Matrix-induced mass bias and its effect on the accuracy of isotope ratio measurements have been examined for a quadrupole-based inductively coupled plasma-mass spectrometer (Q ICP-MS). Matrix-induced mass bias effect was directly proportional to % mass difference, and its magnitude varied for element and nebulizer flow rate. For a given element and conditions in a day, the effect was consistent. The isotope ratio of Cd106/Cd114 under $200{\mu}g\;g^{-1}$ U matrix deviated from the natural value significantly by 3.5%. When Cd 111 and Cd114 were used for the quantification of Cd with isotope dilution (ID) method, the average of differences between the calculated and measured concentrations was -0.034% for samples without matrix ($0.076{\mu}g\;g^{-1}$ to $0.21{\mu}g\;g^{-1}$ for the period of 6 months). However, the error was as large as 1.5% for samples with $200{\mu}g\;g^{-1}$ U. The error in ID caused by matrix could be larger when larger mass difference isotopes are used.
The purpose of this study was to identify the reasonable gathering conditions as consider of effect of gathering and variation of silhouette made by gathering conditions. The experimental design consists of four factorial design: (1) three kinds of different weight and different thickness fabrics (2) three kinds of different stitch densities (3) five kinds of different ratio of gathers (4) three kinds of different angles. Therefore one hundred thirty five (135) samples were made. Data analysis utilize SPSS WIN 10.0 Package. The results of this study were as follows: 1. In the aspect of fabrics, it is shown the visual propriety that it is as thin as the small stitch, and as thick as the big stitch. 2. As stitch densities, it shows the different stabilized nodes. 3. In the aspect of ratio of gathers, it is shown the visual propriety that a few was small stitches, which help formations of nodes, and a lot were big stitches, which help increased the effect of gather. 4. In the aspect of angle of bias, the drape appearance was excellent as a sample of cutting by 0 angle(0$^{\circ}$) of bias. The big stitches that help formations of stabilized nodes, and a case of cutting by 45 angle(45$^{\circ}$) of bias was small stitch.
Solution-processed oxide thin-film transistors (TFTs) have garnered great attention, owing to their many advantages, such as low-cost, large area available for fabrication, mechanical flexibility, and optical transparency. Negative bias stress (NBS)-induced instability of sol-gel IGZO TFTs is one of the biggest concerns arising in practical applications. Thus, understanding the bias stress effect on the electrical properties of sol-gel IGZO TFTs and proposing an effective recovery method for negative bias stressed TFTs is required. In this study, we investigated the variation of transfer characteristics and the corresponding electrical parameters of sol-gel IGZO TFTs caused by NBS and positive bias recovery (PBR). Furthermore, we proposed an effective PBR method for the recovery of negative bias stressed sol-gel IGZO TFTs. The threshold voltage and field-effect mobility were affected by NBS and PBR, while current on/off ratio and sub-threshold swing were not significantly affected. The transfer characteristic of negative bias stressed IGZO TFTs increased in the positive direction after applying PBR with a negative drain voltage, compared to PBR with a positive drain voltage or a drain voltage of 0 V. These results are expected to contribute to the reduction of recovery time of negative bias stressed sol-gel IGZO TFTs.
Silicon carbide (SiC) was etched in a $NF_3/CH_4$ inductively coupled plasma. The etch process was modeled by using a neural network called generalized regression neural network (GRNN). For modeling, the process was characterized by a $2^4$ full factorial experiment with one center point. To test model appropriateness, additional test data of 16 experiments were conducted. Particularly, the GRNN predictive capability was drastically improved by a genetic algorithm (GA). This was demonstrated by an improvement of more than 80% compared to a conventionally obtained model. Predicted model behaviors were highly consistent with actual measurements. From the optimized model, several plots were generated to examine etch rate variation under various plasma conditions. Unlike the typical behavior, the etch rate variation was quite different depending on the bias power Under lower bias powers, the source power effect was strongly dependent on induced dc bias. The etch rate was strongly correated to the do bias induced by the gas ratio. Particularly, the etch rate variation with the bias power at different gas ratio seemed to be limited by the etchant supply.
This paper investigated the preference change of payment terms in international trade along with counteroffer or first offer conditions of the other parties. Studies on trade payment terms have mainly focused on payment term determination factors such as firm size, product price level, country credit rate, etc. We tried to find other factors affecting payment terms choice, during the negotiation process. We applied behavioral economics theories such as 'Status Quo Bias' and 'Anchoring effect' to build our research model. To prove the existence of the above effects, we proceeded with field experiments to the exporting companies in Alibaba.com. Both 'Status Quo Bias' and 'Anchoring effect' were found in the field experiment. Most of the exporting companies preferred traditional payment methods to new payment methods. And an initial request for a low advance payment ratio led to a lower advance payment ratio. Also, the experience of using new payment methods could diminish status quo bias. This paper applied behavioral economics theories and field experiment methodology to the payment term studies in international trades. These attempts could contribute to expanding the diversity of methodology and scope of international trade studies.
표본조사에서는 정확한 모수 추정을 위한 다양한 방법이 개발되었으며 이 중에서 보조정보를 이용한 비추정량 또는 회귀추정량이 흔히 사용된다. 최근 많은 연구가 진행되고 있는 비형태추정량(ratio type estimator)은 비추정량의 단점을 보완하여 추정의 정확성을 향상시키는 것으로 알려져 있다. 그러나 비형태추정량은 편향이 있는 것으로 알려져 있어 이를 해결하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이에 본 연구에서는 편향을 제거하기 위해 비형태추정량에 새로운 모수를 추가한 일반화 비형태추정량(generalized ratio-type estimator)을 제안하였다. 또한 사업체조사와 같이 등분산성을 만족하지 않는 자료에서 추정의 정확성 향상을 위해 모형의 오차에 포함된 분산 모수를 추정하고 제안된 추정량을 적용하는 방법을 제안하였다. 또한 모의실험을 통해 일반화 비형태추정량은 기존의 비추정량에 비해 매우 우수한 결과를 주는 것을 확인하였다.
An investigation made of the variations of angle of bias on the top of the sleeve cap curve line and calculated easing contraction ratio by capheights(A ; a,h$\times$5,/6) B: A, H/4 +4cm C:A.H/3 D: A.H/ 4+3cm E:AH/4+2cm, F: A,H/4+1cm, G: A,H/4, H:A,H/6, I:A,H/8) and the efects of easing contraction on the cap curve lines of sleeve A, D, G by easing stitch density with the gathering foot: sewing condition-lockstitch industrial machine stitch density(N1.0 ; 38stitches/3cm N1.5: 26stitches/3cm, N2.0 ; 19stitches/3cm, N2.5 ; 14stitches/ 3cm) The results obtained were as follows; 1) The variations of the angle of bias on the top of the sleeve cap curve line by cap heights can be done according to the angle balance (front; $\alpha$-$\beta$ back ; $\alpha$'- $\beta$') between the angle (front ;$\alpha$, $\beta$, back ; $\alpha$'- $\beta$') of bias of the two base-lines. 2) The higher cap height the more higher the calculated easing contraction ratio. 3) The lower the stitch density the higher easing contraction ratio. 4) The effects of easing contraction was that sleeve G was more than sleeve A, D.
Microwave plasma CVD 다이아몬드/Ti 박막 성장 시 CH₄/H₂ 가스의 유량비율, chuck bias, microwave power 등이 다이아몬드 박막의 구조적 특성과 입자밀도에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 2∼3 CH₄ Vol.% 조건일 때 sp³-결합성의 탄소 neutral 들이 우선적으로 형성되고 sp²-결합성의 탄소 neutral 들이 선택적으로 제거됨에 따라 양질의 다이아몬드 박막을 얻을 수 있었으며, 다이아몬드 입자 증착 기구를 해석하였다. Ti 기판에 걸어준 negative chuck bias가 증가함에 따라 다이아몬드 핵생성이 증진되어 다이아몬드 입자 밀도가 증가하였고, 임계 전압은 약 -50V 임을 확인하였다. 또한, microwave power가 증가함에 따라 미세결정질(micro-crystalline) graphite 층 생성이 제어되고 다이아몬드 층이 형성됨을 확인하였다.
자기 저항 헤드용 자기 교환 결합 $NiFe/TbCo/Sio_{2}$ 박막을 RF diode 스퍼터링 방법을 이용하여 제조하고, 그 자기적 특성을 측정하였다. TbCo 박막은 Co 타겟 위에 Tb 조각을 부착한 복합 타겟을 사용하였다. 30%의 Tb 면적을 갖는 타겟으로 제조된 NiFe($400\AA$)/TbCo($1500\AA$)/$SiO_{2}$($500\AA$) 시편은 기판 바이어스를 인가하지 않았을 때 25 Oe, 기판 바이어스-55 V를 인가했을 때 12 Oe의 교환자장을 나타냈다. 기판 바이어스 -55 V 이하에서 유효 수평 보자력으 TbCo 층의 수직 보자력에 거의 비례하였고, 28%의 Tb 면적비를 갖는 시편에서도 같은 경향을 나타내었다. 그러나, 교환 자장은 기판 바이어스가 인가되지 않은 경우에 4 Oe로, -55 V에서 7 Oe로 각각 감소하 였다. 1000 W, Tb 면적비 36%에서 증착된 시편에서 100 Oe 정도의 교환 자장을 얻었으며, 보자력은 3 Oe로 작았다. 그리고, NiFe의 두께가 두꺼워짐에 따라 교환 자장의 크기가 감소하였다.
Communications for Statistical Applications and Methods
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제10권3호
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pp.627-635
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2003
In this short communication we discuss the bias problem of C4.5 in split variable selection and suggest a method to reduce the variable selection bias among categorical predictor variables. A penalty proportional to the number of categories is applied to the splitting criterion gain of C4.5. The results of empirical comparisons show that the proposed modification of C4.5 reduces the size of classification trees.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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