Dipalmitoyl phosphatidylcholine(DPPC)과 dipalmitoyl phosphatidic acid(DPPA) 리포좀내 이중층의 열적 상전이에 미치는 칼슘과 페노치아진 유도체의 영향을 시차 열량 분석계로 연구하였다. 인지질 이중층은 가열시 어느 특정온도에서 급격한 구조적 변화를 가져왔다. 이러한 온도에 의존한 변화는 순수 인지질의 경우 특이할 만큼 예민하였다. 순수 인지질에 페노치아진 유도체를 가하였을 때 순수 인지질의 상전이 온도보다 낮은 온도에서 일어 났으며 상전이 열그림을 넓적하게 만들었다. 칼슘 이온은 DPPC: DPPA(34: 66mol%)의 상전이 온도를 높였다. 그러나 위의 혼합 인지질에 페노치아진 유도체를 가하였을 때 $73^{\circ}C$에서의 작고 넓적한 곡선 부분이 사라졌다. 이러한 현상은 아마도 칼슘과 폐노치아진 유도체의 산성 인지질의 친수부분에서 상호 경쟁적 작용에 기인된 것으로 추정되어진다.
For the investigation of dopant profiles in implanted $Si_{1-x}Ge_x$, the implanted B and As profiles are measured using SIMS (secondary ion mass spectrometry). The fundamental ion-solid interactions of implantation in $Si_{1-x}Ge_x$ are discussed and explained using SRIM, UT-marlowe, and T-dyn programs. The annealed simulation profiles are also analyzed and compared with experimental data. In comparison with the SIMS data, the boron simulation results show 8% deviations of $R_p$ and 1.8% deviations of ${\Delta}R_p$ owing to relatively small lattice strain and relaxation on the sample surface. In comparison with the SIMS data, the simulation results show 4.7% deviations of $R_p$ and 8.1% deviations of ${\Delta}R_p$ in the arsenic implanted $Si_{0.2}Ge_{0.8}$ layer and 8.5% deviations of $R_p$ and 38% deviations of ${\Delta}R_p$ in the $Si_{0.5}Ge_{0.5}$ layer. An analytical method for obtaining the dopant profile is proposed and also compared with experimental and simulation data herein. For the high-speed CMOSFET (complementary metal oxide semiconductor field effect transistor) and HBT (heterojunction bipolar transistor), the study of dopant profiles in the $Si_{1-x}Ge_x$ layer becomes more important for accurate device scaling and fabrication technologies.
Recently, one of the critical issues in the etching processes of the nanoscale devices is to achieve ultra-high aspect ratio contact (UHARC) profile without anomalous behaviors such as sidewall bowing, and twisting profile. To achieve this goal, the fluorocarbon plasmas with major advantage of the sidewall passivation have been used commonly with numerous additives to obtain the ideal etch profiles. However, they still suffer from formidable challenges such as tight limits of sidewall bowing and controlling the randomly distorted features in nanoscale etching profile. Furthermore, the absence of the available plasma simulation tools has made it difficult to develop revolutionary technologies to overcome these process limitations, including novel plasma chemistries, and plasma sources. As an effort to address these issues, we performed a fluorocarbon surface kinetic modeling based on the experimental plasma diagnostic data for silicon dioxide etching process under inductively coupled C4F6/Ar/O2 plasmas. For this work, the SiO2 etch rates were investigated with bulk plasma diagnostics tools such as Langmuir probe, cutoff probe and Quadruple Mass Spectrometer (QMS). The surface chemistries of the etched samples were measured by X-ray Photoelectron Spectrometer. To measure plasma parameters, the self-cleaned RF Langmuir probe was used for polymer deposition environment on the probe tip and double-checked by the cutoff probe which was known to be a precise plasma diagnostic tool for the electron density measurement. In addition, neutral and ion fluxes from bulk plasma were monitored with appearance methods using QMS signal. Based on these experimental data, we proposed a phenomenological, and realistic two-layer surface reaction model of SiO2 etch process under the overlying polymer passivation layer, considering material balance of deposition and etching through steady-state fluorocarbon layer. The predicted surface reaction modeling results showed good agreement with the experimental data. With the above studies of plasma surface reaction, we have developed a 3D topography simulator using the multi-layer level set algorithm and new memory saving technique, which is suitable in 3D UHARC etch simulation. Ballistic transports of neutral and ion species inside feature profile was considered by deterministic and Monte Carlo methods, respectively. In case of ultra-high aspect ratio contact hole etching, it is already well-known that the huge computational burden is required for realistic consideration of these ballistic transports. To address this issue, the related computational codes were efficiently parallelized for GPU (Graphic Processing Unit) computing, so that the total computation time could be improved more than few hundred times compared to the serial version. Finally, the 3D topography simulator was integrated with ballistic transport module and etch reaction model. Realistic etch-profile simulations with consideration of the sidewall polymer passivation layer were demonstrated.
Even though titanium(Ti) and its alloys are the most used dental implant materials, there are some problems that Ti wears easily and interferes normal osteogenesis due to the metal ions. Ti coated with bioactive ceramics such as hydroxyapatite has also such problems as the exfoliation or resorption of the coated layer, Recent studies on implant materials have been proceeding to improve physical properties of the implant substrate and biocompatibility of the implant surfaces. The purpose of the present study was to examine the physical property and bone tissue compatibility of bioinert nitrides ion plated Ti, Button type specimens(14mm in diameter, 2.32rrun in height) for the abrasion test and cytotoxicity test and thread type implants(3.75mm in diameter, 6mm in length) for the animal experiments were made from Ti(grade 2) and 316LVM stainless steel. Ti specimens were ion plated with TiN, ZrN by the low temperature arc vapor deposition, and the depth profile of the TiN/Ti, ZrN/Ti ion plated surface was examined by Auger Electron Spectroscopy. Three kind of button type specimens .of TiN/Ti, ZrN/Ti and Ti were used for abrasion test, and HEPAlClC7 cells and CCD cells were cultivated for 4 days with the specimens for cytotoxicity test. Thread type implants of TiN/Ti, ZrN/Ti, Ti, 316LVM were implanted on the femur of 6 adult dogs weighing 10kg-13kg. Two dogs were sacrified for histological examination after 45 days and 90 days, and four dogs were sacrified for the removal torque test of the implant') after 90 days. The removal torque force was measured by Autograph (Shimadzu Co., AGS-1000D series, Japan). Abrasion resistance of TiN/Ti was the highest, and that of ZrN/Ti and Ti were followed. The bioinert nitride ion plated Ti had much better abrasion resistance, compared with Ti, In the cytotoxicity test, the number of both cells were increased in all specimens, and there were no significant difference in cytotoxic reaction among all groups (p>0.1), In histological examination, 316LVM showed the soft tissue engagement in interface between the implant and bone, but the other materials after 45 days noted immature new bone formation in the medullary portion along the implant surface, and those after 90 days showed implant support by new bone formation in both the cortical and the medullary portion, The removal torque force of Tilv/Ti showed significantly higher than that of Ti(p(O,05). The difference in removal torque force between TiN/Ti and ZrN/Ti was not significant(p>0.05), and that of 316LVM was lowest among all groups(p<0.05). These results suggest that bioinert nitrides ion plated Ti can resolve the existing problems of Ti and bioactive ceramics, and it may be clinically applicable to human.
In this study, one-dimensional fiber-optic radiation sensor with an organic scintillator tip is fabricated to measure high energy X-ray beam profile of CLINAC. According to the energy and field size of X-ray, scintillating light signal from one-dimensional fiber-optic sensor is measured using a photodiode-amplifier system. This sensor has many advantages such as high resolution, real-time measurement and ease calibration over conventional ion chamber and film.
For integrated complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits, the lateral spread for two-dimensional (2-D) impurity distributions are very important for the analyzing the devices. The measured two-dimensional SEM data obtained using the chemical etching-method matched very well with the results of the Gauss model for boron implanted samples. But the profiles in boron implanted silicon were deviated from the Gauss model. The profiles in boron implanted silicon were shown a little bit steep profile in the deep region due to backscattering effect on the near surface from the bombardments of light boron ions. From the simulated 3-D data obtained using an analytical model, the 1-D and 2-D data were compared with the experimental data and could be verified the justification from the experimental data. The data of 3-D model were also shown good agreements with the experimental and the simulated data. It can be used in the 3-D chip design and the analysis of microelectro-mecanical system (MEMS) and special devices.
The aim of this investigation was to examine the antioxidation, physicochemical, and sensory activity of a Korean steamed-rice cake, Sulgidduk, fortified with water extracts from Moringa oleifera (M. oleifera) leaf. M. oleifera leaf extracts were added to rice powder at rations of 0.1%, 1% and 10%. To examine antioxidation properties, the scavenging activities of DPPH radicals, hydroxyl radicals, ABTS+ radicals, and ferric ion reducing antioxidant power were investigated. M. oleifera extracts significantly increased the antioxidation activities of Sulgidduk in a dose dependent manner (p<0.05). Physicochemical characteristics were measured by proximate composition, color, texture profile analysis, and sensory evaluations. As the concentration of M. oleifera leaf extracts increased, L-values and a-values significantly decreased while b-values increased. Texture profile analysis demonstrated that the control groups showed significantly higher values for hardness, cohesiveness, chewiness, and adhesiveness as compared with groups containing M. oleifera leaf extract (p<0.05). In the sensory evaluation, the sample containing 0.1% of M. oleifera leaf extract obtained the best results in overall preference. Taken together, these results suggest that M. oleifera leaf may have the potential to increase the consumer acceptability and the functionality of Sulgidduk.
Park, Kyu-Hwan;Yoon, Kyo-Joong;Kwon, Kyung-Hoon;Kim, Hyun-Sik
Mass Spectrometry Letters
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제1권1호
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pp.13-16
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2010
The active components in a plant extract can be represented as mass profiles. We introduce here a new, multi-compound discovery method known as Scaling of Correlations between Activity and Mass Profiles (SCAMP). In this method, a correlation coefficient is used to quantify similarities between the extract activity and mass profiles. The method was evaluated by first measuring the anti-oxidation activity of eleven fractions of an Astragali Radix extract using DPPH assays. Next, 15 T Fouriertransform ion cyclotron resonance (FT-ICR) MS was employed to generate mass profiles of the eleven fractions. A comparison of correlation coefficients indicated two compounds at m/z 285.076 and 286.076 that were strong antioxidants. Principal component analyses of these profiles yielded the same result. FT-ICR MS, which offers a mass resolving power of 500,000, was used to discern isotopic fine structures and indicated that the molecular formula corresponding to the peak at m/z 285.076 was $C_{16}H_{13}O_5$. SCAMP in combination with high-resolution MS can be applied to any type of mixture to study pharmacological activity and is a powerful tool for active compound discovery in plant extract studies.
The simple Langmuir isotherm is frequently employed to describe the equilibrium behavior of protein adsorption on a wide variety of adsorbents. The two adjustable parameters of the Langmuir isotherm - the saturation capacity, or $q_m$, and the dissociation constant, $K_d$ - are usually estimated by fitting the isotherm equation to the equilibrium data acquired from batch equilibration experiments. In this study, we have evaluated the possibility of estimating $q_m$ and $K_d$ for the adsorption of bovine serum albumin to a cation exchanger using batch kinetic data. A rate model predicated on the kinetic form of the Langmuir isotherm, with three adjustable parameters ($q_m,\;K_d$, and a rate constant), was fitted to a single kinetic profile. The value of $q_m$ determined as the result of this approach was quantitatively consistent with the $q_m$ value derived from the traditional batch equilibrium data. However, the $K_d$ value could not be retrieved from the kinetic profile, as the model fit proved insensitive to this parameter. Sensitivity analysis provided significant insight into the identifiability of the three model parameters.
Rawal, D.S.;Agarwal, Vanita R.;Sharma, H.S.;Sehgal, B.K.;Muralidharan, R.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제8권3호
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pp.244-250
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2008
An inductively coupled plasma etching process to replace an existing slower rate reactive ion etching process for $60{\mu}m$ diameter via-holes using Cl2/BCl3 gases has been investigated. Process pressure and platen power were varied at a constant ICP coil power to reproduce the RIE etched $200{\mu}m$ deep via profile, at high etch rate. Desired etch profile was obtained at 40 m Torr pressure, 950 W coil power, 90W platen power with an etch rate ${\sim}4{\mu}m$/min and via etch yield >90% over a 3-inch wafer, using $24{\mu}m$ thick photoresist mask. The etch uniformity and reproducibility obtained for the process were better than 4%. The metallized via-hole dc resistance measured was ${\sim}0.5{\Omega}$ and via inductance value measured was $\sim$83 pH.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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