• 경영정보학연구
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• 제18권3호
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• pp.51-71
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• 2016

관광 상품은 무형의 경험재이기 때문에 사진, 비디오, 기념품 등의 매체를 활용하여 이를 시각화하고 기록하는 것이 매우 중요하다. 정보통신기술의 급속한 성장 하에서 온라인 플랫폼은 매체(media)로써 역할을 하고 있다. 관광객들은 자신을 표현하기 위해 자신의 관광 경험을 소셜 미디어에 게재하지만, 시간이 흐름에 따라 그 글은 과거 관광 경험을 회상하게 하는 매개체가 된다. 즉, 소셜 미디어는 자기 표현 또는 타인과의 의사소통의 채널일 뿐만 아니라 기록을 저장하고 다시 열람할 수 있는 아카이브라고 할 수 있다. 따라서, 본 연구는 소셜 미디어가 관광객의 자서전적 기억(기억력과 선명도) 및 관광지 재방문의도에 미치는 영향을 파악하고자 하였다. 연구 결과, 소셜 미디어 인터페이스와 디스플레이 품질이 관광객의 기억력과 기억의 선명도에 유의한 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 즉, 소셜 미디어는 여행 기억에 대한 아카이브이며, 사람들로 하여금 과거의 경험을 회상할 수 있는 매체임을 확인하였다. 이러한 연구 결과를 토대로 본 연구는 학술적, 실무적 시사점을 제시한다.

• 한국융합학회논문지
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• 제4권3호
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• pp.21-26
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• 2013

PC에서 모니터나 본체에서 전원인가 후 아무런 외부적인 반응이 없는 경우, 이것이 하드웨어 장애인지 아니면 소프트웨어 장애인지 일반 사용자의 경우 확인이 어려운 상황이다. 본 연구는 이러한 경우 컴퓨터 하드웨어 장애 인지 소프트웨어 장애인지를 구별하고 하드웨어 장애인 경우 어떤 하드웨어가 장애인지를 알려주는 모듈을 개발하였다. 즉, 본 연구는 일반 PC의 OS 부팅 전에 하드웨어 장애로 인한 부팅 실패시 하드웨어 장애를 인식하는 모듈을 개발한 것으로 컴퓨터 PCI slot에 장착되며 컴퓨터 전원 인가시 CPU는 메인보드 롬바이어스 내용을 순차적으로 처리하는데 특정 하드웨어 장애시 순차적 진행을 중단한다. 본 연구의 개발 모듈은 이러한 경우 롬바이어스의 중단 번지를 인식하여 장애 하드웨어를 사용자에게 알려주는 역할을 한다. 개발된 하드웨어 장애인식 모듈은 모의 평가 시험을 통해서 정확하게 인식할 수 있었다.

• 한국주조공학회지
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• 제18권6호
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• pp.534-540
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• 1998

6061Al-matrix composite with TiNi shape memory fiber as reinforcement has been fabricated by Permanent Mold Casting to investigate the mechanical properties of the smart composites. The composites have showed good interface bonding as a result of the analysis of SEM and EDX. The smartness of composite is given due to the shape memory effect of the TiNi fiber which generates compressive residual stresses in the matrix material when heated after being prestrained. The tensile strength of the composites was tested at temperatures between $90^{\circ}C$ and room temperature with increasing amount of pre-strain, and it showed that the tensile strength at $90^{\circ}C$ was higher than that of the room temperature. Especially, the tensile strength of the composite increases with increasing pre-strain. It showed that hardness of matrix was higher than that of common 6061Al alloy.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.9-12
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• 1998

Film characteristics of thin reoxidized nitrided oxides were investigated by SIMS analysis and C-V method in order to use the gate dielectric for charge-trap type NVSMs instead of ONO stacked layers. Nitric oxide(NO) annealed film has the nitrogen content sharply peaked at the Si-SiO$_2$ interface, while it is broad for nitrous oxide($N_2$O) ambient. The nitrogen peak concentration increased with anneal temperature and time. The position of nitrogen content in the oxide layer was due to be precisely controlled. For the films annealed NO ambient at 80$0^{\circ}C$ for 30min. followed by reoxidized at 85$0^{\circ}C$, the maximum memory window of 3.5V was obtained and the program condition was +12V, 1msec for write and -l3V, 1msec for erase.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권3호
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• pp.128-132
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• 2004

The perovskite ferroelectric materials of the PZT, SBT and BST series will attract much attention for application to ULSI devices. Among these materials, the BST ($Ba_0.6$$Sr_0.4$/$TiO_3$) is widely considered the most promising for use as an insulator in the capacitors of DRAMS beyond 1 Gbit and high density FRAMS. Especially, BST thin films have a good thermal-chemical stability, insulating effect and variety of Phases. However, BST thin films have problems of the aging effect and mismatch between the BST thin film and electrode. Also, due to the high defect density and surface roughness at grain boundarys and in the grains, which degrades the device performances. In order to overcome these weakness, we first applied the chemical mechanical polishing (CMP) process to the polishing of ferroelectric film in order to obtain a good planarity of electrode/ferroelectric film interface. BST ferroelectric film was fabricated by the sol-gel method. And then, we compared the surface characteristics before and after CMP process of BST films. We expect that our results will be useful promise of global planarization for FRAM application in the near future.

• 인지과학
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• 제15권3호
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• pp.1-14
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• 2004

본 연구에서는 순차적으로 자극이 제시되는 시각 구별 과제에서 개인차가 기술의 습득과 전이에 어떻게 영향을 미치는지 알아보았다. 여기서는 개인 차이를 세 가지 측면에서 측정하였는데 인지 양식의 차이, 작업 기억 용량의 수준, 그리고 의사 결정 방식의 차이를 가지고 개인 차이를 분류하였다. 시각 구별 과제에서는 크게 훈련 과정과 전이 과정으로 나누어 훈련 과정의 난이도가 전이 과정에서 어떠한 영향을 미치는지 알아보았는데, 특히 훈련 난이도는 인지 양식과 그리고 작업 기억 용량과의 상호 작용을 통하여 전이 과제에서의 정확도에 영향을 미친 것으로 나타났다. 본 연구에서 얻어진 결과는 시각 구별과 관련한 인터페이스를 디자인하는데 있어서 개인차를 고려하는 것이 필요함을 시사하였다.

• 전자공학회논문지B
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• 제33B권2호
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• pp.149-158
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• 1996

In this paper we describe designing and implementing a digital neural chip and a parallel neural machine for simulating large scale neural netsorks. The chip is a single-chip multiprocessor which has four digiral neural processors (DNP-II) of the same architecture. Each DNP-II has program memory and data memory, and the chip operates in MIMD (multi-instruction, multi-data) parallel processor. The DNP-II has the instruction set tailored to neural computation. Which can be sed to effectively simulate various neural network models including on-chip learning. The DNP-II facilitates four-way data-driven communication supporting the extensibility of parallel systems. The parallel neural machine consists of a host computer, processor boards, a buffer board and an interface board. Each processor board consists of 8*8 array of DNP-II(equivalently 2*2 neural chips). Each processor board acn be built including linear array, 2-D mesh and 2-D torus. This flexibility supports efficiency of mapping from neural network models into parallel strucgure. The neural system accomplishes the performance of maximum 40 GCPS(giga connection per second) with 16 processor boards.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제7권2호
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• pp.145-151
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• 1994

The multi-dielectric layer SiOz/Si3N4/SiO2(ONO) is used to scale down the memory device. In this paper, the change of composition in ONO layer due to the process condition and the conduction mechanism are observed. The composition of the oxide film grown through the oxidation of nitride film is analyzed using auger electron spectroscopy(AES). AES results show that oxygen concentration increases at the interface between oxide and nitride layers as the thickness -of the top oxide layer increases. Results of I-V measurement show that the insulating properties improve as the thickness of the top oxide layer increases. But when the thickness of the nitride layer decreases below 63.angs, insulating peoperties of film 28.angs. of top oxide and film 35.angs. turn over showing that insulating property of film 28.angs. of top oxide is better than that of film 35.angs. of top oxide. This phenomenon of turn over is thought as the result of generation of surface state due to oxygen flow into nitride during oxidation process. As the thickness of the top oxide and nitride increases, the electrical breakdown field increases, but when the thickness of top oxide reaches 35.angs, the same phenomenon of turn over occurs. Optimum film thickness for scaled multi-layer dielectric of memory device SONOS is estimated to be 63.angs. of nitride layer and 28.angs. of top oxide layer. In this case, maximum electrical breakdown field and leakage current are 18.5[MV/cm] and $8{\times}{10^-12}$[A], respectively.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.80-84
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• 2008

We systematically investigated the resistive switching properties of thin $TiO_2$ films on Pt/Ti/$SiO_2$/Si substrates that were embedded with a Co ultra thin layer. An in-situ sputtering technique was used to grow both films without breaking the chamber vacuum. A stable bipolar switching in the current-voltage curve was clearly observed in $TiO_2$ films with an embedded Co ultra thin layer, addressing the high and low resistive state under a bias voltage sweep. We propose that the underlying origin involved in the bipolar switching may be attributed to the interface redox reaction between the Co and $TiO_2$ layers. The improved reproducible switching properties of our novel structures under forward and reverse bias stresses demonstrated the possibility of future non-volatile memory elements in a simple capacitive-like structure.

• 한국컴퓨터산업학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.149-158
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• 2002

본 논문에서는 광컴퓨터의 개발에 이용될 수 있는 산술논리연산회로(ALU)를 설계하고 검증한다. 전자회로 기술의 접목이 용이하고 가장 상용화가 잘된 $LiNbO_3$ 광스위칭 소자에 기반한 이 ALU는 산술논리 동작을 실행하는 연산회로, 오퍼런드와 연산결과를 저장하는 메모리 소자 그리고 명령어 선택을 위한 부가회로로 구성되며, 비트 단위 직렬 방식으로 동작하는 것이다. 본 논문에서는 또한 설계한 ALU 회로의 정확성을 검증할 수 있는 시뮬레이터를 구현하고, 일련의 기본 명령어들을 순차적으로 실행하면서 메모리와 누산기에 저장된 값의 단계적 변화를 확인하는 시뮬레이션을 통하여 설계한 ALU가 정확함을 보인다.