• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.292-295
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• 2002

In this work, transient characteristics of NPT(Non Punch Through)-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) have been studied with different temperatures analytically. Power losses are caused by heat generated in MIT-IGBT for steady state and transient state conditions. We therefore have focused on the analysis of excess carrier concentration and excess charge injected into N-drift layer with different temperatures and have obtained anode voltage drop during turn-off with lifetime of 2.4[${\mu}$s].

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2008년도 추계학술대회A
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• pp.26-29
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• 2008

In the fields of electronics and displays where inkjet printing has demonstrated its capability to fabricate colorant subpixels of thin film transistor liquid crystal(TFT LCD) color filters and organic light emitting diode (OLED) displays, conducting tracks and TFTs, the production of satellite droplets is one of primary things to eliminate because they generally deteriorate the pattern quality. To understand the production mechanism of satellite droplets in this paper, driving waveforms such as monopolar and bipolar were employed and the influence of the pulse duration time were investigated in both experimental and numerical aspects.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제12권9호
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• pp.57-63
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• 1999

SOI 구조의 MOSFET은 제조공정이 상대적으로 간단하며 CMOS 래치 업 현상이 일어나지 않고, soft error에 의한 회로의 오동작 가능성이 매우 낮은 이외에도 낮은 기생 정전용량 및 누설전류 특성을 가지므로 0.1 미크론 이하의 소자를 제작하는데 적합하여 저전압, 초고속 VLSI 설계에 적합한 소자로 각광받고 있다. 본고에서는 새로운 구조의 SOI MOSFET 구조들의 특성과 장, 단점을 검토하고 나아가 BJT(Bipolar Junction Transistor) 및 기타 소자들을 SOI 구조로 제작한 결과에 대해 간단히 검토함으로써 1999년 현재 SOI 기술의 현황을 소개하고자 한다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.57-58
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• 2006

As the power density and switching frequency increase, thermal analysis of power electronics system becomes imperative. The analysis provides valuable information on the semiconductor rating, long-term reliability. In this paper, thermal distribution of the Non Punchthrough(NPT) Insulated Gate Bipolar Transistor has been studied. For analysis of thermal distribution, we obtained results by using finite element simulator, Ansys and thermal distributions form experiments.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권12호
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• pp.2001-2009
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• 1989

This study suggests the use of fuzzy model in the semiconductor devices modeling as a black box approach. When membership functions of fuzzy sets used in a fuzzy model are simple piecewise-linear functions, the fuzzy model can be reresented in a simple equation. To show that the fuzzy model can be very realistic and simple when used in semiconductor devices modeling, we construct fuzzy models for bipolar transistor, MOSFET and GaAs FET, and compare those with canonical piecewise-linear models.

• 전자공학회지
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• 제19권5호
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• pp.1-15
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• 1992

기억소자의 발달은 진공관식 기억소자로부터 cathode ray tube식 기억소자, magnetic core 기억소자를 거쳐 monolitic 반도체 기억소자로 이어진다. 반도체 기억소자는 planar bipolar transistor를 이용한 기억소자가 처음 소개 되었으나, 고집적 기억소자의 기초를 마련한 것은 MOS DRAM의 효시인 Intel의 1Kb DRAM(1971년)인 것이다. 약 20년 후인 1990년에는 4M DRAM의 양산과 16M DRAM의 개발 완료가 이룩되었으며, 이는 약 10만배의 집적도의 증가를 의미한다. 여기서 우리는 DRAM의 발전과정을 공정, 설계, 제품의 기술적 측면과 전략적 측면에서 고찰하고 앞으로의 전망을 예측해 보고자 한다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제6권3호
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• pp.261-268
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• 1993

LIGBT의 전압-전류 특성을 디자인 파라미터와 공정 파라미터를 포함한 SPICE Simulation으로 확인하였다. 중요한 파라미터는 p-body와 n$^{-}$층 그리고 p$^{+}$ 애노드로 구성된 pnp bipolar transistor의 수평전류이득이었다. 이 전류 이득은 Ebers-Moll등식으로 얻었다. LIGBT의 On 저항은 채절 저항(R$_{E}$ )과 인가된 게이트 전압에 종속되는 유효 벌크 저항(R2)으로 구성되며 On 저항의 해석과 모델링은 디바이스의 디자인 조건을 최적화하기 위해서 기하학적 구조와 도핑 프로파일에 따른 물리적 특성으로부터 전개하여 특성해석을 위한 모델링을 실시하여 제시하였다.

• 한국진공학회지
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• 제14권1호
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• pp.29-34
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• 2005

실리콘-게르마늄 바이시모스(SiGe BiCMOS) 소자 제작시 발생하는 실리콘-게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터(SiGe HBT) 열화 현상에 대하여 고찰하였다. 독립적으로 제작된 소자에 비해 SiGe BiCMOS 공정에서의 SiGe HBT소자는 얼리 전압(Early voltage), 콜렉터-에미터 항복전압 및 전류이득등의 DC특성이 열화되고 상당한 크기의 베이스 누설전류가 존재한다는 것을 알 수 있었다. 또한 AC 특성인 차단주파수(f/sub T/) 및 최대 진동주파수(f/sub max/)도 1/2이하로 현저하게 저하되는 것을 확인하였다. 이는 고온의 소오스-드레인 열처리에 의한 붕소의 농도분포 변화가 에미터-베이스 및 콜렉터-베이스 접합 위치에 변화를 주고, 결국 실리콘-게르마늄 내에서의 접합 형성이 이루어지지 않아 전류 이득이 감소하고 기생 장벽이 형성되어서 발생한 현상이다.

• 전기전자학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.110-117
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• 2008

본 연구는 전력용 스위칭 소자로 널리 활용되고 있는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)소자로서 NPT(Non Punch Through) IGBT 구조에 기반 한 새로운 구조의 IGBT를 제안하였다. 제안된 구조는 기존 IGBT 구조의 P-베이스 영역 우측 부분에 N+를 도입함으로 N-드리프트 영역의 정공분포를 N+영역으로 밀집시켜 턴-오프 시 정공의 흐름을 개선, 기존 구조보다 더 빠른 턴-오프 시간과 더 낮은 순방향 전압강하를 갖는 구조이다. 또한 P+를 게이트 우측 하단에 형성함으로써 순방향 전압 강하 특성을 개선시키기 위해 도입한 캐리어 축적 층인 N+에 의해 발생하는 낮은 래치-업 특성과 낮은 항복 전압 특성을 개선시킨 구조이다. 시뮬레이션 결과 제한된 구조의 턴-오프와 순방향 전압강하는 기존 구조대비 각각 0.3us, 0.5V 향상된 특성을 보였다.

• 전자공학회논문지
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• 제49권12호
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• pp.194-200
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• 2012

본 논문에서는 SPICE 시뮬레이션을 위한 고전압 insulated gate bipolar transistor(IGBT)의 개선된 모델을 제안하였다. IGBT를 부속 소자인 MOSFET과 BJT의 조합으로 구성하고, 각 소자의 각종 파라미터 값을 조절하여 기본적인 전류-전압 특성과 온도변화에 따른 출력특성의 변화 등을 재현하였다. 그리고 비선형적인 리버스 트랜스퍼 커패시턴스 등의 기생 커패시턴스의 전압에 따른 변화를 높은 정확도로 재현하기 위해, 복수의 접합 다이오드, 이상적인 전압 및 전류 증폭기, 전압제어 저항, 저항과 커패시터 수동소자 등을 추가하였다. 본 회로모델을 1200V급의 트렌치 게이트 IGBT의 모델링에 이용하였으며, 실측자료와 비교하여 통해 모델의 정확도를 검증하였다.