• 비파괴검사학회지
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• 제32권4호
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• pp.369-375
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• 2012

기존 비파괴평가 기술의 결함 탐지 한계를 극복하기 위하여 비선형 초음파공명 특성을 이용한 미세 균열 진단 기술을 개발하였다. 가진 전압에 따른 초음파공명 주파수의 천이현상과 정규화 공명 진폭 감소 현상을 비선형 초음파공명 특성 파라미터로 제안하였으며 이를 실험적으로 확인하였다. CT 시편에 피로시험을 통하여 미세한 자연 균열을 생성하였으며 피로 사이클 단계마다 초음파공명주파수와 정규화 공명진폭의 변화를 측정하였다. 무결함 또는 10 ${\mu}m$ 정도의 매우 미세한 균열이 존재하는 시편에서는 초음파공명 주파수 천이현상이나 정규화 공명 진폭의 변화가 나타나지 않는 반면에 30 ${\mu}m$급 이상의 미세 균열 시편에서는 균열 크기가 증가함에 따라 초음파공명주파수의 천이 현상이나 정규화 공명 진폭의 감소량이 증가함을 확인하였다.

• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제3권1호
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• pp.29-34
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• 2012

The structural changes of $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ cathode material for lithium ion battery during the first charge was investigated in comparison with $Li_{1-x}Ni_{0.8}Co_{0.15}Al_{0.05}O_2$ using a synchrotron based in situ X-ray diffraction technique. The structural changes of these two cathode materials show similar trend during first charge: an expansion along the c-axis of the unit cell with contractions along the a- and b-axis during the early stage of charge and a major contraction along the c-axis with slight expansions along the a- and b-axis near the end of charge at high voltage limit. In $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ cathode, however, the initial unit cell volume of H2 phase is bigger than that of H1 phase since the c-axis undergo large expansion while a- and b- axis shrink slightly. The change in the unit cell volume for $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ during charge is smaller than that of $Li_{1-x}Ni_{0.8}Co_{0.15}Al_{0.05}O_2$. This smaller change in unit cell volume may give the $Li_{1-x}Ni_{0.5}Co_{0.2}Mn_{0.3}O_2$ cathode material a better structural reversibility for a long cycling life.

• 한국재료학회지
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• 제26권1호
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• pp.47-53
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• 2016

Silicon nitride ($SiN_x:H$) films made by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) are generally used as antireflection layers and passivation layers on solar cells. In this study, we investigated the properties of silicon nitride ($SiN_x:H$) films made by PECVD. The passivation properties of $SiN_x:H$ are focused on by making the antireflection properties identical. To make equivalent optical properties of silicon nitride films, the refractive index and thickness of the films are fixed at 2.0 and 90 nm, respectively. This limit makes it easier to evaluate silicon nitride film as a passivation layer in realistic application situations. Next, the effects of the mixture ratio of the process gases with silane ($SiH_4$) and ammonia ($NH_3$) on the passivation qualities of silicon nitride film are evaluated. The absorption coefficient of each film was evaluated by spectrometric ellipsometry, the minority carrier lifetimes were evaluated by quasi-steady-state photo-conductance (QSSPC) measurement. The optical properties were obtained using a UV-visible spectrophotometer. The interface properties were determined by capacitance-voltage (C-V) measurement and the film components were identified by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR) and Rutherford backscattering spectroscopy detection (RBS) - elastic recoil detection (ERD). In hydrogen passivation, gas ratios of 1:1 and 1:3 show the best surface passivation property among the samples.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 추계학술대회 논문집 전기기기 및 에너지변환시스템부문
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• pp.197-199
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• 2002

The invention of VHDL(Very High Speed Integrated Circuit Hardware Description Language), Technical language of Hardware, is a kind of turning point in digital circuit designing, which is being more and more complicated and integrated. Because of its excellency in expression ability of hardware, VHDL is not only used in designing Hardware but also in simulation for verification, and in exchange and conservation, composition of the data of designs, and in many other ways. Especially, It is very important that VHDL is a Technical language of Hardware standardized by IEEE, intenational body with an authority. The biggest problem in modern circuit designing can be pointed out in two way. One is a problem how to process the rapidly being complicated circuit complexity. The other is minimizing the period of designing and manufacturing to survive in a cutthroat competition. To promote the use of VHDL, more than a simple use of simulation by VHDL, it is requested to use VHDL in composing logical circuit with chip manufacturing. And, by developing the quality of designing technique, it can contribute for development in domestic industry related to ASIC designing. In this paper in designing SMPS(Switching mode power supply), programming PWM by VHDL, it can print static voltage by the variable load, connect computer to chip with byteblaster, and download in Max(EPM7064SLCS4 - 5)chip of ALTER. To achieve this, it is supposed to use VHDL in modeling, simulating, compositing logic and product of the FPGA chip. Despite its limit in size and operating speed caused by the specific property of FPGA chip, it can be said that this method should be introduced more aggressively because of its prompt realization after designing.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
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• 제14권2호
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• pp.15-21
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• 1991

Experiment was conducted on the image quality and exposure dose following replacement of $CaWO_4$ system screen BH-III and BX-III which have so far been used for high-voltage hard-radiation quality radiography, with rare earth system screen KO750, combined with high contrast film SRH, while additional filter was altered, Cu 0.8 mm+Al 1.4 mm(HVL : Al 8.8 mm), Cu 1.3 mm+Al 1.0 mm(HVL : Al 10.6 mm) and Cu 1.8 mm+Al 1.5 mm(HVL : Al 11.4 mm). AS a result, visual evaluation did not detect extreme changes in image quality under the respective condition(HVL : $Al\;8.8\;mm{\sim}Al\;11.4\;mm$). It was noted, however, that surface exposure dose declined with an increase in the thickness of the additional filter, as it was $18.9\;{\mu}Gy$ at HVL Al 8.8 mm, $17.5\;{\mu}Gy$ at Al 10.6 mm and $15.7\;{\mu}Gy$ at Al 11.4 mm. Considering the limited rating of X-ray equipment and wear of machinery, however, the range of $Cu\;1.3\;mm{\sim}1.8\;mm+Al\;1.0\;mm{\sim}1.5\;mm(1/16\;VL{\sim}1/32\;VL)$ seemed to be a limit.

• 한국지하수토양환경학회지:지하수토양환경
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• 제10권2호
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• pp.1-11
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• 2005

본 논문은 납 오염토에 대한 정회를 목적으로 EK 기법을 적용할때 기존의 EK 기법의 한계성을 극복하고자 향상기법으로써 흡착재(Apatite, Zeolite)를 이용하여 중금속의 고정화를 시도하였다. EK 추출을 위해서 우선 납에 대한 흡착능 실험을 실시하였고 오염농도, 전압조건, 가동시간 등을 달리하여 납이온을 흡착재 설치 위치로 이동시켜 고정화를 유도하였다. 그 결과 설험 조건에 따라 오염물의 이동 특성이 달라 정화 효율에 차이가 있었으며 전극교환과 흡착재의 설치 위치의 추가로 고정화 효율을 증진시켜 시료의 전 구간에서 미국 EPA의 TCLP 용출기준을 만족시킬 수 있었다. 특히 인회석의 흡착 고정화 능력은 탁월한 것으로 판명되어 EK 향상기법으로써 흡착재의 적용 기능성을 확인하였다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제11권4호
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• pp.155-165
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• 2010

As a promising candidate to replace the conventional floating gate flash memories, polysilicon-oxide-nitride-oxidesilicon (SONOS)-type nonvolatile semiconductor memories have been investigated widely in the past several years. SONOS-type memories have some advantages over the conventional floating gate flash memories, such as lower operating voltage, excellent endurance and compatibility with standard complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) technology. However, their operating speed and date retention characteristics are still the bottlenecks to limit the applications of SONOS-type memories. Recently, various approaches have been used to make a trade-off between the operating speed and the date retention characteristics. Application of high-k dielectrics to SONOS-type memories is a predominant route. This article provides the state-of-the-art research progress of high-k dielectrics applicable to SONOS-type nonvolatile semiconductor memories. It begins with a short description of working mechanism of SONOS-type memories, and then deals with the materials' requirements of high-k dielectrics used for SONOS-type memories. In the following section, the microstructures of high-k dielectrics used as tunneling layers, charge trapping layers and blocking layers in SONOS-type memories, and their impacts on the memory behaviors are critically reviewed. The improvement of the memory characteristics by using multilayered structures, including multilayered tunneling layer or multilayered charge trapping layer are also discussed. Finally, this review is concluded with our perspectives towards the future researches on the high-k dielectrics applicable to SONOS-type nonvolatile semiconductor memories.

• 대한전자공학회논문지SP
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• 제45권5호
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• pp.9-17
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• 2008

본 논문은 PDP TV에서 주위 환경을 고려한 색 재현 방법을 제안한다. 관찰자의 시공간적인 위치에 따라 주변 환경이 변하기 때문에, 디스플레이의 색 재현 과정에서 주위 조명은 반드시 고려되어야 한다. 주변 환경을 고려하기 위한 기존의 방법은 각 채널에서 전압의 이득을 조절함으로써 계조와 포화도를 향상시키기 때문에 인간의 순응 현상을 구현하는데 한계가 있으며, 이에 따라 다양한 주위 조건하에서 정확한 색을 재현하는데 어려움이 있었다. 따라서 이를 해결하기 위해, 본 논문은 먼저 PDP의 물리적 특성인 플레어 현상을 고려하였으며, 디스플레이의 밝기 변화에 따른 특성화 과정을 수행하였다. 또한, 센서로 획득된 주위 조명의 색온도 및 밝기값의 정보를 이용하여 색 순응현상을 적용하였다. 마지막으로 이를 토대로 순응모델을 적용함으로써 가변하는 주변 환경에서도 정차한 색을 재현할 수 있었다. 실험을 통해 제안한 방법이 기존의 방법에 비해 시각적 평가에서 더 우수함을 확인하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권9호
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• pp.1941-1948
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• 1997

Code Division Multiple Access(CDMA) 통신방식을 채택한 휴대용 이동전화기의 중간주파수(intermediate frequency: IF) 아날로그 IC의 송신부를 구성하고 있는 저전력 선형특성을 지닌 CMOS 업 컨버젼 믹서(upconversion mixer)의 설계, 제작 및 특성 측정에 대해 기술하였다. 업 컨버젼 믹서의 구조는 복제 V-I 변환기를 사용하여 그 선형성을 확장한 형태의 회로기술을 채택하였다. 설계된 업 컨버젼 믹서는 $0.8{\mu}\textrm{m}$ N-well CMOS 2-poly/2-metal 공정기술을 사용하여 IC로 구현하였으며 그 크기는 $0.53mm{\times}0.92mm$이다. 소비전력은 3.3V 공급전원과 130MHz Local Oscillation(LO) 클럭이 인가되었을 때 30mW이다. 출력의 1dB compression 특성은 2-tone 입력신호가 인가되고 $25{\Omega}$ 부하를 가질 때에 -28dBm이다.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권4A호
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• pp.458-465
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• 2004

본 논문에서는 CMOS 공정을 사용하여 선형적으로 제어가 가능한 П모델 감쇄기를 구현하였고, 브릿지 T모델을 사용한 감쇄기를 제안하였다. CMOS 공정으로 코어의 수동소자를 트랜지스터로 구현하여 기존의 수동소자나 능동소자를 사용하는데 따른 문제점을 개선하였으며 GaAs MESFET공정의 문제점인 높은 비용 또한 해결하였다. П모델 감쇄기는 2-poly 4-metal 0.35$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정을 사용하여 구현하였으며 기존의 수백 MHz의 동작 주파수범위를 DC-l㎓ 대역으로 향상시켰다. 또한 700$\mu\textrm{m}$${\times}$300$\mu\textrm{m}$ 로 면적을 줄였으며 일정한 주파수에서 감쇄 값과 제어 전압 사이의 선형적인 관계를 개선하였다. 제안된 브릿지 T모델 감쇄기는 П모델에서 동작주파수를 제한하던 매칭 특성을 향상시킴으로써 동작 주파수 템위를 DC-2㎓ 대역으로 넓혔다.