• 제목/요약/키워드: oxygen barrier

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FTS 장치를 이용한 가스 차단막용 SiOx 및 SiOxNy 박막의 공정특성 (Process Characteristics of SiOx and SiOxNy Films on a Gas Barrier Layer using Facing Target Sputtering (FTS) System)

  • 손진운;박용진;손선영;김화민
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권12호
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    • pp.1028-1032
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    • 2009
  • In this study, the influences of silicon-based gas barrier films fabricated by using a facing target sputtering(FTS) system on the gas permeability for flexible displays have been investigated. Under these optimum conditions on the $SiO_x$ film with oxygen concentration($O_2/Ar+O_2$) of 3.3% and the $SiO_xN_y$ film with nitrogen concentration($N_2/Ar+O_2+N_2$) of 30% deposited by the FTS system, it was found that the films were grown about 4 times higher deposition rate than that of the conventional sputtering system and showed high transmittance about 85% in the visible light range. Particularly, the polyethylene naphthalate(PEN) substrates with the $SiO_x$ and/or $SiO_xN_y$ films showed the enhanced properties of decreased water vapor transmission rate (WVTR) over $10^{-1}\;g/m^2{\cdot}day$ compared with the PEN substrate without any gas barrier films, which was due to high packing density in the Si-based films with high plasma density by FTS process and/or the denser chemical structure of Si-N bond in the $SiO_xN_y$ film.

Co-Deposition법을 이용한 Yb Silicide/Si Contact 및 특성 향상에 관한 연구

  • 강준구;나세권;최주윤;이석희;김형섭;이후정
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.438-439
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    • 2013
  • Microelectronic devices의 접촉저항의 향상을 위해 Metal silicides의 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 지난 수십년에 걸쳐, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide 등에 대한 개발이 이루어져 왔으나, 계속적인 저저항 접촉 소재에 대한 요구에 의해 최근에는 Rare earth silicide에 관한 연구가 시작되고 있다. Rare-earth silicide는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 schottky barrier contact (~0.3 eV)를 이룬다. 또한, 비교적 낮은 resistivity와 hexagonal AlB2 crystal structure에 의해 Si과 좋은 lattice match를 가져 Si wafer에서 high quality silicide thin film을 성장시킬 수 있다. Rare earth silicides 중에서 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 낮은 schottky barrier 응용에서 쓰이고 있다. 이로 인해, n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로써 주목받고 있다. 특히 ytterbium과 molybdenum co-deposition을 하여 증착할 경우 thin film 형성에 있어 안정적인 morphology를 나타낸다. 또한, ytterbium silicide와 마찬가지로 낮은 면저항과 electric work function을 갖는다. 그러나 ytterbium silicide에 molybdenum을 화합물로써 높은 농도로 포함할 경우 높은 schottky barrier를 형성하고 epitaxial growth를 방해하여 silicide film의 quality 저하를 야기할 수 있다. 본 연구에서는 ytterbium과 molybdenum의 co-deposition에 따른 silicide 형성과 전기적 특성 변화에 대한 자세한 분석을 TEM, 4-probe point 등의 다양한 분석 도구를 이용하여 진행하였다. Ytterbium과 molybdenum을 co-deposition하기 위하여 기판으로 $1{\sim}0{\Omega}{\cdot}cm$의 비저항을 갖는 low doped n-type Si (100) bulk wafer를 사용하였다. Native oxide layer를 제거하기 위해 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 wafer를 세정하였다. 그리고 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 Ytterbium과 molybdenum을 동시에 증착하였다. RE metal의 경우 oxygen과 높은 반응성을 가지므로 oxidation을 막기 위해 그 위에 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, 진공 분위기에서 rapid thermal anneal(RTA)을 이용하여 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium silicides를 형성하였다. 전기적 특성 평가를 위한 sheet resistance 측정은 4-point probe를 사용하였고, Mo doped ytterbium silicide와 Si interface의 atomic scale의 미세 구조를 통한 Mo doped ytterbium silicide의 형성 mechanism 분석을 위하여 trasmission electron microscopy (JEM-2100F)를 이용하였다.

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마이크로파 여기 프라즈마법으로 제조한 강자성 터널링 접합의 국소전도특성 (Local Current Distribution in a Ferromagnetic Tunnel Junction Fabricated Using Microwave Excited Plasma Method)

  • 윤대식;김철기;김종오
    • 한국자기학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.47-52
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    • 2003
  • DC 마그네트론 스파터법과 RLSA(Radial Line Slot Antenna)을 이용한 마이크로파 여기 프라즈마를 이용하여 Ta/Cu/Ta/NiFe/Cu/Mn$_{75}$Ir$_{25}$/ $Co_{70}$Fe$_{30}$/Al-oxide 구조의 접합을 제조한 후, contact-mode AM(Atomic Force Microscope)을 이용하여 Al 산화막의 국소전도 특성의 평가를 수행하였다. AFM 동시전류측정으로부터, 얻어지는 표면상과 전류상은 대응하지 않는다. 국소 전류-전압(I-V)의 측정 결과, 전류상은 절연층의 barrier height의 분포를 나타내고 있다는 것을 알았다.다.다.

흰쥐 성상세포에서 산소농도의존성 유전자의 분리 (Isolation of a Hypoxia/Reoxygenation Regulatory Factor in Rat Astrocytes)

  • 박정애;송현석;이혜신;김규원
    • 약학회지
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    • 제50권2호
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    • pp.124-128
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    • 2006
  • Astrocyte has emerged as an active regulator of brain function, which connects between blood vessels and neurons as well as is a structural component of the blood-brain barrier, From its structural characteristics, astrocyte seems to sensitively respond to oxygen tension, and, in turn, generate diverse cellular cascades. Therefore, to reveal astrocytlc events by oxygen change, we screened genes whose expressions are upregulated under reoxygenation after hypoxic stress using cDNA representational difference analysis (RDA) technique. Meteorin that regulates glial differentiation was isolated from primary cultured rat astrocytes as a hypoxia/reoxygenation regulatory factor. We cloned rat version of Meteorin (rMe-teorin) and determined full-size sequences of rMeteorin. In addition, RT-PCR analysis revealed that Meteorin was increased under reoxygenation in astrocytes and highly expressed in the developing brain. Collectively, these results suggest that Meteorin may regulate astrocyte-mediated effects in response to the change of oxygen tension in the pathophysiological states.

3구 노즐을 이용한 산소의 용존율 향상 (Enhance of Dissolved Oxygen Rate using a 3-prong Nozzle)

  • 박영식
    • 한국환경과학회지
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    • 제24권7호
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    • pp.947-954
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    • 2015
  • Dielectric barrier discharge plasma is a new technique in water pollutant degradation, which that is characterized by the production of chemically active species such as hydroxyl radicals, ozone, hydrogen peroxide, etc. If dissolving of plasma gas generated in the plasma reaction has increased, it is possible to increase the contaminant removal capacity. In this study, the improvement on the dissolving performance of plasma gas was evaluated by the indirect method measuring the overall oxygen transfer coefficient. Experiments were conducted to examine the effects of nozzle type, distance from water surface, air supply rate and liquid circulation rate. The experimental results showed that the $K_{La}$ value of the 3-prong nozzle is 2.67 times higher than the diffuser. The order of $K_{La}$ value with nozzle type ranked in the following order: 3-prong nozzle (inner diameter, less 1 mm) > circular nozzle (inner diameter, 1.5 mm) > ellipse nozzle (short diameter 1 mm, long diameter 2.5 mm) > circular nozzle (inner diameter, 3 mm). Optimal liquid circulation rate was appeared to be 1.7 L/min, the value of $K_{La}$ was 0.510 1/min. The value of $K_{La}$ with increasing air supply rate was revealed in the form of an exponential such as $K_{La}=0.3581e^{0.2919^*air\;flow\;rate}$.

Oxygen matters: hypoxia as a pathogenic mechanism in rhinosinusitis

  • Cho, Hyung-Ju;Kim, Chang-Hoon
    • BMB Reports
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    • 제51권2호
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    • pp.59-64
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    • 2018
  • The airway epithelium is the first place, where a defense mechanism is initiated against environmental stimuli. Mucociliary transport (MCT), which is the defense mechanism of the airway and the role of airway epithelium as mechanical barriers are essential in innate immunity. To maintain normal physiologic function, normal oxygenation is critical for the production of energy for optimal cellular functions. Several pathologic conditions are associated with a decrease in oxygen tension in airway epithelium and chronic sinusitis is one of the airway diseases, which is associated with the hypoxic condition, a potent inflammatory stimulant. We have observed the overexpression of the hypoxia-inducible factor 1 (HIF-1), an essential factor for oxygen homeostasis, in the epithelium of sinus mucosa in sinusitis patients. In a series of previous reports, we have found hypoxia-induced mucus hyperproduction, especially by MUC5AC hyperproduction, disruption of epithelial barrier function by the production of VEGF, and down-regulation of junctional proteins such as ZO-1 and E-cadherin. Furthermore, hypoxia-induced inflammation by HMGB1 translocation into the cytoplasm results in the release of IL-8 through a ROS-dependent mechanism in upper airway epithelium. In this mini-review, we briefly introduce and summarize current progress in the pathogenesis of sinusitis related to hypoxia. The investigation of hypoxia-related pathophysiology in airway epithelium will suggest new insights on airway inflammatory diseases, such as rhinosinusitis for clinical application and drug development.

유전체장벽 방전에 의한 세라믹 방전관의 오존 특성 (Ozone Characteristics of Ceramic Discharge Tube using Dielectric Barrier Discharge)

  • 이창호;이상호;김종현;송현직;이상근;이광식
    • 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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    • 한국조명전기설비학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.309-312
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    • 2009
  • 본 논문에서는 탈색, 탈취 및 상 하수 정수처리에 많이 이용되고 있는 오존의 효과적인 발생을 위하여 세라믹을 이용하여 유전체 장벽 방전에 의한 오존생성특성을 연구하였다. 세라믹과 전극으로 구성된 전극 수와 오존생성을 위한 반응가스인 Air와 Oxygen의 투입량 변화에 따른 오존생성농도, 오존발생량 및 오존생성수율 특성을 분석하였다. 그 결과, 세라믹과 전극으로 구성된 전극 수가 많을수록 오존생성특성은 증가하였고, 원료가스를 Air와 Oxygen으로 사용한 경우 Oxygen을 원료가스로 사용했을 때 전극 수 5 및 10개에서 모두 오존생성특성이 우수하게 나타났으며, 그 결과 전극 수가 5개인 경우, 오존생성농도는 약 4.2배, 오존발생량은 2.5배, 오존생성수율은 2.5배 증가하였으며, 전극 수가 10개인 경우, 오존생성농도는 약 5.1배, 오존발생량은 3.8배, 오존생성수율은 3.4배 증가하였다.

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Effects of Temperature Stress on VFB Shifts of HfO2-SiO2 Double Gate Dielectrics Devices

  • Lee, Kyung-Su;Kim, Sang-Sub;Choi, Byoung-Deog
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.340-341
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    • 2012
  • In this work, we investigated the effects of temperature stress on flatband voltage (VFB) shifts of HfO2-SiO2 double gate dielectrics devices. Fig. 1 shows a high frequency C-V of the device when a positive bias for 10 min and a subsequent negative bias for 10 min were applied at room temperature (300 K). Fig. 2 shows the corresponding plot when the same positive and negative biases were applied at a higher temperature (473.15 K). These measurements are based on the BTS (bias temperature stress) about mobile charge in the gate oxides. These results indicate that the positive bias stress makes no difference, whereas the negative bias stress produces a significant difference; that is, the VFB value increased from ${\Delta}0.51$ V (300 K, Fig. 1) to ${\Delta}14.45$ V (473.15 K, Fig. 2). To explain these differences, we propose a mechanism on the basis of oxygen vacancy in HfO2. It is well-known that the oxygen vacancy in the p-type MOS-Cap is located within 1 eV below the bottom of the HfO2 conduction band (Fig. 3). In addition, this oxygen vacancy can easily trap the electron. When heated at 473.15 K, the electron is excited to a higher energy level from the original level (Fig. 4). As a result, the electron has sufficient energy to readily cross over the oxide barrier. The probability of trap about oxygen vacancy becomes very higher at 473.15 K, and therefore the VFB shift value becomes considerably larger.

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필러 네트워크 형성 및 배향이 복합소재 열전도도와 산소투과도에 미치는 영향 고찰 (Impact of Filler Aspect Ratio on Oxygen Transmission and Thermal Conductivity using Hexagonal Boron Nitride-Polymer Composites)

  • 신하은;김채빈
    • Composites Research
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    • 제34권1호
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    • pp.63-69
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    • 2021
  • 일체형 방열 및 기체 차단 재료 개발을 위하여 신규 고분자를 합성하고 판상형 육방정 질화 붕소(hBN) 필러를 포함하는 복합소재를 제조하였다. 복합소재는 필러의 크기 및 함량에 따라 열전도도 및 산소투과도 조절이 가능하였다. 복합소재는 최대 28.0 W·m-1·K-1의 높은 열전도도를 지녔으며 필러 미포함 샘플 대비 산소투과도는 62% 감소하였다. 열전도도 및 기체투과도 실험 측정값과 모델 예측값 비교를 통해 복합소재 내 필러의 종횡비를 계산하였다. 이러한 결과를 토대로 높은 열전도도 및 낮은 기체투과도는 필러 간 효과적인 네트워크 형성 때문이며 이는 복합소재 제조 시 전단 응력 극대화가 가능한 신규 수지의 특성으로부터 유래된것으로 사료된다. 또한, 열전도도로부터 계산된 필러 종횡비와 산소 투과도로부터 계산된 필러 종횡비 값이 서로 다름을 확인하였고 이에 관련하여 복합소재에서 열 전달 및 기체 투과 메커니즘에 대하여 고찰하였다. 본 연구에서 개발된 높은 열전도도 및 낮은 산소투과도를 갖는 고분자 복합소재는 전자 제품의 일체형 방열 및 산화 방지 재료로 사용 될 수 있다.

TCE로 오염된 지하수 정화시 부식 광물에 대한 연구 (Investigation of Corrosion Minerals from the Remediation for TCE-Contaminate d Groundwater)

  • Moon, Ji-Won;Moon, Hi-Soo;Yungoo Song;Kang, Jin-Kyoo;Yul Roh
    • 한국광물학회지
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    • 제16권1호
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    • pp.107-123
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    • 2003
  • 본 연구는 0가 철 (ZVI)의 설치위치와 전극의 배열에 따른 다양한 조합의 전기적 투수성 반응벽을 대상으로 트리클로로에틸렌의 탈염소화 반응에 의한 정화시 ZVI의 부식에 기인하는 광물상침전물에 대해 알아보고, 이에 대한 조절 요소를 알아보고자 한다. 광물학적 연구 결과, 지하수 유입부의 ZVI 시료는 상대적으로 많은 레피도크로사이트, 훼리하이드라이트 혹은 철 수산화물과 (phospho)siderite가 산출되는 반면, 용출부의 ZVI 시료는 아카가나이트, 자철석/마그헤마이트, 그리고 중간 산물인 green rust (CR) I 과 CR II가 산출되었다. 이러한 광물 조합의 변화는 용존 산소 및 pH의 상승에 주로 기인한 것으로 나타났다. 또한 전기적 투수성 반응벽 내에 산출되는 광물상 침전물들의 조절 요소들은 (1) pH, (2) 용존산소, (3) 철의 부식시 중간 산물, (4) 음이온 종류 등으로 밝혀졌다.