• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권9호
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• pp.927-933
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• 1998

Polycrystalline powder of vanadium-doped forsterite (Vδ $Mg_2SiO_4$) was synthesized by the $H_2O_2$-assisted sol-gel method. The vanadium dopant, which was added as VO$(OMe)_3$ in methanol, went through several redox reactions as the sol-gel reaction proceeded. Upon adding VO$(OMe)_3$ to a mixture of $Mg(OMe)_2$ and Si$(OEt)_4$ in methanol, V(V) reduced to V(IV). As hydrolysis reaction proceeded, the V(IV) oxidized all back to V(V). Apparently, some of the V(V) reduced to V(IV) during subsequent gelation by condensation reaction. The V(IV) remained even after heat treatment of the gel in highly oxidizing atmosphere. The crystallization of the xerogel around 880 ℃ readily produced single phase forsterite without any minor phase. Using the polycrystalline powder as feeding stock, single crystals of vanadium-doped forsterite were grown by the floating zone method in oxidizing or reducing atmosphere. The doping was limited in low level because of the high partitioning of the vanadium in liquid phase during melting. The greenish single crystal absorbed visible light of 700∼1100 nm. But, no emission was obtained in near infrared range.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제13권4호
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• pp.192-195
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• 2012

We reported diborane ($B_2H_6$) doped wide bandgap hydrogenated amorphous silicon oxide (p-type a-SiOx:H) films prepared by using silane ($SiH_4$) hydrogen ($H_2$) and nitrous oxide ($N_2O$) in a radio frequency (RF) plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. We improved the $E_{opt}$ and conductivity of p-type a-SiOx:H films with various $N_2O$ and $B_2H_6$ ratios and applied those films in regards to the a-Si thin film solar cells. For the single layer p-type a-SiOx:H films, we achieved an optical band gap energy ($E_{opt}$) of 1.91 and 1.99 eV, electrical conductivity of approximately $10^{-7}$ S/cm and activation energy ($E_a$) of 0.57 to 0.52 eV with various $N_2O$ and $B_2H_6$ ratios. We applied those films for the a-Si thin film solar cell and the current-voltage characteristics are as given as: $V_{oc}$ = 853 and 842 mV, $J_{sc}$ = 13.87 and 15.13 $mA/cm^2$. FF = 0.645 and 0.656 and ${\eta}$ = 7.54 and 8.36% with $B_2H_6$ ratios of 0.5 and 1% respectively.

• Journal of the Korean Wood Science and Technology
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• 제8권1호
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• pp.22-27
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• 1980

Talysurf에 의한 톱니마모정도의 수량화가 수행되었다. (1)톱니의 단면은 아래식을 만족시키는 조건에서 Taysurf의 그래프로서 얻어진다. ${\frac{{\Delta}h}{h}}={\frac{V{\Delta}_x}{V_x}}$ {${\Delta}h$: stylus의 수직이동거리 h: 챠트에 있어서 수직거리 $V{\Delta}_x$: stylus의 이동속도 $V_x$: 챠트의 이동속도} (2) stylus의 오차는 아래식에 의하여 계산된다. i) 13.8${\mu}{\leqq}$x<20.4${\mu}$ y=-0.2246x+4.59${\mu}$ ii) 0${\leqq}$x<13.8${\mu}$ y=${\sqrt{(-18{\mu})^2-x^2}}-1.42x+32.7{\mu}}$ (3) 톱니단면과 stylus의 오차는 아래식에 의하여 계산된다. $E(%)=\frac{f(r){\times}{\frac{4}{18{\mu}}}}{f(R){\times}{\frac{R}{18.5{\mu}}}-f(r){\times}{\frac{r}{18{\mu}}}}{\times}100$ {E(%) : stylus의 오차/톱니의 둔함 r: stylus의 반경 R: 챠트에서 얻어지는 그라프의 반경 f(r): stylus의 오차 f(R): 챠트에서 얻어지는 그라프의 둔함} (4) 최대오차와 톱니단면의 관계에서 쌍곡선그라프를 얻을 수 있다.

• 한국에너지공학회:학술대회논문집
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• 한국에너지공학회 2003년도 추계 학술발표회 논문집
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• pp.25-28
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• 2003

• 대한화학회지
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• 제52권6호
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• pp.663-667
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• 2008

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제7권4호
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• pp.318-320
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• 1986

• 한국진공학회지
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• 제8권1호
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• pp.51-54
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• 1999

Ar기 처리를 하면서 수소화된 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막을 제작하였다. 연속증착할 때의 deposition rate는 1.9 /s 이었으며, Ar기 처리시간을 0.5분, 1분으로 증가시키면 2.8 $\AA$/s, 3.3 $\AA$/s 로 증가하였다. Ar기 처리시간이 2분, 3분일 때는 3.3 $\AA$/s 로 일정하였다. Ar기 처리시간을 증가시키면 광학적 밴드 갭과 박막내의 수소량이 증가하다가 약간 감소하는 경향을 보였다. Ar기 처리한 a-Si:H 박막도 Staebler-Wronski 효과를 보였으나, 연속증착된 a-Si:H 보다 광열화 현상이 많이 감소하였다. 1시간의 빛조사에 의하여 연속증착된 a-Si:H 박막의 경우, 상온에서의 전기전도도와 전기전도도 활성화에너지(Ea)는 각각 1/25배, 0.09eV 증가하였다. Ar기 처리를 한 경우, 상온에서의 전기전도도는 1/3배, Ea는 0.03eV 증가하였다. Ar기 처리를 함으로서 a-Si:H 박막의 빛에 대한 안정성을 향상시킬 수 있었으며, 안정성향상에 관한 미시적 과정을 논의하였다.

• 한국광학회지
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• 제15권2호
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• pp.177-182
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• 2004

우리는 외부공진분광법을 이용하여 $^{13}$C$_2$H$_2$ 분자의 회전-진동전이의 V$_1$＋V$_3$ 밴드 P(16)전이선의 포화흡수신호를 관측하고, 이 포화 흡수 스펙트럼을 이용하여 1550 nm 영역에서 반도체 레이저 주파수 안정화를 수행하였다. 측정된 포화흡수 스펙트럼의 크기는 선형 흡수에 대해서 약 7%이고, 선폭은 약 1.8 MHz로 측정되었다. 반도체 레이저 주파수를 $^{13}$C$_2$H$_2$ 분자P(16) 전이선에 안정화했을 때 안정화된 레이저의 상대주파수 흔들림은 게이트 시간 0.1 s에서 약 $\pm$20 KHz로 측정되었다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제19권1호
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• pp.76-81
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• 1991

2l 발효조에서 pH6.9, 온도 $32^{\circ}C$일 때 당밀배지를 이용하여 Corynebacterium glutamicum의 영양요구성 유사체 내성변이주에 의한 라이신 발효시 산화환원 전위 (ORP)가 라이신 발효속도의 특성에 미치는 영향을 조사하였다. 희석률이 0.1$h ^1$일때 탄소원이 제한되건 로이신이 제한되건 산소가 제한되지 않는 한 최대의 대당수율 24를 보였으며, 이 때의 산화환원 전윈 값은 -60mV와 -100mV 범위에 해당하였다. 산화화원 전위 값이 -130mV의 매우 낮은 용존산소 조건하에서는 대당수율 밀 $q_s, q_p$ 등의 발효 반응속도 상수값들이 크게 감소하였으며 glvcine, alanine, valine을 포함하는 발효 부산물의 축적량이 매우 높아졌다.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제27권5_6호
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• pp.1157-1163
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• 2009

Let G be a graph with vertex set V(G) and let f be a nonnegative integer-valued function defined on V(G). A spanning subgraph F of G is called a fractional f-factor if $d^h_G$(x)=f(x) for all x $\in$ for all x $\in$ V (G), where $d^h_G$ (x) = ${\Sigma}_{e{\in}E_x}$ h(e) is the fractional degree of x $\in$ V(F) with $E_x$ = {e : e = xy $\in$ E|G|}. In this paper it is proved that if ${\delta}(G){\geq}{\frac{b^2(k-1)}{a}},\;n>\frac{(a+b)(k(a+b)-2)}{a}$ and $|N_G(x_1){\cup}N_G(x_2){\cup}{\cdots}{\cup}N_G(x_k)|{\geq}\frac{bn}{a+b}$ for any independent subset ${x_1,x_2,...,x_k}$ of V(G), then G has a fractional f-factor. Where k $\geq$ 2 be a positive integer not larger than the independence number of G, a and b are integers such that 1 $\leq$ a $\leq$ f(x) $\leq$ b for every x $\in$ V(G). Furthermore, we show that the result is best possible in some sense.