• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2004년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.1132-1135
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• 2004

Recently. our construction industry is using 4D-CAD system but the public Database (DB) for the 4D-CAD system is insufficiently built. It is difficult to connect 4D-CAD system information such as schedule, drawings. Therefore this study suggest a methodology to link the 4D-CAD system information with work breakdown structure(WBS) and the methodology suggested in this study was applied to a 4D-CAD system

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권1호
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• pp.71-76
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• 1994

Schottky diodes have been fabricated using the SDB wafer, and their characteristics have been investigated. For comparison, conventional planar and etched most structure were made on the same substrate. The ideality factor and barrier height of the fabricated devices are found to be 1.03 and 0.77eV, respectively. Breakdown volttge of the etched mesa Schottky diode has been increased to 180V. whereas it is 90V for the planar diode. Schottky diode with an etched mesa exhibits twice improvement in breaktown voltage.

• 시스템엔지니어링워크숍
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• 통권1호
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• pp.60-64
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• 2003

In this study, we have analyzed the cost of korea high-speed railway system. The predicted cost in planning phase and adjustment data to 5th year are collected. Then, predicted cost is compared with adjustment in year/item/system base. We make a project history table for criteria to review project history and research & development activity. We have developed CBS(cost breakdown structure) and allocated adjustment data to them. It is shown that cost prediction related to research & development activity in planning phase is relatively correct.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권2호
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• pp.58-62
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• 2005

A trench MOS barrier Schottky (TMBS) rectifier is proposed which utilizes the upper half of the trench sidewall as an active area. The proposed structure improves the forward voltage drop by 20$\%$ in comparison with the conventional one without degradation in breakdown voltage. An analytical model for the field distribution is given and compared with two-dimensional numerical simulations.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2002년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.163-165
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• 2002

LDD구조를 가진 LDMOS 전력소자의 LDD영역과 채널영역변화에 의한 전기적 특성을 비교 조사하였다. MEDICI 시뮬레이션 tool을 이용하여 hot-carrier전류의 특성, ON 저항의 변화, breakdown 전압의 특성과 switch transient 특성을 조사하였다. Gate-drain 사이의 불순물도핑 영역 및 농도에 따른 소자의 특성해석은 LDD구조를 가진 LDMOS가 hot-carrier resistance 및 전력소모 관점에서 우수한 특성을 나타낼 것으로 사료된다

• 한국철도학회:학술대회논문집
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• 한국철도학회 2002년도 추계학술대회 논문집(I)
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• pp.376-381
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• 2002

In this study, we have analyzed the cost of korea high-speed rail project. The predicted cost in planning phase and adjustment data to 5th year are collected. Then, predicted cost is compared with adjustment in year/item/system base. We make a project history table for criteria to review project history and research ＆ development activity. We have developed CBS(cost breakdown structure) and allocated adjustment data to them. It is shown that cost prediction related to research St development activity in planning phase is relatively correct.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1994년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.46-49
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• 1994

In order to investigate possibility of CV cable diagnosis technique, residual insulation characteristics of .long - term serviced 0.6 kV CV Cable are examined by DC leakage current residual voltage tensile strength, cross1inking density and AC & impulse breakdown. Also effect of cable structure and water tree are reported

• 한국건설관리학회논문집
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• 제19권2호
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• pp.15-24
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• 2018

국내 건설산업에서 생산성 정보의 필요성과 그 활용에 대한 중요성 인식에도 불구하고, 현장 단위의 공사계획 시 효과적인 피드백을 통한 생산성 정보관리가 미흡한 실정이다. 공사계획의 신뢰성을 향상하기 위해서는 생산성 정보의 효과적인 활용이 요구되지만, 현장에서는 공사계획을 관리자의 경험 및 직관에 의존하고 있다. 생산성 정보가 효과적으로 관리되지 못하는 이유는 생산성 정보의 관리를 위한 추가 인력투입이 어렵다는 점, 기존의 생산성 정보가 새로운 프로젝트에 적용되기 어렵다는 점 등 때문인 것으로 파악되었다. 이러한 문제의 해결방안을 제시하기 위해서 선행연구조사 및 면담조사를 하였고 그 결과 새로운 시스템이 필요하다는 사실을 확인하였다. 새로운 시스템의 요구사항으로는 최소화된 업무, 한정된 정보관리범위, 정보의 분류, 정보의 피드백, 생산성 저하요인의 고려 등이 있다. 본 연구에서는 상기 내용을 바탕으로 생산성 저하요인 및 생산성 정보의 관리가 가능한 시스템의 프레임워크를 제안하였다. 이 시스템은 사용자 접근성이 좋은 SketchUp 소프트웨어를 활용하여 프로그램의 활용에 따른 추가인력의 투입이나 업무량 증가를 최소화할 수 있도록 하였다. 제안한 시스템은 준비단계, 입력단계, 처리단계, 출력단계의 총 네 단계의 과정을 통해서 정보를 입력하여 처리하고 출력하도록 하였다. 입력한 시공정보는 건축공사 표준시방서에 기재된 내용을 참고로 구성한 Task Breakdown Structure (TBS)와 Material Breakdown Structure (MBS)를 통해서 분류되어 생산성 정보로 변환되도록 하고, 변환된 정보를 그래픽으로 화면에 출력하도록 하여 사용자는 이를 활용해 해당 현장에서의 생산성 정보를 활용할 수 있도록 하였다. 본 연구에서 제안한 생산성 정보관리 시스템을 K 사옥 공사현장에 대입하여 현장적용 가능성 및 정보 활용성 측면에서 검증하였고, 사용성 및 적용 가능성에서 매우 긍정적인 결과와 정보 활용에 따른 이득이 있을 것으로 예상되었다. 본 시스템을 활용할 경우 생산성 정보를 활용한 공사계획이 가능할 것이고 추후 정보가 지속해서 누적될 경우, 본 연구의 기대효과는 더욱 높아질 것으로 사료된다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권3호
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• pp.263-267
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• 2014

Super junction trench gate power MOSFETs have been receiving attention in terms of the trade-off between breakdown voltage and on-resistance. The vertical structure of super junction trench gate power MOSFETs allows the on-resistance to be reduced compared with conventional Trench Gate Power MOSFETs. The heat release of devices is also decreased with the reduction of on-resistance. In this paper, Lattice Temperature of two devices, Trench Gate Power MOSFET and Super junction trench gate power MOSFET, are compared in several temperature circumstance with the same Breakdown Voltage and Cell-pitch. The devices were designed by 100V Breakdown voltage and measured from 250K Lattice Temperature. We have tried to investigate how much temperature rise in the same condition. According as temperature gap between top of devices and bottom of devices, Super junction trench gate power MOSFET has a tendency to generate lower heat release than Trench Gate Power MOSFET. This means that Super junction trench gate power MOSFET is superior for wide-temperature range operation. When trench etching process is applied for making P-pillar region, trench angle factor is also important component. Depending on trench angle, characteristics of Super junction device are changed. In this paper, we focus temperature characteristic as changing trench angle factor. Consequently, Trench angle factor don't have a great effect on temperature change.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권1호
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• pp.8-14
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• 2012

전체 채널 폭은 같지만 핀 수와 핀 폭이 다른 n-채널 MuGFET의 특성을 측정 비교 분석하였다. 사용된 소자는 Pi-gate 구조의 MuGFET이며 핀 수가 16이며 핀 폭이 55nm인 소자와 핀 수가 14이며 핀 폭이 80nm인 2 종류의 소자이다. 측정 소자성능은 문턱전압, 이동도, 문턱전압 roll-off, DIBL, inverse subthreshold slope, PBTI, hot carrier 소자열화 및 드레인 항복전압 이다. 측정 결과 핀 폭이 작으며 핀 수가 많은 소자의 단채널 현상이 우수한 것을 알 수 있었다. PBTI에 의한 소자열화는 핀 수가 많은 소자가 심하며 hot carrier에 의한 소자열화는 비슷한 것을 알 수 있었다. 그리고 드레인 항복 전압은 핀 폭이 작고 핀 수가 많은 소자가 높은 것을 알 수 있었다. 단채널 현상과 소자열화 및 드레인 항복전압 특성을 고려하면 MuGFET소자 설계 시 핀 폭을 작게 핀 수를 많게 하는 것이 바람직하다.