• 대한소아치과학회지
• /
• 제34권1호
• /
• pp.73-80
• /
• 2007

소아 환자의 인접면 우식을 치료할 때 컴포머는 불소를 방출하는 재료로 유용하게 사용될 수 있다. 하지만 구강내 환경은 항상 습윤한 상태로 타액은 컴포머와 치질 사이의 접착을 방해할 수 있다. 수복시에 타액이 게재하게 되면 미세누출이 발생할 가능성이 높아지게 되며 그로 인해서 수복의 실패가 일어날 수 있다. 이에 본 연구에서는 컴포머를 수복할 시에 타액의 영향과 수복 방법에 따른 미세누출 정도를 평가하기 위해서 시행하였다. 컴포머로서 Dyract $AP^{(R)}$(Dentsply, Germany)를 사용하였으며 Dentin bonding agent로는 Prime and $Bond^{(R)}$ NT (Dentsply, Germany)를 사용하였고, 광중합을 위해서 Elipar Trilight (3M ESPE, USA)를 사용하였다. 구강내 환경을 재현하기 위해서 saliva pool을 제작하였다. 소구치 2개를 인접하여 시편을 제작한 후에 2급 와동을 형성하여 수복 환경을 다르게 하여 컴포머를 충전한 후에 500회 thermocycling하였다. 그 후 0.5% methylene blue 용액에 24 시간 동안 담근 후에 실체 현미경을 통해서 교합면과 치은면에서의 미세누출 정도를 측정하였다. Kruskal-Wallis Test와 Mann-Whitney Test를 이용하여 각 군간 유의성을 검정하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 교합면에서의 각 군간 통계학적 차이는 없었다(p>0.05). 2. 치은면에서 $Oraseal^{(R)}$을 이용하여 수복한 3군이 타액 오염을 시키지 않은 4군과 통계학적 차이가 없었다(p>0.05). 3. 치은면에서 1군과 2군 사이에는 통계학적 차이가 없었다(p>0.05). 4. 치은면에서 $Oraseal^{(R)}$을 이용하여 수복한 3군이 1, 2군보다 통계학적으로 더 낮은 미세누출 정도를 보였다(p<0.05).

• 대한치과보철학회지
• /
• 제46권4호
• /
• pp.351-358
• /
• 2008

목적: 산부식제 적용후 치은 자극으로 인하여 지혈제를 사용할 때 다양한 pH를 가진 지혈제를 적용후 pH에 따른 레진 결합력 차이와 산부식제 재적용 여부에 따른 결합력 회복 정도를 비교하는 것이다. 재료 및 방법: 본 실험에서 사용된 지혈제 중 보스민, 아스트리제덴트, 헤모덴트로 대부분의 지혈제는 산도가 낮다. 또한 바이진은 눈의 충혈제거제로써 성분은 중성이다. 실험방법은 먼저 치관이 건전한 90개의 대구치 10개씩 9그룹으로 나눠 교정용 레진에 식립 한 후 치축과 수직으로 섹션 후 연마한 뒤 대조군은 통상적인 방법으로 산부식과 접착제를 도포 하고, 실험군은 산부식한 뒤 각각의 지혈제를 30초간 오염시킨다. 그 뒤 린스만 한 N 그룹과, 린스 후 산부식제 재적용한 R 그룹으로 나누어서 처치하고 처치한 상아질에 셀룰로이드 캡슐을 이용해 레진 접착을 시행한다. 그리고 인스트론을 이용해 전단력을 측정한다. 통계 분석은 유의수준 0.05 이하로 비교했다. 결과: 대조군과 비교하였을 때, Visine을 제외한 모든 지혈제에서 평균 결합력이 낮아짐을 볼 수 있었으나 통계적으로는 유의할만한 차이는 없었다. 또한 린스만 한 N군과 산부식제 재적용한 R군을 비교했을 때 모든 군에서 결합력 증가가 있었으나 통계적으로는 유의할만한 차이는 없었다. 결론: 임상에서 적용하는 30초의 짧은 적용 시간에는 pH에 따른 지혈제의 영향은 결합력에 영향을 줄 만큼 크지 않고 산부식제 재적용 등 다른 처치를 하지 않아도 린스를 하는 것만으로도 충분히 결합력 회복이 가능하다는 결론을 도출하게 되어 임상과정을 간단하게 하는데 도움이 될 것으로 생각된다.

• 한국추진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국추진공학회 2009년도 제33회 추계학술대회논문집
• /
• pp.289-292
• /
• 2009

본 연구에서는 감광유리를 이용한 PEM 마이크로 연료전지 바이폴라 플레이트의 제작 공정을 확립하고 성능 측정을 수행하였다. 감광유리는 무게가 가볍고 내화학성이 뛰어나며 제작이 용이하다. 비등방성 식각, 열 및 UV 접합, 그리고 금속 층 적층을 통한 MEMS 제작 공정이 확립되었다. 성능 측정 결과 활성화 영역에 은이 적층된 마이크로 연료전지의 성능이 그렇지 않은 것보다 우수하였으며 두 경우에서 측정된 마이크로 연료전지의 성능은 모두 국내외 마이크로 연료전지 연구 수준과 동등한 수준이었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
• /
• pp.906-911
• /
• 2004

In this paper, we used only PR as etching mask, while it used usually Cr/AU as etching mask, and in order to fabricate a photosensor has the increased sensitivity, we investigated on the sensitivity of general type and p-i-n type diode. we designed microchannel size width max 10um, min 5um depth max 10um, reservoir size max 100um, min 2mm. Fabrication of microfluidic devices in glass substrate by glass wet etching methods and glass to glass fusion bonding. The p-i-n diode has higher sensitivity than photodiode. Considering these results, we fabricated p-i-n diodes on the high resistive($4k{\Omega}{\cdot}cm$) wafer into rectangle and finger pattern and compared internal resistance of each pattern. The internal resistance of p-i-n diode can be decreased by the application of finger pattern has parallel resistance structure from $571\Omega$ to $393\Omega$.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
• /
• 한국마이크로전자및패키징학회 2000년도 Proceedings of 5th International Joint Symposium on Microeletronics and Packaging
• /
• pp.57-64
• /
• 2000

As integrated circuits become more complex, the number of I/O connections per chip grow. Conventional wire-bonding, lead-frame mounting techniques are unable to keep up. The space saved by shrinking die size is lost when the die is packaged in a huge device with hundreds of leads. The solution is bumps; gold, conductive adhesive, but most importantly solder bumps. Virtually every semiconductor manufacturer in the world is using or planning to use bump technology fur their larger and more complex devices. Several wafer-bumping processes used in the manufacture of bumped wafer. Some of the more popular techniques are evaporative, stencil or screen printing, electroplating, electrodes nickel, solder jetting, stud bumping, decal transfer, punch and die, solder injection or extrusion, tacky dot process and ball placement. This paper will discuss the process steps for bumping wafers using these techniques. Critical cleaning is a requirement for each of these processes. Key contaminants that require removal are photoresist and flux residue. Removal of these contaminants requires wet processes, which will not attack, wafer metallization or passivation. research has focused on enhanced cleaning solutions that meet this critical cleaning requirement. Process parameters defining time, temperature, solvency and impingement energy required to solvate and remove residues from bumped wafers will be presented herein.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제7권1호
• /
• pp.51-59
• /
• 2000

As integrated circuits become more complex, the number of I/O connections per chip grow. Conventional wire-bonding, lead-frame mounting techniques are unable to keep up. The space saved by shrinking die size is lost when the die is packaged in a huge device with hundreds of leads. The solution is bumps; gold, conductive adhesive, but most importantly solder bumps. Virtually every semiconductor manufacturer in the world is using or planning to use bump technology for their larger and more complex devices. Several wafer-bumping processes used in the manufacture of bumped wafer. Some of the more popular techniques are evaporative, stencil or screen printing, electroplating, electroless nickel, solder jetting, stud humping, decal transfer, punch and die, solder injection or extrusion, tacky dot process and ball placement. This paper will discuss the process steps for bumping wafers using these techniques. Critical cleaning is a requirement for each of these processes. Key contaminants that require removal are photoresist and flux residue. Removal of these contaminants requires wet processes, which will not attack, wafer metallization or passivation. Research has focused on enhanced cleaning solutions that meet this critical cleaning requirement. Process parameters defining time, temperature, solvency and impingement energy required to solvate and remove residues from bumped wafers will be presented herein.

• 펄프종이기술
• /
• 제32권3호
• /
• pp.18-24
• /
• 2000

To evaluate the efficiency of various cationic starches in improving retention drainage and strength properties of newsprints which are being made using extensive amount of domestic recycled wastepapers in a highly closed papermaking system diverse cationic starches have been prepared and tested. In the case of cationic starches with low charge density as the degree of substitution increas-es fines retention increased. Results also showed that the retention efficiency decreased sub-stantially for cationic starches with low DS when the conductivity of white water inceased. Tensile strength increased with the addition of cationic starches and then decreased. On the other hand internal bonding strength increased linearly with the addition of cationic starch. Oxidizing treatment of cationic starch was detrimental for retention and freeness improve-ment. Also crosslinking treatment of wet processed cationic starches made cationic starches less effective in retention and drainage.

• 한국펄프종이공학회:학술대회논문집
• /
• 한국펄프종이공학회 1999년도 Proceedings of Pre-symposium of the 10th ISWPC
• /
• pp.61-69
• /
• 1999

Contaminants such as fatty acids, triglycerides, resin acids and foam collected from a high yield sulfite weak liquor storage tank lowered the water surface tension and reduced inter-fibre bonding but also tended to benefit sheet opacity. Some common wet end additives such as defoamers and dispersants gave similar results. Lignosulfonate and naphthalene sulfonate showed little if any negative effect on both surface tension and sheet strength properties. Among the natural wood extractives. fatty acids were identified to be most detrimental followed by triglycerides and then resin acids. In order to alleviate the detrimental impact of these contaminants, membrane separation, air floatation and ozone treatment were carried out on paper machine white water samples. The effect of these treatments on removal of fatty and resin acids was quantified by a GC-Mass analysis. Reverse osmosis with a 1000 molecular weight cut off membrane failed to totally reject fatty and resin acids, but markedly reduced losses of sheet properties due to contaminants. Ozone treatment resulted in a significant increase of the surface tension and air floatation was considered to be a practical and useful method for removing fatty and resin acids from the machine white water.

• Elastomers and Composites
• /
• 제55권3호
• /
• pp.215-221
• /
• 2020

Silica/SBR (styrene-butadiene rubber) compounds are the primary constituents of tire treads. Furthermore, the excellent dynamic viscoelastic properties of silica lead to good fuel efficiencies. However, the silanol group on the surface of silica does not mix well with non-polar rubber because of its polarity. This incompatibility causes aggregation due to the occurrence of hydrogen bonding between the hydroxyl groups, thereby reducing the dispersibility of silica. Recently, the wet master batch (WMB) process has been applied to overcome these disadvantages, and research on silica dispersants that can be used in the WMB process has been increasing. In this study, we prepared silica/SBR compounds by using three types of eco-friendly cellulose-based dispersants in the WMB process, namely: cellulose-, sodium carboxymethyl cellulose, and nanocellulose-based dispersants. Subsequently, we compared the vulcanization characteristics, viscoelastic properties, and mechanical properties of the compounds. The silica dispersibility in the rubber compounds was improved with the addition of the nano-cellulose dispersant, resulting in the enhancement of the workability, hardness, tensile strength, and wear resistance of the SBR compound.

• 한국재료학회지
• /
• 제6권4호
• /
• pp.379-387
• /
• 1996

본 연구에서는 GaAs 소자제작 및 epi-layer 성장 공정에 있어 이용되어지는 HCI, H3PO4, 탈이온수(de-ionized water:DIW)를 통한 습식제정후 공기중 노출에 따른 오염을 최소화하여 표면상태 변화를 진성적(intrinsic)으로 관찰하고자 모든 세정처리를 아르곤 가스(argon gas)로 분위기가 유지되는 glove box에서 수행하였으며, 표면조성 및 결합상태 변화에 대한 관찰은 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)를 통해 이루어졌다. 고진공하에서 GaAs를 벽개하여 관찰함으로써 Ga이 대기중 산소이온과 우선적으로 결합함을 알 수 있었고, 이런 GaAs 표면의 반응성에 대한 고찰을 바탕으로 습식세정에 따른 화학반응 기구가 제시 되어졌다. HCI 및 H3PO4/DIW/HCI처리후 CI-이온의 Ga 이온과의 반응에 의한 Ga-CI결합의 형성과 As 산화물의 높은 용해도에 따른 As 산화물의 완전한 제거 및 식각전 초기(bare)GaAsvyaus에 존재하는 원소(elemental)As 상태의 식각후 잔류가 관찰되어졌다. 또 HCI, H3PO4/DIW/HCI 처리하고 DIW로 세척후 표면상태 변화를 관찰한 결과, DIW처리에 의해 elemental As 상태가 증가함을 알 수 있었다.