Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.939-944
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2002
PD phenomena can be regarded as a deterministic dynamical process where PD should be occurred if the local electric field be reached to be sufficiently high. And thus, its mathematical model can be described by either difference equations or differential equations using several state variables obtained from the time sequential measured data of PD signals. These variables can provide rich and complex behavior of detectable time series, for which Chaos theory can be employed. In this respect, a new PD pattern recognition method is proposed and named as 'Chaotic Analysis of Partial Discharges (CAPD)' for this work. For this purpose, six types of specimen are designed and made as the models of the possible defects that may cause sudden failures of the underground power transmission cables under service, and partial discharge signals, generated from those samples, are detected and then analyzed by means of CAPD. Throughout the work, qualitative and quantitative properties related to the PD signals from different defects are analyzed by use of attractor in phase space, information dimensions ($D_0$ and D2), Lyapunov exponents and K-S entropy as well. Based on these results, it could be pointed out that the nature of defect seems to be identified more distinctively when the CAPD is combined with traditional statistical method such as PRPDA. Furthermore, the relationship between PD magnitude and the occurrence timing is investigated with a view to simulating PD phenomena.
Restoration of contaminated soils to an environmentally acceptable condition is important. One of the newer techniques in soil remediation is a method based on electrokinetic phenomena in soils. The technology uses electricity to affect chemical concentrations and water flow through the pores of soils. An important advantage of electrokinetic soil remediation over other in-situ processes such as soil flushing is the capability of control over the movement of the contaminants. Because the migration of the contaminants is confined by the electric field, there is little dispersion outside the treatment zone. Furthermore, the process is effective for soils with low and variable permeability. In the present study, the distributions of cadmium in the electrokinetic processing of kaolinite under the condition of constant applied voltage are investigated. Cadmium accumulates near the cathode without reducing the diffusion of hydroxide ion into the soil. In keeping the catholyte pH at neutrality, cadmium migrates toward the cathode without any accumulation of cadmium near the cathode and is successfully removed at the cathode reservoir. It was also found that the progress of electrokinetic processing of cadmium could be gasped to a certain extent by monitoring the local voltage and the current density.
Our work on $Sc_2O_3-W$ matrix dispenser cathodes had been reviewed in this paper. The cathode with uniform distribution of $Sc_2O_3$ had been obtained using liquid-liquid doping method. The cathode had excellent emission property, i.e., the emission current density in pulse condition could reach over $35A/cm^2$. It was found that the cathode surface was covered by a Ba-Sc-O active substance multilayer with a thickness of about 100 nm, which was different from the monolayer and semiconducting layer in thickness. Furthermore, the observation results displayed that nanoparticles appeared at the growth steps and the surface of tungsten grains of the fully activated cathode. The calculation result indicated that the nanoparticles could cause the increase of local electric field strengths. We proposed the emission model that both the Ba-Sc-O multilayer and the nanoparticles distributing mainly on the growth steps of the W grains contributed to the emission. The future work on this cathode has been discussed.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.22
no.7
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pp.63-74
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2017
Recently in the area of ICT, the M2M and IoT are in the spotlight as a cutting edge technology with the help of advancement of internet. Among those fields, the smart home is the closest area to our daily lives. Smart home has the purpose to lead a user more convenient living in the house with WLAN (Wireless Local Area Network) or other short-range communication environments using automated appliances. With an arrival of the age of IoT, this can be described as one axis of a variety of applications as for the M2H (Machine to Home) field in M2M. In this paper, we propose a novel technique for estimating the location of a terminal that freely move within a specified area using the RSSI (Received Signal Strength Indication) in the WLAN environment. In order to perform the location estimation, the Fingerprint and KNN methods are utilized and the LMS with the gradient descent method and the proposed algorithm are also used through the error correction functions for locating the real-time position of a moving user who is keeping a smart terminal. From the estimated location, the nearest fixed devices which are general electric appliances were supposed to work appropriately for self-operating of virtual smart home. Through the experiments, connection and operation success rate, and the performance results are analyzed, presenting the verification results.
a-Si solar cell has relatively dominant drift current when compared with crystalline solar cell due to the high internal electric field. Such drift current make an impact on the PV module in the local shading. In this paper, the a-Si PV module output characteristics of shading effects was approached in terms of process condition, because of the different deposition layer of thin film lead to rising the resistance. We suggested design condition to ensure the long-term durability of the module with regard to the degradation factors such as hot spot by analyzing the module specification. The result shows a remarkable difference on module uniformity for each shading position. In addition, the unbalanced power loss due to power mismatch of each module could intensify the degradation.
Individual DC voltage balance problem is an inherent issue for cascaded H-bridge (CHB) based converter. When the CHB-based static synchronous compensator (STATCOM) is operating at zero current mode, the software-based individual DC voltage balancing control techniques may not work because of the infinitesimal output current. However, the different power losses of each cell would lead to the individual DC voltages unbalance. The uneven power losses on the local supplied cell-controllers (including the control circuit and drive circuit) would especially cause the divergence of individual DC voltages, due to their characteristic as constant power loads. To solve this problem, this paper proposes an adaptive voltage balancing module which is designed in the cell-controller board with small size and low cost circuits. It is controlled to make the power loss of the cell a constant resistance load, thus the DC voltages are balanced in zero current mode. Field test in a 10kV STATCOM confirms the performance of the proposed method.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.183-184
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2005
In this paper. a new small size Lateral Trench Electrode Power IGBT is proposed. The entire electrode of proposed LIGBT is placed in trench oxide. The forward blocking voltage of the proposed LIGBT is improved by 1.6 times with that of the conventional LIGBT. The forward blocking voltage of proposed LIGBT is 500V. At the same size. a increase of the forward blocking voltage of about 1.6 times relative to the conventional LIGBT is observed by using TMA-MEDICI which is used for analyzing device characteristics. Because the electrodes of the proposed device are formed in trench oxide. the electric field in the device are crowded to trench oxide. We observed that the characteristics of i the proposed device was improved by using TMA-MEDICI and that the fabrication of the proposed device is possible by using TMA-TSUPREM4.
The capacity of passive metal to repassivate after film damage determines the development of local corrosion and the resistance to corrosion failures. In this work, the repassivation kinetics of 316L stainless steel (316L SS) was investigated in borate buffer solution (pH 9.1) using a novel abrading electrode technique. The repassivation kinetics was analyzed in terms of the current density flowing from freshly bare 316L SS surface as measured by a potentiostatic method. During the early phase of decay (t < 2 s), according to the Avrami kinetics-based film growth model, the transient current was separated into anodic dissolution ($i_{diss}$) and film formation ($i_{film}$) components and analyzed individually. The film reformation rate and thickness were compared according to applied potential. Anodic dissolution initially dominated the repassivation for a short time, and the amount of dissolution increased with increasing applied potential in the passive region. Film growth at higher potentials occurred more rapidly compared to at lower potentials. Increasing the applied potential from 0 $V_{SCE}$ to 0.8 $V_{SCE}$ resulted in a thicker passive film (0.12 to 0.52 nm). If the oxide monolayer covered the entire bare surface (${\theta}=1$), the electric field strength through the thin passive film reached $1.6{\times}10^7V/cm$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.197-197
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2011
In this study, in contrast with cases in which Scanning Tunneling Microscopy (STM) tip-induced reactions were instigated by the tunneling electrons, the local electric field, or the mechanical force between a tip and a surface, we found that the tungsten oxide (WO3) covered tungsten (W) tip of a STM acted as a chemical catalyst for the S-H dissociative adsorption of phenylthiol and 1-octanethiol onto a Ge(100) surface. By varying the distance between the tip and the surface, the degree of the tip-catalyzed adsorption could be controlled. We have found that the thiol head-group is the critical functional group for this catalysis and the catalytic material is the WO3 layer of the tip. After removing the WO3 layer by field emission treatment, the catalytic activity of the tip has been lost. 3-mercapto isobutyric acid is a chiral bi-functional molecule which has two functional groups, carboxylic acid group and thiol group, at each end. 3-Mercapto Isobutyric Acid adsorbs at Ge(100) surface only through carboxylic acid group at room temperature and this adsorption was enhanced by the tunneling electrons between a STM tip and the surface. Using this enhancement, it is possible to make thiol group-terminated surface where we desire. On the other hand, surprisingly, the WO3 covered W tip of STM was found to act as a chemical catalyst to catalyze the adsorption of 3-mercapto isobutyric acid through thiol group at Ge(100) surface. Using this catalysis, it is possible to make carboxylic acid group-terminated surface where we want. This functional group-selective adsorption of bi-functional molecule using the catalysis may be used in positive lithographic methods to produce semiconductor substrate which is terminated by desired functional groups.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.19
no.6
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pp.630-639
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2008
In this paper, we investigate the cause of throughput degradation on the wireless local area network(WLAN) and the reason of interference level change attributed to the spanned frequency in the presence of electromagnetic interference. We also measured and quantified the electric field strength of interference which yields the abrupt change of the throughput. Two units of WLAN and one unit of AP(Access Point) are configured to maintain the radio link. As the sources of interference, both the co-channel and adjacent-channel interference are considered and the critical values of electric field are provided for each case. Our experimental observations show that the signal strength generated from these interference sources is at most less than 54 dBuV/m @3 m in order to coexist between WLANs and other low power radio devices without any noticeable throughput decreases. Based on our empirical results, as far as 802.11b WLAN is concerned, we believe that the current domestic limit of the signal strength for an extremely low power radio device, 30.9 dBuV/m @3 m, can be increased as much as 23.1 dB.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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