• Radiation Oncology Journal
• /
• 제15권4호
• /
• pp.393-402
• /
• 1997

목적 : 공기동을 포함한 병소 부위에 X-선원을 조사할 경우 공동과 근접한 영역에서의 저흡수선량 효과는 잘 알려져 있다. 공기-연조직 사이의 불균질면의 한 예로 후두 모형 즉, 조직 둥가물질과 그 사이에 삽입되어 있는 공기동을 만들었다. 본 연구에서는 방사선의 선질 조사면의 크기 공기동의 크기에 따른 공동 가까이에서의 흡수선량의 변화를 살펴보았다. 대상 및 방법 : 4-, 6-, 10-MV X-선원을 이용하여 2cm(폭)$\times$L(cm, 길이)$\times$2cm(높이)인 공기동을 포함한 후두 모형의 아크릴 팬톰에 대하여 흡수선량을 측정하였다. 흡수선량의 측정장비로 평행판전리함과 전리계를 이용하였다. 제작한 후두의 기하학적 치수는 상부 연조직$\cdot$공기동$\cdot$하부 연조직의 두께가 각각 4-, 2-, 4-cm이었다. 공기동이 없이 균일한 연조직 팬톰에 대한 공기동이 있는 경우의 흡수선량의 비(O/E)를 공기 공동-연조직의 경계로부터 거리를 변화시키면서 측정하였다. 표준화된 중강곡선과 최대흡수선량에 대한 입사면 반대쪽 표면에서의 흡수선량의 비를 초사면의 크기를 변화시키면서 측정하였다. 공기동의 크기에 따른 효과를 알기 위하여 여러 가지 조사면에 대하여 투영된 크기가 4cm(폭)$\times$L인 공기동의 높이(Z)를 변화시켜서 측정하였다. 결과 : 4-MV선원에서 $5cm\times5cm$ 이상의 조사면에서는 저흡수선량 효과가 없었다. 6-이나 10-MV선원에서 작은 조사야 즉, $4cm\times4cm$와 $5cm\times5cm$에서는 후두에 저흡수선량 부위가 나타났으며 $6cm\times6cm$ 이상의 조사면에서는 이 효과가 관찰되지 않았다. 선원의 선질이 증가할수록 저흘수선량인 조직층이 증가하였고 이때 표면 흡수선량의 크기는 변하지 않았다. 조사면의 크기가 $4cm\times4cm$에서 $8cm\times8cm$로 증가할 때 최대흡수선량에 대한 입사면 반대쪽의 공기동의 표면 선량은 4-, 6-, 10-MV 선원에서 각각 0.95, 0.92, 0.91에서 0.99로 증가하였다. 6-이나 10-MV 선원에서 공기동 표면에서의 흡수선량은 $5cm\times5cm$ 조사면에 있어서 예상값보다 각각 2-, 3-퍼센트의 감소가 있었고 또 4-MV에서는 감소효과를 발견할 수 없었다. $4cm\timesL\timesZ$ 공기동에서 그높이(Z)를 0.6에서 4.8cm까지 변화시켰을 때 조사면의 크기가 $8cm\times8cm$에서 공동의 크기에 무관하게 O/E>1.0이 관찰되었다. 결론 : 조사면내 공기동에 의한 저흘수선량 효과는 방사선의 선질$\cdot$조사면의 크기$\cdot$공기동의 크기에 의존된다. 이상의 연구 결과에서 고선질 선원이 공동을 포함한 병소 특히, 종양이 공기동의 표면까지 미치는 부위에 조사될 째 특별한 주의가 필요함을 알 수 있다. 이 경운 가능하면 조사되는 부위가 저전량이 되지않도록 저선질의 선원(예를 들면, 4-MV)을 쓰고 또 조사면을 넓혀야한다. 6-이나 10-MV 등의 고선질의 X-선을 쓰는 경우에는 조사면의 부위에 저선랸 부위가 생기므로 한번의 추가 조사를 더 시행할 필요가 있다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
• /
• 제21권4호
• /
• pp.243-248
• /
• 2004

FUSE(Far Ultraviolet Spectroscopic Explorer)를 이용해 7개의 초기형 별 방향에 존재하는 CO 흡수선을 관측했다. BEFS(Berkeley Extreme and Far-ultraviolet Spectrometer)로 관측한 54개의 초기형 별들 중에서 이번 논문에서는 시선방향으로 1개의 성간운만 존재하는 7개의 별(HD 37903, HD 97991, HD 149881, HD 156110, HD 164794, HD 214080, HD 219188)들을 선택해서 분석했다. CO 분자의 분석을 위해 자외선 영역에서 수소분자의 흡수선에 의해 가려지지 않는 E-X(0-0)($1076{\AA}$) 흡수선이 있는지 확인했으며 그 결과 3개의 별 방향에 존재하는 성간운에 대해서 CO 흡수선이 있는 것을 발견했다. 그 흡수선의 분석을 통해 성간운에 존재하는 CO의 기둥밀도를 구했고, 이번 논문에서의 결과와 이전에 구했던 수소분자의 기둥밀도로부터 CO분자와 수소분자 사이의 비율(CO to $H_2$ ratio)을 계산할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제29권8호
• /
• pp.470-475
• /
• 2016

In this study, $Zn_xMn_{3-x}O_4$ (x=0.95~1.20) specimens were prepared by using a conventional mixed oxide method. All specimens were sintered in air at $1,200^{\circ}C$ for 12 h and cooled at a rate of $2^{\circ}C/min$ to $800^{\circ}C$, subsequently quenching to room temperature. We investigated the structural and electrical properties of $Zn_xMn_{3-x}O_4$ specimens with variation of ZnO amount for the application of NTC thermistors. As results of X-ray diffraction patterns, all specimens showed the formation of a complete solid solution with tetragonal spinel phase. And, the second phase was observed by the solubility limit of Zn ions in $x{\geq}1.10$ composition. The average grain size was increased from $2.72{\mu}m$ to $4.18{\mu}m$ with increasing the compositional ratio of Zn ion from x=0.95 to 1.20, respectively. $Zn_{1.10}Mn_{1.90}O_4$ specimen showed the minimum electrical resistance of $57.5k{\Omega}$ at room temperature and activation energy of 0.392 eV.

• 한국진공학회지
• /
• 제9권4호
• /
• pp.360-366
• /
• 2000

LSMCD (Liquid Source Misted Chemical Deposition)공정으로 Sr/Ta몰비 0.35~0.65 조성범위에서 150 nm 두께의 $Sr_xBi_{2.4}Ta_2O_9$ (SBT)박막을 제조하여, Sr/Ta몰비에 따른 결정상과 미세구조, 강유전 특성 및 누설전류 특성을 분석하였다. LSMCD 공정으로 제조한 SBT박막은 Sr/Ta 몰비 0.425의 조성에서 최적의 강유전 특성을 나타내어 $\pm$5 V의 구동전압 인가시 15.01 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$의 잔류분극 $2P_{r}$과 41kV/cm의 항전계 $E_{c}$를 나타내었다. LSMCD공정으로 제조한 Sr/Ta 몰비 0.35~0.5 범위의 SBT 박막은 100 kV/cm의 전기장 하에서 $10^{-5}$A/$\textrm{cm}^2$ 미만의 낮은 누설전류 밀도를 나타내었으며, $\pm$5V의 구동전압 인가시 $10^{10}$회의 스위칭 후에도 잔류분극 감소가 1% 미만인 우수한 분극피로 특성을 나타내었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제4권5호
• /
• pp.566-573
• /
• 1994

연소화염법을 이용한 다이아몬드 박막합성시 기판표면온도 및 온도분포에 가장 크게 작용하는 공정변수는 탄화수소량을 결정하는 산소/아세틸렌 가스의 혼합비(R=O/sub 2/C/sub 2/H/sub 2/)이다. 본 연구에서는 혼합가스비율 변화 (R=0.87-0.98)에 따른 기판표면온도 및 온도분포를 측정하고, 이들 변수에 따른 다이아몬드 박막의 생성 및 결정형상의 변화과정을 SEM관찰, Raman 분광분석 및 X-선 회절 분석을 통해 조사하였다. 혼합가스비율의 증가에 따라 다이아몬드의 생성입자 수밀도는 감소하였고, 이와 동시에 결정형상도 (111)면과 (100)면이 혼재된 cobo octahedron형에서 octahedron인 (111)면으로 변화되었다. 한편, 기판온도증가에 따라 생성입자의 수밀도가 증가하고 성장속도도 빨라져 조대한 결정을 얻었으며, 생성된 입자형성은 (111)면애 지배적이다가 (100)결정면이 점차 많아지는 양상을 나타내었다.

• Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
• /
• 제10권E호
• /
• pp.311-324
• /
• 1994

The quantitative knowledge of N $O_{\gamma}$ (＝N $O_{x}$ ＋HN $O_3$＋/PAN＋N $O_3$ ＋$N_2$ $O_{5}$ ＋HN $O_2$＋N $O_3$$^{-10}$ ＋organic nitrates＋......)distribution is essential in tropospheric chemistry, especially, especially that related to understanding the processes leading to ozone production. Ambient concentrations of NO, N $O_2$, HN $O_3$ and PAN as well as total N $O_{\gamma}$ were measured during June and early July 1992 at a rural site(Candor, NC), in the central Piedmont region of NC. The measurements of N $O_{\gamma}$ species were made in an effort to provide a comprehensive understanding of nitrogen chemistry and to investigate the total nitrogen budget at the site. N $O_{\gamma}$, N $O_2$, and NO showed diurnal variations with maxima in the morning. The maximum N $O_{\gamma}$ concentration reached was 14.5 ppbv, and the maximum concentrations of NO and N $O_2$ were 5.4 and 7.8 PPbv, respectively. The mean N $O_{\gamma}$ concentration as found to be 2.88$\pm$1.58 ppbv(n=743). The mean concentrations of NO and N $O_2$, were found to be 0.15 $\pm$ 0.29 ppbv(n＝785) and 1.31 $\pm$ 0.99 ppbv(n＝769). Products of photochemical oxidants, (N <$O_{\gamma}$-N $O_{x}$ ), such as HN $O_3$ and PAN, as well as ozone showed diurnal variation with maxima in the afternoon and minima at night The fractions of individual reactive nitrogen species to total N $O_{\gamma}$ were investigated and contrasted to the results from remote marine site and rural continental sites. N $O_{x}$ was the major species to total N $O_{\gamma}$(45%). NO concentrations appeared to be nearly constant whether the Prevailing winds were from continental areas or from oceanic areas. Linear regression of $O_3$ with (N $O_{\gamma}$- N $O_{x}$ )/N $O_{\gamma}$ (i.e. percent N $O_{x}$ converted to the photochemical products of N $O_{\gamma}$) yielded ( $O_3$) ＝25.8 〔 N $O_{\gamma}$-N $O_{x}$ 〕/(N $O_{\gamma}$) ＋27, ( $r^{2}$＝0.58). The regression intercept is interpreted as the ozone back ground (intercept=27ppbv) and the slope suggests that 8.6 molecules of ozone are formed per molecule of N $O_{x}$ oxidized products (when the average N $O_{\gamma}$ concentration, about 3 ppbv at the site, is used). The N $O_{x}$ N $O_{\gamma}$ ratio was used as an indicator of the chemical age of airmasses and the ratio showed strong positive correlations with HN $O_3$( $r^{2}$=0.58), PAN ( $r^{2}$=0.46) and $O_3$( $r^{2}$=0.62). Larger N $O_{\gamma}$ and N $O_{x}$ N $O_{\gamma}$ ratio were found when winds came from continental sides. It may suggest that synoptic meteorological conditions and transport of N $O_{x}$ are important in the distribution of N $O_{\gamma}$ and its relationship with photochemical oxidants at the site.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
• /
• 제10권7호
• /
• pp.706-712
• /
• 1997

AlN(Aluminium Nitride) thin films were prepared using by RF sputtering method on the Si(100) and Si(111) substrates as the parameters of the substrate temperature, RF power, sputtering duration and the $N_2$/Ar ratio and investigated by X-ray diffraction, IR spectrometry, n&k analyzer. For the Si(100) substrate, the AlN thin films of (101) orientation were obtained under the conditions of room temperature and the nitrogen of 60 vol.%. For the Si(111) substrate, the (002) AlN thin films were obtained under the nitrogen of 100 vol.%. In case of the thin film prepared in the condition of above 60 vol.% of the nitrogen, the average value of the surface roughness of the film was 151$\AA$. From the changes of the half widths of E$_1$[TO] phonon bands at the wavenumber of 680$cm^{-1}$ /, it were compared of the crystallinities of the films which were grown under the different conditions. The thicknesses of AlN films were decreased dramatically in the region of the nitrogen of 40~60 vol.%. Its due to the nitridation of the Al target surface and getting low of the sputtering yield by the $N_2$/Ar ratio being increased.

• 한국연소학회:학술대회논문집
• /
• 한국연소학회 2004년도 제28회 KOSCO SYMPOSIUM 논문집
• /
• pp.173-179
• /
• 2004

Combustion of refuse derived fuel(RDF) and refuse plastic fuel (RPF) was carried out in a lab-scale circulating fluidized bed. Experiment was investigated cold flow visualization. RDF was made by C & tech and RPF was made by KRS. The results include distribution of temperature in the combustion chamber, and concentrations of flue gas such as $O_2$, $CO_2$, CO, $NO_x$ and HCs Micro G.C(gas chromatograph) was employed to find out concentration of He Temperature distribution was different when RDF and RPF were burnt respectably. As air ratio became increased, $CO_2$, CO, and total of HCs emissions were decreased. According to the number of carbon atom of HCs, HC were classified as five kinds of HC.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.33-36
• /
• 1996

AIN thin films were prepared using by Rf sputtering method on the GaAs(170) substrate and investigated by X-ray diffractometer, IR spectroscopy, n&k system. The parameters were the substrate temperature, RF power, sputtering duration and the $N_2$/Ar ratio. The AlN thin films of (101) orientation were obtained under the conditions of room temperature and the nitrogen of 60 vol.%. The crystallinity of the films, which were grown respectively under the different conditions, were determined by the comparison of the band width of an E$_1$[TO:680$cm^{-1}$ /] phonon mode. The thicknesses of AlN films were decreased dramatically in the region of the nitrogen of 40~60 vol.% according to the increment of the $N_2$/Ar ratio by which the sputter yield got lower.

• 대한전자공학회논문지
• /
• 제27권9호
• /
• pp.1402-1408
• /
• 1990

We studied the electrical, optical and structural properties of microcrystalline silicon thin films prepared by a new chemical vapour deposition technique, called filament assisted(FA)-CVD. The microcrystalline silicon is sucessfully deposited when the hydrogen dilution ratio exceeds 30. The Raman peak at 520 cm-1 and the X-ray diffraction peak at 27.7\ulcorner0.2\ulcornerbecome sharper with increasing hydrogen dilution ratio. We obtain high quality microcrystalline Si by FA-CVD with optical gap of \ulcorner2.2eV and hydrogen content of \ulcorner3 at %.