• 분석과학
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• 제17권5호
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• pp.375-380
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• 2004

고진공 및 고압장치를 이용하여 온도와 압력변화에 따른 친핵성치환반응을 속도론적으로 연구하여, 속도상수와 활성화파라미터 및 Hammett ${\rho}$값을 구하였다. ${\Delta}V^{\ddag}$, ${\Delta}{\beta}^{\ddag}$ 및 ${\Delta}S^{\ddag}$는 모두 음의 값을 나타내었으며, 모든 압력 조건에서 친핵체의 치환기효과 ${\rho}x$는 음의 값을 나타내었다. 압력이 증가함에 따라 반응속도는 증가하였으며, 진공상태에서의 반응속도는 다소 감소함을 알 수 있었으며, 반응은 $S_N2$ 반응메카니즘을 따름을 알 수 있었다.

• 대한화학회지
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• 제48권5호
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• pp.461-466
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• 2004

고진공 및 고압에서 친핵체변화에 따른 반응을 온도변화에 따라 속도론적으로 연구하였다. 유사1차반응속도상수, 2차반응속도상수, 열역학함수 및 Hammett ${\rho}$ 값을 구하였다. ${\Delta}V^{\neq},\;{\Delta}{\beta}^{\neq}\;및\;{\Delta}S^{\neq}$는 모두 음의 값을 나타내었으며, 모든 압력 조건에서 친핵체의 치환기효과 ${\rho}$x는 음의 값을 나타내었다. 전체적인 반응은 전형적인 $S_N2$ 반응메카니즘을 따르며, 압력과 친핵체 변화에 따라 반응메카니즘에 변화가 생김을 알 수 있다.

• 한국진공학회지
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• 제2권2호
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• pp.131-138
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• 1993

독일의 1.2GeV 전자 저장링 델타(DELTA)에 대한 초전도 비대칭 다극 위글라에 대한 연구계획이 진행 중에 있다. 본 연구에서는 이 삽입장치의 비선형 효과에 대한 영향이 연구되었다. 표준 라티스(lattice)는 고려된 오차들에 관한 빔역학적인 문제에 대해서 안정함을 보였다.

• 천문학회지
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• 제16권2호
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• pp.55-63
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• 1983

From UBVRI photometry and space motion data of 232 late type dwarf stars, it is found that for the stars of (R-I)<0.5, $\Delta$(U-B) and $\Delta$(B-V) color excesses are correlated with their orbital eccentricities. Therefore, $\Delta$(U-B) and $\Delta$(B-V) color excesses can be used as possible photometric abundance indicators for the stars of (R-I)<0.5. For the stars of (R-I)${\geq}$0.5, the correlation between color excess and orbital eccentricity is not clear. However, it is interesting to note that the high orbital eccentricity stars show some blue deficiencies and these blue deficiencies seem to be correlated with orbital eccentricity.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제27권5_6호
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• pp.1119-1132
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• 2009

In this paper, we consider the quasilinear elliptic system $\\div(|{\nabla}u|^{p-2}{\nabla}u)=u(a_1u^{m1}+b_1(x)u^m+{\delta}_1v^n),\;\\div(|{\nabla}_v|^{q-2}{\nabla}v)=v(a_2v^{r1}+b_2(x)v^r+{\delta}_2u^s)$, in $\Omega$ where m > $m_1$ > p-2, r > $r_1$ > q-, p, q $\geq$ 2, and ${\Omega}{\subset}R^N$ is a smooth bounded domain. By constructing certain super and subsolutions, we show the existence of positive blow-up solutions and give a global estimate.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1118-1120
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• 1997

This paper presents a simple method for evaluating of voltage stability using the line flow equation. Line flow equations ($P_{ij}$, $Q_{ij}$) are comprised of state variable, $V_i$, ${\delta}_i$, $V_j$ and ${\delta}_j$, and line parameter, r and x. Using the feature of polar coordinate, these becomes one equation with two variables, $V_i$ and $V_j$. Moreover, if bus j is slack or generater bus, which is specified voltage magnitude, it becomes one equation with one variable $V_i$, that is, may be formulated with the second-order equation for $V_i^2$. Therefore, multiple load flow solutions may be obtained with simple computation, and the formulated equation used for approximately evaluating of voltage stability limit considering line flow sensitivity. The proposed method was validated to 2-bus and IEEE 6-bus system.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제19권4호
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• pp.263-272
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• 2002

보현산 천문대의 1.8m 망원경을 이용하여 1999년 10월 19일부터 21일까지 총 3일간 W UMa형 접촉쌍성 V523 Cas를 CCD 측광관측하여 총 616 (308의 ${\Delta}$b점, 308의 ${\Delta}$v점) 개의 관측점을 얻었다. 우리의 관측점으로부터 4개의 새로운 극심시각(주극심 2개, 부극심 2개)을 산출하였다. 우리가 얻은 BV 광도곡선과 Milone et al.(1985)의 시선속도곡선을 Wilson-Devinney(WD) 방법으로 흑점이 있는 경우와 없는 경우로 나누어 광도곡선의 해를 산출하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.234-240
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• 2013

본 논문에서는 단일-극 커패시터 방식의 터치센서를 위한 incremental 델타-시그마 아날로그-디지털 변환기를 설계하였다. 델타-시그마 모듈레이터의 구조는 단일비트 2차 cascade of integrators with distributed feedback(CIFB)를 사용하였으며 $0.18-{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. Incremental 델타-시그마 아날로그-디지털 변환기의 입력으로 이어지는 센서가 넓은 입력 범위를 얻고 높은 정확성을 가지도록 변환기 앞에 shielding 신호와 디지털적으로 조절 가능한 오프-셋 커패시터를 위치시켰다. 본회로의 공급전압은 2.6 V에서 3.7 V이며 ${\pm}10-pF$의 입력범위를 가지고 fF 이하의 해상도를 필요로 하는 단일-극 커패시터 방식의 터치센서에 적합하다.

• 전기전자학회논문지
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• 제22권3호
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• pp.786-792
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• 2018

본 논문에서는 저전력 센서용 아날로그-디지털 변환기를 위한 cascade of integrator feedback (CIFB) 구조의 3차 시그마-델타 아날로그 모듈레이터가 제안된다. 제안된 시그마-델타 아날로그 모듈레이터는 gain-enhanced current-mirror 기반 증폭기를 사용하는 3개의 스위치 커패시터 적분기, 단일 비트 비교기, 그리고 비중첩 클럭 발생기로 구성된다. 160의 오버 샘플링 비율과 90.45dB의 신호 대 잡음비를 가지는 시그마-델타 아날로그 모듈레이터는 1.2V 공급 전압의 $0.11{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계되며, $0.145mm^2$의 면적과 $341{\mu}W$의 전력을 소모한다.

• 전자공학회논문지
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• 제52권7호
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• pp.33-39
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• 2015

본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 $10^6$, $6.43cm^2/V{\cdot}s$, 7.1V, 0.88V/dec로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 ${\Delta}V_{th}$는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 ${\Delta}V_{th}$는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.