The difference in lattice parameter and thermal expansion coefficient between GaN and Si which results in many defects into the grown GaN is larger than that between GaN and sapphire. In order to obtain high quality GaN films on Si substrate, it is essential to understand growth characteristics of GaN. In this study, GaN layers were grown on Si(111) substrates by MOCVD at three different GaN growth temperatures ($900^{\circ}C$, $1,000^{\circ}C$ and $1,100^{\circ}C$), using AlN and LT-GaN buffer layers. Using TEM, we carried out the comparative investigation of growth characteristics of GaN by characterizing lattice coherency, crystallinity, orientation relationship and defects formed (transition region, stacking fault, dislocation, etc). The localized region with high defect density was formed due to the lattice mismatch between AlN buffer layer and GaN. As the growth temperature of GaN increases, the defect density and surface roughness of GaN are decreased. In the case of GaN grown at $1,100^{\circ}$, growth thickness is decreased, and columns with out-plane misorientation are formed.
왁스 또는 긴사슬을 가지는 탄화수소는 동물, 식물, 광물 또는 합성에 의해 만들어 진다. 오일-왁스 겔은 립스틱과 같은 다양한 화장품 분야에 사용되어지고 있다. 예를 들면, 립스틱의 사용감촉은 오일-왁스 겔의 광택 정도에 크게 영향을 받는다. 여러 논문에서 단일 용매 또는 혼합된 용매에서의 왁스 구조에 대해서 연구가 진행되었다. 그러나 왁스 구조에 대한 연구 논문은 극히 소수에 불과하다. 이 논문의 목적은 세레신 왁스와 또 다른 왁스를 사용하여 오일-왁스 겔에서의 광택과 왁스 구조에 대한 관계를 연구하였다. 최근 들어 입술피부에서의 광택 효과는 아름다움의 척도로 알려지고 있다. 광택효과는 오일-왁스 메트릭스가 형성될 때 메트릭스 구조의 변화와 오일의 성질에 의해 좌우된다. 최근 연구에서는 세레신 왁스와 마이크로크리스탈린 왁스로부터 얻어진 오일-왁스 겔에서의 왁스 구조변화와 그에 따른 광택에 대한 영향을 보고하고 있다.
The traditional BCS superconductors $AOs_2O_6$ (A=K, Rb, and Cs) were investigated to find the relationship between their structures and superconducting transition temperatures. The $T_c$ decreases with increasing the unit cell parameter of $AOs_2O_6$. This is in contrast to the case of conventional BCS superconductivity in a single bond model, where $T_c$ may increase with increasing the the unit cell parameter since the DOS at Fermi level increases as the unit cell parameter increases. Instead, the $T_c$ of a $\beta$-pyrochlore oxide is proportional to the lattice softness of the compound.
ZnTe films have been grown on (100) GaAs substrate with two representative problems. The one is lattice mismatch, the other is thermal expansion coefficients mismatch of ZnTe /GaAs. It claims here, the relationship of film thickness and defects distribution with (100) ZnTe/GaAs using hot wall epitaxy (HWE) growth was investigated by transmission electron microscopy (TEM). It analyzed on the two-sort side using TEM with cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and high-resolution electron microscopy (HREM). Investigation into the nature and behavior of dislocations with dependence-thickness in (100) ZnTe/ (100) GaAs hetero-structures grown by transmission electron microscopy (TEM). This defects range from interface to 0.7 $\mu\textrm{m}$ was high density, due to the large lattice mismatch and thermal expansion coefficients. The defects of low density was range 0.7$\mu\textrm{m}$~1.8$\mu\textrm{m}$. In the thicker range than 1.8$\mu\textrm{m}$ was measured hardly defects.
We fabricate encapsulation-layer of OLED panel from organic-inorganic hybrid thin film by atomic layer deposition (ALD) molecular layer deposition (MLD) using Al2O3 as ALD process and Adipoyl Chloride (AC) and 1,4-Butanediamine as MLD process. Ellipsometry was employed to verify self-limiting reaction of MLD. Linear relationship between number of cycle and thickness was obtained. By such investigation, we found that desirable organic thin film fabrication is possible by MLD surface reaction in monolayer scale. Purging was carried out after dosing of each precursor to eliminate physically adsorbed precursor with surface. We also confirmed roughness of the organic thin film by atomic force microscopy (AFM). We deposit AC and 1,4-Butanediamine at $70^{\circ}C$ and investigated surface roughness as a function of increasing thickness of organic thin film. We confirmed precursor's functional group by IR spectrum. We calculated WVTR of organic-inorganic hybrid super-lattice epitaxial layer using Ca test. WVTR indicates super-lattice film can be possibly use as encapsulation in flexible devices.
Topology may described a pattern of existence of elements of a given set X. The family ${\tau}(X)$ of all topologies given on a set X form a complete lattice. We will give some topologies on this lattice ${\tau}(X)$ using a topology on X and regard ${\tau}(X)$ a topological space. A topology ${\tau}$ on X can be regarded a map from X to ${\tau}(X)$ naturally. Such a map will be called topology field. Similarly we can also define pe-topology field. If X is a topological flow group with acting group T, then naturally we can get a another topological flow ${\tau}(X)$ with same acting group T. If the topological flow X is minimal, we can prove ${\tau}(X)$ is also minimal. The disjoint unions of the topological spaces can describe some topological systems (topological organisms). Here we will give a definition of topological organism. Our purpose of this study is to describe some properties concerning patterns of relationship between topology fields and topological organisms.
For a multiplication R-module M we consider the Zariski topology in the set Spec (M) of prime submodules of M. We investigate the relationship between the algebraic properties of the submodules of M and the topological properties of some subspaces of Spec (M). We also consider some topological aspects of certain frames. We prove that if R is a commutative ring and M is a multiplication R-module, then the lattice Semp (M/N) of semiprime submodules of M/N is a spatial frame for every submodule N of M. When M is a quasi projective module, we obtain that the interval ${\uparrow}(N)^{Semp}(M)=\{P{\in}Semp(M){\mid}N{\subseteq}P\}$ and the lattice Semp (M/N) are isomorphic as frames. Finally, we obtain results about quantales and the classical Krull dimension of M.
The precipitates of $L2_1$-type $Ni_2AlHf$ phase in B2-ordered NiAl system has been observed by using transmission electron microscope (TEM). The hardness of as-quenched NiAl-Hf alloys is high due to the larger strengthening. However, age hardening of this alloy is not main effect to increase hardness compared to the large microstructural variations during aging. At the beginning of aging, the $L2_1$-type $Ni_2AlHf$ precipitates keep a lattice coherency with the NiAl matrix. The orientation relationship between the $Ni_2 AlHf$ precipitate and the NiAl matrix is <100>$_{Ni2AlHf}$//<100>$_{NiAl}$, {001}$_{Ni2AlHf}$//{001}$_{NiAl}$. By aging treatment for long time $Ni_2AlHf$ precipitates lost their coherency and change their morphology to the spherical ones surrounded by misfit dislocations. The orientation relationship between the NiAl matrix and the $Ni_2AlHf$ precipitates, however, has been kept even after longer aging time. The lattice misfit between the $Ni_2AlHf$ precipitate and the NiAl matrix has been calculated by the selected electron diffraction patterns, and the spacings of misfit dislocations is about 4.5% at 1173 K.
본 연구에서는 하위 요소로(sub-element) 구성된 3차원 대칭 단위 요소들로 조합된 트러스 격자 구조물의 연속적인 물성치를 제안하였다. 개별적인 트러스 격자 물성치는 균질화 작업을 통하여 유효한 응력과 변형률 관계로 이루어진 연속적인 물성치 모델로 나타낼 수 있다. 미시적인 규모(micro scale) 스트럿의 인장이나 압축 응답에 의한 축강성은 전체 격자재료의 대부분의 강도를 차지하고, 이러한 스트럿의 부피 분율(fraction)은 효과적인 강도뿐만 아니라 복제 가능한 단위 요소로 이루어진 격자판의 상대밀도에 큰 영향을 주었다. 그러므로 균질한 강성부재로 구성된 연속적인 구성모델은 미시적인 규모로 간주되는 스트럿의 강도, 내부응력 상태 및 부피 분율과 관련된 역학적인 특성들을 포함하고 있다는 것을 확인할 수 있었다. 미시적인 규모의 응력에서 소성흐름은 균질한 구성식에서 파생된 거시적인 규모에서의 (macro-scale)응력 표면에 있는 연속적인 응력함수의 영역을 확장한다. 따라서 본 연구를 통하여 3차원 대칭 단위요소 구조물의 기본 기하학을 조사하고 압력에 의존적인 마크로 규모에서의 (macro-scale) 응력함수를 예측하는 연속적인 소성모델을 공식화하였다.
A new topology in terms of order on fuzzy sets, revealing better the relationship between smooth topology and Chang's fuzzy topology, is presented in the paper. Some basic properties are discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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