• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
• /
• 제49권5호
• /
• pp.299-301
• /
• 2000

Analytical expression for the breakdown voltage of the gated diodes were derived as f function of doping concentration and gate voltage, and verified by numerical simulations using ATLAS. The analytical results are in good agreement with simulation results within 5% error when the gate voltage changes from -50V to 130V in case of ND = $1\times1015 cm^{-3}$ and within 10% error when the doping concentration is changed from $5\times1014 cm^{-3}\; to\; 2\times1015 cm6{-3}$, respectively.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호
• /
• pp.1263-1265
• /
• 2007

The electrical characteristics of low temperature poly-Si (LTPS) thin-film transistors (TFT) with channel parallel and perpendicular to the direction of lateral growth were studied. The poly-Si film was crystallized using sequential lateral solidification (SLS) laser crystallization technique. The channel orientation dependent turn-on characteristics were investigated by using gated-diodes and capacitance-voltage measurements

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1995년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1205-1208
• /
• 1995

The optically-gated p-i-n diode switches have been fabricated with gold-compensated silicon. The turn-on and turn-off delay times and the rise and fall times were measured as a function of optical power level, bias, and pulse width. The turn-on characteristics shows a strong dependence an optical pulse power and a delay time(${\delta}{\iota}$) between two pulses, but a weak dependence on the width of optical pulse. Actually there is no turn-off delay in gold-doped p-i-n switches and the fall time is negligible.

• Journal of Information Display
• /
• 제7권2호
• /
• pp.16-21
• /
• 2006

The effect of improvement on the surface morphology of screen-printed carbon nanotube (CND) films was studied by using the optically clear poly-dimethylsiloxane (PDMS) elastomer for surface treatment. After the PDMS activation treatment was applied to the diode-type CNT cathode, the entangled carbon nanotube (CNT) bundles were broken up into individual free standing nanotubes to remarkably improve the field-emission characteristics over the as-deposited CNT film. Also, the cathode film morphology of a top gated triode-type structure can be treated by using the proposed surface treatment technique, which is a low-cost process, simple process. The relative uniform emission image showed high brightness with a high anode current. This result shows the possibility of using this technique for surface treatment of large-size field emission displays (FEDs) in the future.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제43권11호
• /
• pp.98-104
• /
• 2006

기존의 버스트 모드 자동전력제어 회로는 저 전력과 단일 칩화에 적합한 효율적인 구조인 반면에 데이터 율(data rate)이 높아짐에 따라 영의 밀도(zero density) 영향을 심하게 받아 에러를 야기하였다. 본 논문에서는 더블 게이트 MOS와 MOS다이오드를 이용하여 주입전류의 불균형을 보상하는 할 수 있는 새로운 구조의 첨두 비교기를 고안하고 이를 자동전력제어 회로에 적용하여 높은 데이터 율에서도 영의 밀도 변화에 강한 버스트 모드 자동전력제어 회로를 제안하였다. 제안한 자동전력제어 회로 내의 첨두 비교기는 높은 데이터 율에서 영의 밀도 변화에도 불구하고 정확한 전류비교 기준점을 견지하며 에러 없이 정상동작 하였다. 또한 제안한 첨두 비교기는 저전력 구조이고 대용량의 커패시터가 사용되지 않아 단일 칩화에도 적합하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제15권6호
• /
• pp.585-593
• /
• 2015

In the nanoscale regime, many multigate devices are explored to reduce their size further and to enhance their performance. In this paper, design of a novel device called, Triple Material Surrounding Gate Tunnel Field effect transistor (TMSGTFET) has been developed and proposed. The advantages of surrounding gate and tunnel FET are combined to form a new structure. The gate material surrounding the device is replaced by three gate materials of different work functions in order to curb the short channel effects. A 2-D analytical modeling of the surface potential, lateral electric field, vertical electric field and drain current of the device is done, and the results are discussed. A step up potential profile is obtained which screens the drain potential, thus reducing the drain control over the channel. This results in appreciable diminishing of short channel effects and hot carrier effects. The proposed model also shows improved ON current. The excellent device characteristics predicted by the model are validated using TCAD simulation, thus ensuring the accuracy of our model.

• 한국재료학회지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.173-178
• /
• 2007

Carbon nanotube cathodes(CNT cathodes) with a trench structure similar to gated structure of triode-type cathode were fabricated by a screen printing method using multi-walled carbon nanotubes. The effects of surface treatments on CNT cathodes were investigated for high efficiency field emission displays(FEDs). A liquid method easily removed the organic residue and protruded the CNTs. Field emission properties were measured by using a diode-type mode. The liquid method produced a turn-on field of $1.4V/{\mu}m$. The emission current density was measured about $3.1mA/cm^{2}$ at the electric field of $3V/{\mu}m$. The liquid method showed a high potential applicable to the surface treatment for triode-type FEDs.

• 한국의학물리학회지:의학물리
• /
• 제25권3호
• /
• pp.128-138
• /
• 2014

여닫이형 방사선 치료에서, 잔여 움직임으로 인하여 방사선은 실직적인 질병의 부위 뿐만이 아니라 주변 정상조직까지 투여 되도록 되어 있다. 비록 표적이 방사선 투여 중 움직이지만, 방사선이 최소한도로 실질적인 부위 (임상적 표적 체적)에 조사되기를 원한다. 본 연구의 목적은 여닫이형 치료에 있어서 방사선이 실질적인 표적에 투여되는지를 검증하고, 여닫이 범위, 움직임의 정도 및 임상적 표적체적의 크기의 변화에 따라, 표적및 주변 조직에 투여되는 방사선의 경향을 연구하는 데 있다. 이 목적을 달성하기 위하여, 실험 및 이론적인 연구를 고안하여 수행하였다. 직육각형 및 피라미드형의 표적 체적을 내포하는 팬텀을 만들어 움직이며 4차원 영상을 얻었다. 여러 여닫이 범위를 얻어진 영상에 적용하여 치료계획용 내부표적(표적체적 및 내부 움직임범위포함)을 만들었다. 직육각형 표적에는 전통적인 치료계획을 그리고 피라미드형 표적에는 세기 변조형 치료계획을 세웠다. 평판형 다이오드에 치료계획에서 얻어진 여닫이형 방사선을 수직으로 조사하여 실험적으로 선량평가를 수행하였고 또한 움직이는 상황에서 선량투여를 전산적으로 모사하였다. 본 연구는 두 표적에 대한 반음영 영역의 확장 및 움직임으로 인하여 방해 받았으나 확실하게 수행된 표적 선량투여 그리고 주변 조직에 투여된 상당량의 선량등을 수반하는 잔여움직임의 영향을 정량적으로 그리고 해석적으로 분석하였다. 선량-체적 히스토그램 분석에 따르면, 내부표적에는 여닫이 범위 또는 움직임 정도가 감소함에 따라 또한 표적체적이 증가함에 따라 선량이 증가함을 보였고, 내부 움직임 범위에 해당하는 체적에 대하여는 여닫이 범위 또는 움직임 정도가 감소함에 따라 선량이 증가하였고, 마지막으로 주변 정상조직에 대하여는, 내부 움직임 범위와는 반대의 경향을 보였다. 본 연구는 잔여움직임의 영향에 대하여 확실한 이해를 주었고 호흡행태가 재생되는한 불연속적인 투여과 표적의 움직임에도 불구하고 여당이형 방사선 치료는 안전함을 입증하였다. 본연구에서 수반된 절차와 전산적 모델은 여닫이형 치료의 시작점 검증, 주기적인 품질관리 및 환자별 검증에 사용될 수 있다. 환자별 영상에 선량을 재구성하는 방향으로 추후 연구가 필요하다.

• 전자공학회논문지A
• /
• 제33A권2호
• /
• pp.96-113
• /
• 1996

고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층 내에 존재하는 부정합 전위는 웨이퍼 가장자리에서 발생됨을 알았으며, 이 층을 도핑되지 않은 영역으로 둘러쌓음으로써 부정합 전위가 억제된 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층을 형성할 수 있었다. 이를 이용하여 부정합 전위가 없는 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘 멤브레인을 제작하였으며, 이 멤브레인의 표면 거칠기 및 파괴 강도 그리고 잔류 인장 응력을 각각 20$\AA$ 1.39${\times}10^{10}dyn/cm^{2}$ 그리고 2.7${\times}10^{9}dyn/cm^{2}$로 측정되었다. 반면에 부정합 전위를 포함하는 기존 멤브레인은 각각 500$\AA$ 8.27${\times}10^{9}dyn/cm^{2}$ 그리고 9.3${\times}10^{8}dyn/cm^{2}$로 측정되었으며, 두 멤브레인의 이러한 차이는 부정합 전위에서 기인함을 알았다. 측정된 두 멤브레인의 Young's 모듈러스는 1.45${\times}10^{12}dyn/cm^{2}$로 동일하게 나타났다. 또, 도핑 농도 1.3${\times}10^{12}dyn/cm^{3}$에 대한 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘의 유효 격자 상수 및 기존 멤브레인의 평면적 격자 상수 그리고 기존 멤브레인 내의 부정합 전위의 밀도는 각각 5.424$\AA$ 5.426$\AA$ 그리고 2.3${\times}10^{4}$/cm 로 추출되었으며, 붕소가 도핑된 실리콘의 부정합 계수는 1.04${\times}10^{23}$/atom으로 추출되었다. 한편 별도의 추가적인 공정없이 일반적인 에피 성장법을 사용하여 고농도로 붕소가 도핑된 실리콘층 위에 부정합 전위가 없는 에피 실리콘을 성장시켰으며, 이 에피 실리콘의 결정성은 매우 양호한 것으로 밝혀졌다. 또 부정합 전위가 없는 에피 실리콘에 n+/p 게이트 다이오드를 제작하고 그 전압-전류 특성을 측정한 결과 5V의 역 바이어스에서 0.6nA/$cm^{2}$의 작은 누설 전류값을 나타내었다.