A comprehensive study was provided to investigate the buckling behavior of the steel plates with and without through-thickness holes subjected to uniaxial compression using ABAQUS. The method was validated by the results reported in the literature. Using the critical stresses, the buckling coefficients ($K_c$) were calculated. The effects of inclusion of material nonlinearity, plate thickness (t), aspect ratio (AR), and initial imperfection on buckling resistance of the plate was studied. Besides, the effects of having the hole in the plate were also studied. The diameter of the hole was normalized by dividing by plate breadth and was given in the form of ${\alpha}$. Results showed that perforating one hole in the center of a plate increases the plate buckling resistance while the having two holes resulted in a decrease in the plate buckling resistance. The effects of hole eccentricity (Ecc) on the buckling resistance of the plate was studied. The position of the hole center was normalized by half of the plate breadth and length in X- and Y-directions, respectively. In this study, four cases of boundary conditions were considered, and the corresponding buckling behavior were studied combined with plate aspect ratio. It was observed that the boundary condition of the case I resulted in the highest buckling resistance. Finally, a comparison was made between the buckling behavior of the uniaxially and biaxially loaded plate. It was revealed that the buckling resistance of a biaxially loaded plate is lower half than half of that of the uniaxially loaded plate.
In this paper, we propose a new feature-based text watermarking for the binary text image. The structure of specific characters from preprocessed text image are modified to embed watermark. Watermark message are embedded and detected by the following method; Hole line disconnect using the connectivity of the character containing a hole, Center line shift using the hole area and Differential encoding using difference of flippable score points. Experimental results show that the proposed method is robust to rotation and scaling distortion.
We present preliminary numerical simulations of tilted-disk accretion around a rotating black hole. Our goal is to explore whether hydrodynamic instabilities near the Bardeen-Petterson radius could be responsible for generating moderate-frequency quasi-periodic oscillations in X-ray binaries. We review the relevant general relativistic hydrodynamic equations, and discuss preliminary results on the structure and dynamics of a thin, Keplerian disk.
Gravitational lensed quasar systems are usually modelled by a source quasar lensed by an isothermal sphere galaxy. But most galaxies are elliptical and have a supermassive black hole (SMBH) at its center. We study lensing by an ellipsoid with a central SMBH to investigate the additional lensing effects of a SMBH on the number, position, and magnification of lensed images. We apply the analysis to the observed lens system Q0957+561, and explore the possibility of testing the existence of SMBH at the center of the lensing galaxy.
Recent results from large surveys of the local universe show that the galaxy-black hole connection is linked to host morphology at a fundamental level and that there are two fundamentally different modes of black hole growth. The fraction of early-type galaxies with actively growing black holes, and therefore the AGN duty cycle, declines significantly with increasing black hole mass. Late-type galaxies exhibit the opposite trend: the fraction of actively growing black holes increases with black hole mass. Issues of AGN selection bias and prospects for near-future efforts with high redshift data are discussed.
Adherend-adhesive interface failure will occur on a macroscale when surface preparation or material quality are poor. It is well known that the stress singularity occurs at the edges of interface between the adhernds and the adhesive, and that crack will initiate from these positions. Also if bubbles are created and remained in the adhesive layer during the bonding process, the stress concentrates around these hole defects. In this paper, the effects of the hole defects on the SIF of interface crack were examined. From results, SIF increased with the hole defects near the interface crack and increased with an decreae in the upper adherend thickness, an increase in the center adhesive thickness.
Hole transport copolymers consisting of 3,4-ethylenedioxythiophene (EDOT) and N-4-butylphenyl-N,N-diphenylamine (BTPA) were synthesized by oxidative coupling reaction using $FeCl_3$ as an oxidant. These copolymers showed good solubility and their thin films showed sufficient morphological stability. The copolymers showed an absorption maximum around 320 nm. Copolymers had an oxidation peak at approximately $1.03{\sim}1.14V$ versus the Ag/AgCl electrode. The hole mobility increased with increasing portion of the EDOT unit. The hole mobility of the copolymer containing 57% of the EDOT unit showed the highest mobility of $3{\times}10^{-5}cm^2/V{\cdot}s$.
In this paper, we present the effect on a novel transmission line filter response by the etch hole position on the suspended ground and the residue on the resonator under ground plane. We defined the etch hole offset as the distance from the sidewall of the suspended ground to the nearest side of the etch holes. We simulated new filter responses to reflect the real value of the changed etch hole offset caused by characteristics of negative photoresist. Return loss is distorted by the residue on the center conductor remained after sacrificial layer removing. By comparison of simulation and measurements, we concluded the residue on the resonator distorted the RF response worse than etch hole offset variation did.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.227-227
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2014
OLED 소자에 사용되는 유기물들은 대부분 전자에 비해 정공의 이동속도가 매우 빨라 소자 효율의 손실이 일어난다. 본 연구에서는 이러한 전하 이동도의 불균형에 의한 OLED 소자 성능의 감소를 개선하기 위해 HBL (hole blocking layer) 물질로 BCP (HOMO : 6.5 eV, LUMO : 2.83 eV)를 도입하였다. 그러나 BCP의 LUMO 값이 약 3 eV를 가지기 때문에 전자의 이동에 영향을 미치는 것으로 예상되어 더 높은 효율을 가지는 소자를 제작하기 위해 host 물질을 상용물질(PGH02)로 교체하였다. PGH02의 HOMO 값은 약 5.86 eV로 소자에 사용된 HTL (hole transport layer)의 HOMO 값(5.54 eV)에 비해 높은 값을 가지기 때문에 HBL의 역할 역시 가능하여 소자의 성능이 상당히 개선되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 전하 이동도의 균형을 맞추기 위해 ETL 물질로는 기존에 많이 사용되고 있는 Alq3 (${\mu}{\sim}10-5cm2/Vs$)에 비해 이동도가 10배 이상 빠른 Bebq2 (${\mu}{\sim}10-4cm2/Vs$)를 사용하였다. HTL (hole transport layer) 물질로는 상용물질(LHT 259)를 사용하였고, LHT 259의 전하 이동도는 FET (field effect transistor)를 제작하여 측정하였다. 이를 기반으로 하여 ETL과 HTL의 두께를 조절하여 전하 이동도가 균형을 이루는 OLED 소자를 제작하기 위해 실험을 진행하였다.
Background: This study investigated the characteristics of optically stimulated luminescence dosimeters (OSLDs) with fully filled deep electron/hole traps in the kV energy ranges. Materials and Methods: The experimental group consisted of InLight nanoDots, whose deep electron/hole traps were fully filled with 5 kGy pre-irradiation (OSLDexp), whereas the non-pre-irradiated OSLDs were arranged as a control group (OSLDcont). Absorbed doses for 75, 80, 85, 90, 95, 100, and 105 kVp with 200 mA and 40 ms were measured and defined as the unit doses for each energy value. A bleaching device equipped with a 520-nm long-pass filter was used, and the strong beam mode was used to read out signal counts. The characteristics were investigated in terms of fading, dose sensitivities according to the accumulated doses, and dose linearity. Results and Discussion: In OSLDexp, the average normalized counts (sensitivities) were 12.7%, 14.0%, 15.0%, 10.2%, 18.0%, 17.9%, and 17.3% higher compared with those in OSLDcont for 75, 80, 90, 95, 100, and 105 kVp, respectively. The dose accumulation and bleaching time did not significantly alter the sensitivity, regardless of the filling of deep traps for all radiation qualities. Both OSLDexp and OSLDcont exhibited good linearity, by showing coefficients determination (R2) > 0.99. The OSL sensitivities can be increased by filling of deep electron/hole traps in the energy ranges between 75 and 105 kVp, and they exhibited no significant variations according to the bleaching time.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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