• 전기전자학회논문지
• /
• 제22권4호
• /
• pp.1202-1205
• /
• 2018

본 논문에서는 4H-SiC물질 기반으로 제작된 ggNMOS를 제안하고 전기적 특성을 분석하였다. 4H-SiC는 Wide Band-gap 물질로 Si 물질 보다 면적대비 특성과 고전압 특성이 뛰어나 전력반도체 분야에 주목받고 있다. 제안된 소자는 높은 감내 특성과 Strong snapback 특성을 가진다. 공정은 SiC 공정으로 이루어 졌으며 TLP 측정 장비를 통해 전기적 특성을 분석하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제34권1C호
• /
• pp.81-89
• /
• 2009

본 논문에서는 임펄스 라디오 기반의 D-ATR UWB (Differential-Average Transmitted Reference Ultra Wide Band) 시스템을 제안한다. 기존의 TR (Transmitted Reference), ATR (Average TR) 등의 TR-UWB 시스템은 송신기에서 참조 신호를 추가로 전송하므로 데이터 전송률이 절반으로 감소하는 문제점을 가지고 있다. 이러한 단점을 극복하기 위해 제안된 시스템의 송신기는 일반적인 D-TR (Differential-TR) 시스템과 같이 차동부호 방식을 사용한다. 또한, 제안된 D-ATR 시스템의 수신기는 일반적인 ATR 시스템과 유사하게 시스템의 비트오율 성능을 향상시키기 위해 수신된 참조 신호들을 재귀적으로 평균 취하여 자기상관에 사용되는 참조 템플릿의 신호대잡음비를 향상시킬 수 있는 구조로 설계된다. IEEE 802.15.4a UWB 다중경로 채널 모델에서 모의실험 결과, 제안된 D-ATR 시스템은 일반적인 D-TR 시스템에 비해 비트오율 성능이 크게 향상되는 것을 확인하였다.

• 대한조선학회논문집
• /
• 제55권6호
• /
• pp.466-473
• /
• 2018

Most frequency domain-based approaches assume that structural response should be a Gaussian random process. But a lot of non-Gaussian processes caused by multi-excitation and non-linearity in structural responses or load itself are observed in many real engineering problems. In this study, the effect of non-Normality on fatigue damages are discussed through case study. The accuracy of four frequency domain methods for non-Gaussian processes are compared in the case study. Power-law and Hermite models which are derived for non-Gaussian narrow-banded process tend to estimate fatigue damages less accurate than time domain results in small kurtosis and in case of large kurtosis they give conservative results. Weibull model seems to give conservative results in all environmental conditions considered. Among the four methods, Benascuitti-Tovo model for non-Gaussian process gives the best results in case study. This study could serve as background material for understanding the effect of non-normality on fatigue damages.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
• /
• pp.3-6
• /
• 2004

반도체 디자인, 공정 기술 및 패기지 기술의 발달에 따라 전력용 반도체는 소형화, 고성능화, 지능화하고 있다. 고속 구동이 용이한 때문에 MOSFET이나 IGBT등의 MOS-gate형 전력 반도체의 발전이 두드려지며, trench, charge balance, NPT 기술등이 패키지 기술과 더불어 이를 위한 주요 기술이 될것으로 보인다. SiC나 GaN등의 Wide Band Gap 물질들을 사용한 차세대 전력 반도체 연구도 활발히 진행되고 있다.

• 대한토목학회논문집
• /
• 제6권2호
• /
• pp.85-91
• /
• 1986

심해나 해상조건이 나쁜 지점에서 운영될 해양구조물의 설계시에는 파랑하중에 대한 구조물의 피로수명예측이 매우 중요하다. 본 논문에서는 랜덤파랑하중에 의해 해양구조물에 발생되는 응력의 bandwidth가 구조물의 피로수명예측 결과에 주는 영향에 대하여 연구하였다. 구조물의 동적거동해석은 비선형 점성저항력의 선형화를 통한 주파수영역해법을 사용하여 수행되었으며, 랜덤응력스펙트럼을 구하고 이를 바탕으로 피로해석을 수행하였다. 피로손상의 예측을 위한 랜덤응력 cycle의 산정은 narrow band cycle 산정법과 함께 wide band process 에 대하여 더 적정한 rainflow cycle 산정법을 사용하였다. 수심이 다른 지점에 위치한 2개의 구조물을 택하여 예제해석을 수행하였으며, 두 응력 cycle 산정법에 의해 얻은 피로해석 결과들을 비교하고 응력의 bandwidth의 영향을 분석하였다.

• 한국통신학회논문지
• /
• 제30권10C호
• /
• pp.965-975
• /
• 2005

본 논문에서는 향후 초고속 W-PAN(Wireless Personal Area Network)을 위한 유력한 전송 기술로서 각광받고 있는 MB-OFDM UWB(Multi-Band Orthogonal Frequency Division Multiplexing Ultra Wide Band) 시스템의 동기화를 위한 효과적인 반송파 및 샘플링 주파수 오프셋 결합 추정 기법을 제시하고 성능을 평가하였다. 이를 위해 PLCP(Physical Layer Convergence Procedure) 프리앰블 내의 채널 추정 시퀀스를 이용하고 MB-OFDM UWB 시스템 기술 규격 및 주파수 운용 방식을 고려하였으며, 반송파와 샘플링 주파수 오프셋을 결합 추정하는 방법으로서 먼저 샘플링 주파수 오프셋을 추정하고 추정된 샘플링 주파수 오프셋을 이용하여 반송파 주파수 오프셋을 추정하는 방식을 적용하였다. 또한 추정된 오프셋 값들의 신뢰도 향상을 위해 각 과정에서 가중치 기반의 주파수 오프셋 추정 기법을 사용하였다. IEEE 802.15 Task Group 3a에서 제공하는 4가지 UWB 실내 채널 모델을 이용한 모의실험 결과, 각 부채널에서의 수신 신호 평균 전력을 반영하는 제안된 간단한 형태의 가중치 기반 추정 기법의 성능이 채널의 주파수 응답을 사용하여 완벽한 채널 추정을 필요로 하는 이상적인 방법에 비해 훨씬 낮은 복잡도로 유사한 성능을 얻을 수 있음을 확인 하였다.

• 한국정밀공학회지
• /
• 제12권5호
• /
• pp.25-32
• /
• 1995

In highly automated milling process, in-process monitoring of the malfunction is indispensable to ensure efficient cutting operation. Among many malfunctions in milling process, chatter vibration deteriorates surface finish, tool life and productivity. In this study, the monitoring system of chatter vibration for face milling process is proposed and experimentally estimated. The monitoring system employs two types of sensor such as cutting force and acceleration in sensory detection state. The RMS value and band frequency energy of the sensor signals are extracted in time domain for the input patterns of neural network to reduce time delay in signal processing state. The resultes of experimental evaluation show that the system works well over a wide range of cutting conditions.

• 전자공학회논문지B
• /
• 제32B권1호
• /
• pp.127-135
• /
• 1995

The diffusion neural network forms a Gaussian distribution by transferring an excitation to the surround. A DOG(difference of two Gaussians) is obtained by the diffusion neural network. This type of the DOG, which can detect the intensity changes of an image, has the same shape as a LOG(Laplacian of a Gaussian:${\Delta}^2$G) and narrow band pass characteristics. In this paper we show that another type of the DOG which has a very narrow Gaussian for the excitatory and a very wide Gaussian for the inhibitory, can be formed by the diffusion process of this network, This type of the DOG has a wide band width in spatial frequency domain and can be used efficiently in detecting special type of edges.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
• /
• pp.983-984
• /
• 2006

Multi-band VCO with fast response adaptive frequency calibration (AFC) technique is designed in 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS process. The possible operation is verified for 5.8GHz band, 5.2GHz band, and 2.4GHz band using the switchable L-C resonators for 802.11a/b/g WLAN applications. To linearize its frequency-voltage gain, optimized multiple MOS varactor biasing technique is used. In order to operate in each band frequency range with reduced VCO gain, 4-bit digitally controlled switched-capacitor bank is used and a wide-range digital logic quadricorrelator is implemented for fast frequency detector.

• 한국전자파학회논문지
• /
• 제14권9호
• /
• pp.944-949
• /
• 2003

본 논문에서는 InCaP/GaAs HBT공정을 이용하여 낮은 DC 파워소모, 낮은 NF, 낮은 IMD 와 광대역 특성을 갖는 Ku-band LNB용 이중평형믹서를 설계하였다. 제작된 믹서는 3 V, 16 mA 의 U조건과 -23 dBm의 RF입력 조건하에서 5 dB의 변환이득, 14 dB의 NF, 17.9 GHz의 대역폭 그리고 50.34 dBc의 IMD특성을 얻었다. 낮은 IMD 특성, 광대역폭, 낮은 파워소모 특성은 InGaP/GaAs HBT의 선형성과 광대역 입력 정합기법과 바이어스 점의 최적화를 통해 얻을 수 있었다.