Low power-low flow 유도결합 플라즈마 원자방출 분광법(ICP-AES)에서 분석적 특성에 대해 연구하였다. Low power ICP에서는 moderate power ICP보다 알짜세기는 감소하지만 바탕세기도 감소하여 알짜세기에 대한 바탕세기의 비는 오히려 증가하였다. Low power ICP에서도 작동조건에 따라 moderate power와 비슷한 검출한계를 얻을 수 있으며, 검량곡선도 $10^4{\sim}10^5$ 정도의 직선성을 가질 수 있었다. 알칼리 금속에 의한 이온화 방해영향은 시료운반기체의 사용량을 증가시킬수록 증가하지만, RF power의 변화에 대해서는 큰 차이가 없었다.
Small portable devices such as mobile phones and laptops currently display a trend of high power consumption owing to their characteristics of high speed and multifunctionality. Low-power SoC design is one of the important factors that must be considered to increase portable time at limited battery capacities. Popular low power SoC design techniques include clock gating, multi-threshold voltage, power gating, and multi-voltage design. With a decreasing semiconductor process technology size, leakage power can surpass dynamic power in total power consumption; therefore, appropriate low-power SoC design techniques must be combined to reduce power consumption to meet the power specifications. This study examines several low-power SoC design trends that reduce semiconductor SoC dynamic and static power using EDA tools. Low-power SoC design technology can be a competitive advantage, especially in the IoT and AI edge environments, where power usage is typically limited.
The purpose of this study was to investigate the changes of muscle power by transcutaneous electrical nerve stimulation(TBNS), low frequency-low intensity(20pps, invisible muscle contraction intensity), low frequency-high intensity(20pps, visible muscle contraction), high frequency-low intensity(100pps, invisible muscle contraction intensity) and high frequency-high intensity(100pps, visible muscle contraction). The results were as follows. 1. Increased muscle power after 30 minutes of treatment by low frequency-low intensity TENS, and post-treatment 30 minutes muscle power were increased more than pre-treatment power(p<0.05). 2. Decreased muscle power after a 30 minute treatment by low frequency-high intensity TENS, and after the 30 minute treatment was terminated muscle power didn't recover to pre-treatment levels. 3. Decreased muscle power after 30 minute treatment by high frequency-low intensity TENS, but post-treatment 30 minute, muscle power didn't recover to pre-treatment levels. 4. The muscle power was remarkably decreased by high frequency-high intensity TENS after 30 minute treatment, in addition treatment terminated after 30minutes didn,t recover to pre-treatment power(p<0.05). 5. Lower frequency-low intensity TENS are good methods for preventing muscle fatigue, buty high intensity (TENS) are increased muscle fatigue. 6. Traditional TENS by high frequency-low intensity is a good method for preventing muscle fatigue.
This paper describes a new low-swing inverter for low power consumption. To reduce a power consumption, an output voltage swing is in the range from 0 to $V_{ref}-V_{TH}$, where $V_{ref}=V_{DD}-nV_{TH}$. This can be done by the inverter structure that allow a full swing or a swing on its input terminal without leakage current. Using this low-swing voltage technology, we propose a low-power $4\times4$ bit parallel multiplier. The proposed circuits are simulated with HSPICE under $0.35{\mu}m$ CMOS standard technology. Compare to the previous works, this circuit can reduce the power consumption rate of 11.2% and the power-delay product of 10.3%.
Among Internet of things (IoT) applications, the most demanding requirements for the widespread realization of many IoT visions are security and low power. In terms of security, IoT applications include tasks that are rarely addressed before such as secure computation, trusted sensing, and communication, privacy, and so on. These tasks ask for new and better techniques for the protection of data, software, and hardware. An integral part of hardware cryptographic primitives are secret keys and unique IDs. Physical Unclonable Functions(PUF) are a unique class of circuits that leverage the inherent variations in manufacturing process to create unique, unclonable IDs and secret keys. In this paper, we propose a low power Arbiter PUF circuit with low error rate and high reliability compared with conventional arbiter PUFs. The proposed PUF utilizes a power gating structure to save the power consumption in sleep mode, and uses a razor flip-flop to increase reliability. PUF has been designed and implemented using a FPGA and a ASIC chip (a 0.35 um technology). Experimental results show that our proposed PUF solves the metastability problem and reduce the power consumption of PUF compared to the conventional Arbiter PUF. It is expected that the proposed PUF can be used in systems required low power consumption and high reliability such as low power encryption processors and low power biomedical systems.
본 논문은 배터리와 태스크를 고려한 저전력 알고리듬을 제안하였다. 제안한 알고리듬은 배터리의 용량과 사용 목표 시간에 따른 단위 시간의 소모 전력을 설정한다. 주어진 모든 태스크들의 소모 전력을 계산한다. 태스크들 중에서 소모 전력이 가장 큰 태스크의 소모 전력과 소모 전력이 가장 작은 태스크의 소모 전력의 평균을 구한다. 태스크의 소모 전력의 평균을 단위 시간을 고려하여 다시 소모 전력을 계산한다. 태스크의 평균 소모 전력의 크기가 계산된 소모 전력의 평균보다 작거나 같을 경우 태스크의 평균 소모 전력보다 큰 태스크 들을 대상으로 저전력을 수행한다. 또한, 태스크의 평균 소모 전력의 크기가 계산된 소모 전력의 평균보다 클 경우 계산된 소모 전력의 평균보다 큰 태스크 들을 대상으로 저전력을 수행한다. 저전력은 태스크의 프로세서와 디바이스의 소모 전력을 분할하여 소모 전력이 큰 부분에 대해 저전력을 수행한다. 실험은 배터리를 고려한 저전력 알고리듬인 [6]과 비교하였다. 실험결과 [6]보다 소모 전력이 감소되어 알고리듬의 효율성이 입증되었다.
This paper describes a 2.5V, 320MHz low-noise and low-power Phase Locked Loop(PLL) using a noise-rejected Voltage Controlled ring Oscillator(VCO) fabricated in a TSMC 0.25um CMOS technology. In order to improve the power consumption and oscillation frequency of the PLL, The VCO consist of three-stage fully differential delay cells that can obtain the characteristic of high speed, low power and low phase noise. The VCO operates at 7MHz -670MHz. The oscillator consumes l.58mA from a 320MHz frequency and 2.5V supply. When the PLL with fully-differential ring VCO is locked 320MHz, the jitter and phase noise measured 26ps (rms), 157ps (p-p) and -97.09dB at 100kHz offset. We introduce and analysis the conditions in which ring VCO can oscillate for low-power operation.
Power MOSFET operate voltage-driven devices, design to control the large power switching device for power supply, converter, motor control, etc. We have optimal designed planar and trench gate power MOSFET for high breakdown voltage and low on resistance. When we have designed $6,580{\mu}m{\times}5,680{\mu}m$ of chip size and 20 A current, on resistance of trench gate power MOSFET was low than planar gate power MOSFET. The on state voltage of trench gate power MOSFET was improved from 4.35 V to 3.7 V. At the same time, we have designed unified field limit ring for trench gate power MOFET. It is Junction Termination Edge type. As a result, we have obtained chip shrink effect and low on resistance because conventional field limit ring was convert to unify.
We present a new low power scan testing and test data compression method for System-On-a-Chip (SOC). The don't cares in unspecified scan vectors are mapped to binary values for low power and encoded by adaptive encoding method for higher compression. Also, the scan-in direction of scan vectors is determined for low power. Experimental results for full-scanned versions of ISCAS 89 benchmark circuits show that the proposed method has both low power and higher compression.
A new level shifter using low-temperature polycrystalline silicon (poly-Si) thin-film transistors (TFTs) for low-power applications is proposed. The proposed level shifter uses a capacitive-coupling effect and can reduce the power consumption owing to its no-short-circuit current. Its power saving over the conventional level shifter is 72% for a 3.3 V input and a 10 V output.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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