Recently, poly-Si TFT-LCD starts to be mass produced using excimer laser annealing (ELA) poly-Si. The main reason for this is the good quality poly-Si and large area uniformity. We report the influence of channel length and width on poly-Si TITs performance. Transfer characteristics of n-channel poly-Si thin film transistors fabricated on polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) with various channel lengths and widths of $2-30{\mu}m$ has been investigated. In this paper, we analyzed the data of n-type TFTs. We studied threshold voltage ($V_{TH}$), on/off current ratio ($I_{ON}/I_{OFF}$), saturation current (I_{DSAT}$), and transconductance ($g_m$) of n-channel poly-Si thin film transistors with various channel lengths and widths.
본 논문은 4세대 VNAND 공정으로 만들어진 고전압 SiO2 절연층 nMOSFET의 n+ 및 p+ poly-Si 게이트에서의 positive bias temperature instability(PBTI) 열화에 대해 비교하고 각각의 메커니즘에 대해 분석한다. 게이트 전극 물질의 차이로 인한 절연층의 전계 차이 때문에 n+/nMOSFET의 열화가 p+/nMOSFET의 열화보다 더 클 것이라는 예상과 다르게 오히려 p+/nMOSFET의 열화가 더 크게 측정되었다. 원인을 분석하기 위해 각각의 경우에 대해 interface state와 oxide charge를 각각 추출하였고, 캐리어 분리 기법으로 전하의 주입과 포획 메커니즘을 분석하였다. 그 결과, p+ poly-Si 게이트에 의한 정공 주입 및 포획이 p+/nMOSFET의 열화를 가속시킴을 확인하였다.
A previous paper was reported in being sensetized photopolymer, poly(vinyl cinnamoyl acetate) (PVCiA)1) with some squarylium dyes such as 1,3-bis(4 or 6-trifluouomethy1-1,3,3-trimethylindo) squarylium dyes(TFSQ). Here, we synthesized new 1,3-bis(4 or 6-nitro-1,3,3-trimethylindo) squarylium dyes(NISQ) to sensetize photopolymer, such as poly(vinyl cinnamoyl acetate). Absorption's coefficient of (NISQ8) is 8.5x105, the sensitivity of PVCiA added with NISQ8(3%) was highly sensitized 8 times than not added, and 2 times than TFSQ8(3%). Maybe, high absorption'scoefficient and red shift of NISQs with strongly withdrawing group to TFSQs afford to the high sensitivity of PVCiA.
This paper investigates the absorption and emission changes in poly(di-n-hexylfluorene)s. We prepared the poly(di-n-hexylfluorene)s end capped with 2-bromofluorene, 2-bromo-9,9-di-n-hexylfluorene, and 9-bromoanthracene through Ni (0) mediated polymerization. In addition, we also synthesized a structurally distorted copolymer of 2,7-dibromo- 9,9-di-n-hexylfluorene and 9,9-bis(4-bromophenyl) fluorene end capped with 2-bromofluorene through the same polymerization method. The absorption and emission changes of these polymers between before and after thermal annealing in a nitrogen atmosphere clarify the role of aggregate/excimer formation in poly(fluorene)s. The large absorption changes must be attributed to aggregate formation (ground state interaction), which causes only a slight red shift of the vibronically structured emission bands. We assign the additional long wavelength emission as an excimer band (excited state interaction), which is preferably formed at chain ends.
Germanium (Ge) with higher carrier mobility and a lower crystallization temperature has been considered as the channel material of thin-film transistors for display applications. Various methods were studied for crystallizaion of poly-Ge from amorphous Ge at low temperature. Especially Metal induced crystalliazation (MIC) process was widely studied because low process cost. In this paper, we investigate copper diffusion process of different thick (70 nm, 350 nm) poly-Ge film obtained by MIC process at various temperatures (250, 300, and $350^{\circ}C$) through atomic force microscopy (AFM), Raman spectroscopy, and secondary ion mass spectroscopy (SIMS) measurement. Crystallization completeness and grain size was similar in all the conditions. Copper diffusion profile of 370 nm poly-Ge film show simirly results regardless of process temperature. However, copper diffusion profile of 70 nm poly-Ge film show different results by process temperature.
Lee, Young-Joo;Bingol Bahar;Murakhtina Tatiana;Sebastiani Daniel;Ok, Jong-Hwa;Meyer Wolfgang H.;Wegner Gerhard;Spiess Hans Wolfgang
한국고분자학회:학술대회논문집
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한국고분자학회 2006년도 IUPAC International Symposium on Advanced Polymers for Emerging Technologies
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pp.347-347
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2006
Polymers containing poly(vinyl phosphonic) acid segments are promising candidates to be used as proton conducting membranes. Solid state NMR spectroscopy represents an ideal probe of proton motion on the molecular level, because it allows us to selectively detect the nuclei of interest. In this paper, we apply solid state NMR methods to poly(vinyl phosphonic) acid in order to demonstrate that the proton conduction of poly(vinyl phosphonic acid) results from P-OH proton through hydrogen bonding and that the condensation of phosphonic acid leads to decrease in proton conductivity. $^{1}H\;and\;^{31}P$ solid state NMR experiments are supported by quantum chemical computation of NMR parameters.
This paper reports the fabrication and characterization of surface micromachined poly 3C-SiC capacitive pressure sensors on silicon wafer operable in touch mode and normal mode for high temperature applications. FEM(finite elements method) simulation has been performed to verify the analytical mode. The sensing capacitor of the capacitive pressure sensor is composed of the upper metal and the poly 3C-SiC layer. Measurements have been performed in a temperature range from $25^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$. Fabrication process of designed poly 3C-SiC touch mode capacitive pressure sensor was optimized and would be applicable to capacitive pressure sensors that are required high precision and sensitivity at high pressure and temperature.
This paper describes the mechanical properties of poly (Polycrystalline) 3C-SiC thin films with $N_2$ in-situ doping. In this work, the poly 3C-SiC film was deposited by APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) method using single-precursor HMDS (Hexamethyildisilane: $Si_2(CH_3)_6)$ at $1200^{\circ}C$. The mechanical properties of doped poly 3C-SiC thin films were measured by nono-indentation according to the various $N_2$ flow rate. In the case of 0 sccm $N_2$ flow rate, Young's Modulus and hardness were obtained as 285 GPa and 35 GPa, respectively. Young's Modulus and hardness were decreased according to increase of $N_2$ flow rate. The crystallinity and surface roughness was also measured by XRD (X-Ray Diffraction) and AFM (Atomic Force Microscopy), respectively.
Kim, Do-Young;Gangopadhyay, Utpal;Park, Joong-Hyun;Ko, Jae-Kyung;Yi, Jun-Sin
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.523-525
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2002
The poly-Si thin film can be used in high mobility active matrix liquid-crystal display (AMLCD) and system on panel (SOP). In this paper, poly-Si thin films were grown by novel high temperature process on the molybdenum (Mo) substrate. By applying a high current above 48A on a Mo substrate. We obtained an improved crystalline Si films with the crystallinity over 80%. We exhibit the properties of structural and electrical properties of high temperature poly-Si thin film transistor on the Mo substrates.
In this paper, for modeling of electrical characteristics in Poly Silicon Thin Film Transistors with process parameters set up optimum values, So, the I-V characteristics of poly silicon TFT parameters are examined and simulated in terms of the variations in process parameter. And these results compared and analyzed simulation values with examination value. The simulation program for characteristic analysis used SUPREM IV for processing, Matlab for modeling by mathematics, and SPICE for electric characteristic of devices. Input parameter for simulation characteristics is like condition of device process sequence, these electric characteristic of $I_D-V_D$$I_D-V_G$, variations of grain size. The Gate oxide thickness of poly silicon are showed similar results between real device characteristics and simulation characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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