The $2{\nu}_{C=0}$ + amide III combination band spectrum of acetamide (AA) was obtained in very dilute solutions of AA+lanthanide shift reagents (LSR) in carbon tetrachloride over the range of $15^{\circ}$ to $45^{\circ}C$. It was found that only 1 : 1 AA-LSR complex is formed by the interaction between carbonyl oxygen of AA and central metal ion(Ln(Ⅲ)) in LSR. The thermodynamic parameters for Ln(III)${\cdot}$O=C bond were determined by computer analysis of concentration and temperature dependent spectra. ${\Delta}H^{\circ}$ for the coordination of AA to Eu$(dpm)_3$, Yb$(dpm)_3$, and Pr$(dpm)_3$ have been found to be -39.1, -28.4, and -25.5 kJ/mol, respectively. It has shown that this type of ion-dipole interaction is more than twice stronger compared to the dipole-dipole interaction in the amide linkage, and largely depending on the steric hindrence effect by the bulky dpm groups around central metal ion (Ln(III)) rather than the ionic potential effect of central metal ion itself.
As the medical paradigm is changing from disease treatment to disease prevention and an early diagonosis, the demand to develop techniques for the detection of minute concentrations of biomolecules is increasing. Among the various techniques to sense the minute concentration of biomolecules, the biosensors utilizing the matured semiconductor techniques are presented here. To understand such biosensors, the structure and working principle of a MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) which is the basic semiconductor device is firstly introduced, and then the ISFET (Ion sensitive FET), BioFET (Biologically modified FET), Nanowire FET, and IFET (Ionic FET) are introduced, and their applications to biomedical fields are discussed.
Smelting reduction of spent lithium-ion batteries results in the production of metallic alloys in which reduced cobalt, nickel and copper coexist. In this study, we investigated the leaching of the metallic alloys containing the above three metals together with iron, manganese, and silicon. The mixture of hydrochloric acid and hydrogen peroxide as an oxidizing agent was employed, and the effect of the concentration thereof, the reaction time and temperature, and pulp density was investigated to accomplish the complete leaching of cobalt, nickel, and copper. The effect of the hydrogen peroxide concentration and pulp density on the leaching was prominent, compared to that of reaction time and temperature, especially in the range of 20 to 80℃. The complete leaching of the metals present in metallic alloys, except silicon, was accomplished using 2 M HCl and 5% H2O2 with a pulp density of 30 g/L for 150 min at 60℃.
Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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1998.06a
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pp.43-49
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1998
Retardation effect of heavy metals in soils caused by adsorption onto the surfaces of solids particles is well known phenomena. The adsorption of metal ions has been recognized more strong in clay mineral and organic matter contents rather than sands and gravels. In this study, we investigated the retardation effect in two sandy soils by conducting batch and column tests. The column tests were conducted to obtain the relationship between concentration and time known as breakthrough curve (BTC). We applied pulse type injection of ZnCl$_2$solution on the inlet boundary and monitored the effluent concentration at the exit boundary under steady state condition using EC-meter and ICP-AES. Batch test consisted of an equilibrium procedure for fine fractions collected from two sandy soils for various initial ZnCl$_2$concentrations, and analysis of Zn ions in equilibrated solution using ICP-AES. The results of column test showed that i) the peak concentration of Zn analyzed by ICP was far less than that detected by EC-meter for both soils and ii) travel times for peak concentration were more less identical for two different monitoring techniques. The first result can be explained by ion exchange between Zn and other cations initially present in the soil particles since ICP analysis showed a significant amount of Ca, Mg ions in the effluent. From the second result, we found that retardation effect was not present in these soils due to strong cation exchange capacity of Zn ion over other cations since we did not apply a solution containing more adsorptive cations such as Al. The result of batch test also showed high distribution coefficients (K$_{d}$) for two soils supporting the dominant ion exchange phenomena. Based on the retardation factor obtained from the Kd, we predicted the BTC using CDE model and compared with the BTC of Zn concentration obtained from ICP The predicted BTC, however, disagreed with the monitored in terms of travel time and magnitude of the peak concentrations. The only way to describe the prominent decrease of Zn ion was to introduce decay or sink coefficient in the CDE model to account for irreversible decrease of Zn ions in liquid phase.e.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2001.07a
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pp.279-282
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2001
The IBE(ion beam etching)-induced Schottky barrier variation which depends on various etching history related with ion energy, incident angle and etching time has been investigated using voltage-current, capacitance-voltage characteristics of metal-etched silicon contact and morphology of etched surface were studied using AFM(atomic force microscope). For ion beam etched n-type silicons, Schottky barrier is reduced according to ion beam energy. It can be seen that amount of donor-like positive charge created in the damaged layer is proportional to the ion energy. By contrary, for ion beam etched p-type silicons, the Schottky barrier and specific contact resistance are both increased. Not only etching time but also incident angle of ion beam has an effect on barrier height. Taping-mode AFM analysis shows increased roughness RMS(Root-Mean-Square) and depth distribution due to ion bombardment. Annealing in an N$_2$ ambient for 30 min was found to be effective in improving the diode characteristics of the etched samples and minimum annealing temperatures to recover IBE-induced barrier variation were related to ion beam energy.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.17
no.1
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pp.156-161
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2017
This work presents a novel structure for junction-less tunneling field effect transistor (JL-TFET) with a floating gate over the source region. Introduction of floating gate instead of fixed metal gate removes the limitation of fabrication process suitability. The proposed device is based on a heavily n-type-doped Si-channel junction-less field effect transistor (JLFET). A floating gate over source region and a control-gate with optimized metal work-function over channel region is used to make device work like a tunnel field effect transistor (TFET). The proposed device has exhibited excellent ID-VGS characteristics, ION/IOFF ratio, a point subthreshold slope (SS), and average SS for optimized device parameters. Electron charge stored in floating gate, isolation oxide layer and body doping concentration are optimized. The proposed JL-TFET can be a promising candidate for switching performances.
A bilayer film consisting of a layer of a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ with a surface layer of silver -100[.angs.] thick and a monolayer film of a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ are irradiated with 9[keV] Ga$^{+}$ ion beam. The Ga$^{+}$ ion (10$^{16}$ [ions/cm$^{2}$] exposed a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ and Ag/a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ thin films show an increase in optical absorption, and the absorption edge on irradiation with shifts toward longer wavelength. The shift toward longer wavelength called a "darkening effect" is observed also in film exposure to optical radiation(4.5*10$^{20}$ [photons/cm$^{2}$]). The 0.3[eV] edge shift for ion irradiation films is about twice to that obtained on irradiation with photons. These large changes are primarily due to structural changes, which lead to high etch selectivity and high sensitivity.
The characteristics of a titanium oxide layer prepared using a plasma electrolytic oxidation (PEO) process were investigated, using an extended gate ion sensitive field effect transistor (EG-ISFET) to confirm the layer's capability to react with hydrogen ions. The surface morphology and element distribution of the PEO-processed titanium oxide were observed and analyzed using field-emission scanning-electron microscopy (FE-SEM) and energy-distribution spectroscopy (EDS). The titanium oxide prepared by the PEO process was utilized as a hydrogen-ion sensing membrane and an extended gate insulator. A commercially available n-channel enhancement MOS-FET (metal-oxide-semiconductor FET) played a role as a transducer. The responses of the PEO-processed titanium oxide to different pH solutions were analyzed. The output drain current was linearly related to the pH solutions in the range of pH 4 to pH 12. It was confirmed that the titanium-oxide layer prepared by the PEO process could feasibly be used as a hydrogen-ion-sensing membrane for EGFET measurements.
Green tea and their major constituents such as catechins are famous materials for their anti-oxidative and anti-carcinogenic activity, but many compounds with reducing power can promote the oxidation in their oxidized form or in the presence of metal ion. We investigated the pro-oxidative effect of the ethanol extract equivalent up to 30mg of dried weight of green tea leaves in four in vitro systems which could be used for detecting DNA damage. Although ethanol extract of green tea did not show significant mutagenicity in Salmonella typhimurium TA102, which is sensitive strain to oxidative stress, it degraded deoxyribose extensively in the presence of $FeCl_3-EDTA$ complex, promoted 8-oxoguanine formation in the live bacteria cell, Salmonella typhimurium TAI04, and cleaved super coiled DNA strand with the help of copper ion. It suggested that green tea, famous anti-oxidative material, can be pro-oxidant according to the condition of extraction or metal existence.
The micro Vickers hardness and internal stress of Ni-Fe metal thin film synthesized by electrodeposition method at $25^{\circ}C$ were studied as a function of bath composition, and surface microstructure and atomic compositions of thin films were investigated by SEM and EDS. And the shape change of $200\;{\AA}$ Ni-Fe nanowires made using anodic aluminum oxide(AAO) templates by electrodeposition method were observed by SEM as a function of ultrasonic treatment time and bath composition. The Fe deposition contents on the substrate non-linearly increased with Fe ion concentration over total metal ion concentration. In case of low Fe contents film, the grain size is smaller and denser than high Fe contents deposited films, and the micro Vickers hardness increased with Fe contents of electrodeposited films. These results affected the shape change of nanowire after ultrasonic treatments.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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