란색 대전입자(토너)를 사용하였으며, 패널구동을 위하여 오버슈트 현상이 없는 power supply로 구형펄스를 인가하였다. 또한 RT-200을 이용하여 광학특성(대조비, 시야각)을 측정하였으며, 레이저와 포토다이오드를 사용하여 응답속도를 측정하였다. 그리고 응답속도와 대조비를 통하여 대전입자의 m/q 분포를 확인하였다. 그 결과, 대전입자의 구동전압, 대조비, 응답속도는 m/g에 의해 결정되며, 패널내부에 주입된 대전입자의 m/q 분포가 동일할수록 구동특성이 향상되었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권6호
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• pp.9-12
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• 2003

The electrical properties of stabilized amorphous selenium typical of the material used in direct conversion x-ray imaging devices are reported. Carrier mobility was measured using time-of-flight (TOF) measurements to investigate the transport properties of holes and electrons in stabilized a-Se film. A laser beam with pulse duration of 5 ns and wavelength of 350nm was illuminated on the surface of a-Se with thickness of 400 $\mu\textrm{m}$. The photo induced signals of a-Se film as a function of time were measured. The measured transit times of hole and electron were about 8.73${\mu}\textrm{s}$ and 229.17${\mu}\textrm{s}$, respectively. The hole and electron drift mobilities decreases with increase of electric field up to 4V/$\mu\textrm{m}$. Above 4V/$\mu\textrm{m}$, the measured drift mobilities exhibited no observable dependence with respect to electric field. The experimental results showed that the hole and electron drifting mobility were 0.04584 $\textrm{cm}^2$ V$\^$-1/s$\^$-1/ sand 0.00174 $\textrm{cm}^2$V$\^$-1/s$\^$-1/ at 10 V/$\mu\textrm{m}$.