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기반암에 따른 나주지역 하상퇴적물의 지구화학적 특성 (Geochemical Characteristics of Stream Sediments Based on Bed Rocks in the Naju Area, Korea)

  • 박영석;김종균;정용화
    • 한국지구과학회지
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    • 제27권1호
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    • pp.49-60
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    • 2006
  • 본 연구는 나주지역 하상퇴적물에 대한 지구화학적 특성 연구이다. 이를 위해 1차 수계를 대상으로 139개의 하상퇴적물 시료를 채취하였다. 채취된 시료는 실험실에서 자연 건조시켰으며, XRF, ICP-AES, NAA를 이용하여 화학분석을 실시하였다. 기반암에 따른 지구화학적 특성을 알아보기 위하여, 화강암질편마암 지역, 편암류 지역, 화강암류 지역, 사질암 지역, 응회암 지역, 안산암 지역, 유문암 지역으로 분류하였다. 나주지역 하상퇴적물의 지질집단별 주성분원소 평균함량은 $SiO_2\;58.37{\sim}66.06wt.%,\;Al_2O_3\;13.98{\sim}18.41wt.%,\;Fe_2O_3\;4.09{\sim}6.10wt.%,\;CaO\;0.54{\sim}1.33wt.%,\;MgO\;0.86{\sim}1.34wt.%,\;K_2O\;2.38{\sim}4.01wt.%,\;Na_2O\;0.90{\sim}1.32wt.%,\;TiO_2\;0.82{\sim}1.03wt.%,\;MnO\;0.09{\sim}0.15wt.%,\;P_2O_5\;0.11{\sim}0.18wt.%$이다. 주성분원소의 평균함량 비교에서 $Al_2O_3$$K_2O$는 화강암질편마암 지역에서, $Fe_2O_3,\;CaO,\;P_2O_5$는 응회암 지역에서, MgO와 $TiO_2$는 안산암 지역에서, $Na_2O$는 유문암 지역에서 높고, $SiO_2$와 MnO 함량은 사질암 지역에서 약간 높다. 미량성분 및 희토류원소의 지질집단별 평균함량은 $Ba\;1278{\sim}1469ppm,\;Be\;1.1{\sim}1.5ppm,\;Cu\;18{\sim}25ppm,\;Nb\;25{\sim}37ppm,\;Ni\;16{\sim}25ppm,\;Pb\;21{\sim}28ppm,\;Sr\;83{\sim}155ppm,\;V\;64{\sim}98ppm,\;Zr\;83{\sim}146ppm,\;Li\;32{\sim}45ppm,\;Co\;7.2{\sim}12.7ppm,\;Cr\;37{\sim}76ppm,\;Cs\;4.8{\sim}9.1ppm,\;Hf\;7.5{\sim}25ppm,\;Rb\;88{\sim}178ppm,\;Sc\;7.7{\sim}12.6ppm,\;Zn\;83{\sim}143ppm,\;Pa\;11.3{\sim}37ppm,\;Ce\;69{\sim}206ppm,\;Eu\;1.1{\sim}1.5ppm,\;Yb\;1.8{\sim}4.4ppm$이다. Pb, Li, Cs, Hf, Rb, Sb, Pa, Ce, Eu, Yb 평균함량은 화강암질편마암 지역에서, Ba, Co, Cr 평균함량은 편암류 지역에서, Nb, Ni, Zr 평균함량은 사질암 지역에서, Sr 평균함량은 응회암 지역에서 높고, Be, Cu, V, Sc, Zn 평균함량은 안산암 지역에서 다른 지질집단에서 보다 높다.

직렬배열 다중전극 고전압 펄스 전기장 처리장치를 이용한 약주의 살균 (Sterilization of Yakju(Rice Wine) on a Serial Multiple Electrode Pulsed Electric Field Treatment System)

  • 목철균;이상기
    • 한국식품과학회지
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    • 제32권2호
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    • pp.356-362
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    • 2000
  • 7개의 전극을 직렬로 배열한 다중전극 고전압펄스 전기장(PEF) 처리장치를 사용하여 전기장 세기와 주파수를 달리한 square wave 펄스(너비 $1\;{\mu}s$)로 약주의 연속 살균을 시도하였다. 살균 전 약주의 총균수는 $1.88{\times}10^3{\sim}2.13{\times}10^4\;CFU/mL$, 효모는 $1.72{\times}10^3{\sim}2.39{\times}10^4\;CFU/mL$, 젖산균은 $1.55{\times}10^3{\sim}2.85{\times}10^4\;CFU/mL$이었다. 약주를 유량 1 mL/s의 속도로 PEF장치에 투입하여 처리한 결과 미생물 사멸기구는 1차반응으로 해석 될 수 있었고, 주파수 및 전기장세기가 증가함에 따라 살균율이 높아졌다. $D_{Hz}$값 및 $D_{PEF}$값은 전기장 세기가 증가함에 따라 감소하였으며, 효모는 세균에 비하여 낮은 값을 보였다. 젖산균은 30 kV/cm 이하의 전기장에서는 일반 호기성 세균에 비하여 낮은 $D_{PEF}$값을 보였으나, 40 kV/cm 이상에서는 높은 $D_{PEF}$값을 나타냈다. 미생물 종류별 $Z_{PEF}$값은 일반 호기성 세균 39.4 kV/cm 젖산균 49.3 kV/cm, 효모 47.6 kV/cm로 일반 호기성 세균의 전기장세기에 대한 의존성이 가장 큰 것으로 나타났다. PEF처리에 의한 약주의 색택 변화는 열처리에 비하여 미미하였으며, PEF살균 약주의 품질은 가열살균 약주에 비하여 월등히 우수하였다. 약주를 본 연구에서 사용한 PEF장치에 2회 통과시킬 경우 상업적 살균이 달성되었다.

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n-GaAs 구조에서의 ArF excimer laser annealing에 따른 Photoreflectance 특성 연구 (A Photoreflectance Study of ArF Excimer Laser Annealing and Furnace Annealing)

  • 김기홍;유재인;심준형;배인호;임진환;김진희;유재용
    • 한국진공학회지
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    • 제16권2호
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    • pp.141-144
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    • 2007
  • n-GaAs의 시료를 furnace annealing 처리와 laser annealing 처리를 한 후, PR 방법으로 비교 조사하였다. 시료는 Furnace annealing을 5 분간 $400{\sim}800^{\circ}C$에서 처리한 시료와 ArF excimer laser($30{\sim}50\;W$)로 5 분간 Laser annealing 처리 한 시료로 준비하였다. Furnace로 annealing을 한 경우에 주 신호(정점)는 1.43 eV에서 관측되었는데 비해 laser로 annealing 한 샘플은 1.42 eV로 0.01 eV가 더 작게 관측되었다. 이는 laser annealing이 furnace annealing 보다 표면과 내면에서 일어나는 열처리 효과가 더 고르게 일어나가 때문이다.

PDMS 기능성 박막을 이용한 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터의 제작 (Fabrication of Organic Field-Effect Transistors with Low Gate Leakage Current by a Functional Polydimethylsiloxane Layer)

  • 김성진
    • 한국진공학회지
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    • 제18권2호
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    • pp.147-150
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    • 2009
  • Polydimethylsiloxane (PDMS) 기능성 박막을 도입하여 적은 게이트 누설 전류 특성을 가지는 유기트랜지스터를 제작하고 평가하였다. UV/ozone 처리를 하여 PDMS 표면에 위치한 소수성의 메틸 그룹의 화학적 결합을 끊어 친수성 실리콘 산화막 성질로 표면을 변화시키고 선택적인 펜타신 증착을 유도하였다. Off 전압상태 ($V_g-V_t>0$)에서 게이트 전압에 의해 기인하는 누설 전류는 선형영역 ($V_d=-5\;V$)과 포화영역 ($V_d=-30\;V$)에서 ${\sim}10^{-10}$ A의 값을 보여주며 기존의 트랜지스터 보다 개선된 누설 전류 특성을 나타내었다.

p-GaSb:Be/GaAs 에피층의 Be 준위에 관한 연구 (A Study of Be Levels in p-GaSb:Be/GaAs Epitaxial Layers)

  • 노삼규;김준오;이상준
    • 한국진공학회지
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    • 제20권2호
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    • pp.135-140
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    • 2011
  • Be을 도핑한 p형 GaSb:Be 에피층의 광여기 발광(PL) 스펙트럼(20 K)의 도핑밀도에 따른 변화를 조사하여, Be 억셉터의 근원을 분석하였다. 도핑을 증가시키면 PL 피크가 고에너지로 변위하고 반치폭은 줄어드는 경향을 보이다가, 밀도가 ${\sim}10^{17}cm^{-3}$ 이상에서 피크 에너지는 오히려 저에너지로 변위하고 반치폭이 늘어나는 현상을 관측하였다. 3개 피크로 분리한 PL 스펙트럼의 적분 PL 강도 변화를 통하여, 도핑 증가에 따라 $Be[Be_{Ga}]$ 준위(0.794 eV)는 감소하는 반면 진성결함에 기인한 $A[Ga_{Sb}]$ 피크(0.778 eV)와 함께 Be과 A 사이에 위치하는 새로운 $Be^*$ 준위(0.787 eV)가 증가하기 때문으로 분석되었다. 이것은 Be을 도핑한 p-GaSb:Be 에피층에는 Be 얕은준위(${\Delta}E=16meV$)와 Be과 A 결함준위가 결합한 $Be^*[Ga_{Sb}-Be_{Ga}]$의 복합준위(${\Delta}E=23meV$)가 공존하기 때문으로 논의하였으며, ${\sim}10^{17}cm^{-3}$ 이상 도핑할 경우에는 Be 준위가 다소 감소할 수 있음을 보였다.

Dynamic-Voltage/Frequency-Scaling 알고리즘에서의 다중 인가 전압 조절 시스템 용 High-speed CMOS Level-Up/Down Shifter (A Novel High-speed CMOS Level-Up/Down Shifter Design for Dynamic-Voltage/Frequency-Scaling Algorithm)

  • 임지훈;하종찬;위재경;문규
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권6호
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    • pp.9-17
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    • 2006
  • SoC(System-On-Chip) 시스템에서 초 저전력 시스템을 구현하기 위한 dynamic voltage and frequency scaling (DVFS)알고리즘에 사용될 시스템 버스의 다중 코어 전압 레벨을 생성해주는 새로운 다계층(multi-level) 코어 전압용 high-speed level up/down Shifter 회로를 제안한다. 이 회로는 내부 회로군과 외부 회로군 사이에서 서로 다른 전압레벨을 조정 접속하는 I/O용 level up/down shifter interface 회로로도 동시에 사용된다. 제안하는 회로는 인터페이스 접속에서 불가피하게 발생하는 속도감쇄와 Duty Ratio 불안정 문제를 최소화하는 장점을 갖고 있다. 본 회로는 500MHz의 입력 주파수에서 $0.6V\sim1.6V$의 다중 코어 전압을 각 IP들에서 사용되는 전압레벨로, 또는 그 반대의 동작으로 서로 Up/Down 하도록 설계하였다 그리고 제안하는 I/O 용 회로의 level up shifter는 500MHz의 입력 주파수에서 내부 코어 용 level up shifter의 출력전압인 1.6V를 I/O 전압인 1.8V, 2.5V, 3.3V로 전압레벨을 상승 하도록 설계하였으며, level down shifter는 반대의 동작으로 1Ghz의 입력 주파수에서 동작하도록 설계하였다. 시뮬레이션 및 결과는 $0.35{\mu}m$ CMOS Process, $0.13{\mu}m$ IBM CMOS Process 와 65nm CMOS model 변수를 이용한 Hspice를 통하여 검증하였다. 또한, 제안하는 회로의 지연시간 및 파워소모 분석과 동작 주파수에 비례한 출력 전압의 Duty ratio 왜곡에 대한 연구도 하였다.

타이타늄합금의 전자빔용접성 (Electron beam weldability of titanium alloy)

  • 이채훈;윤종원;박노광
    • 한국레이저가공학회지
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    • 제10권4호
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    • pp.13-17
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    • 2007
  • Electron beam weldability was investigated for 1mm thick cold rolled sheets of commercially pure grade titanium and Ti-6Al-4V alloy. Accelerating voltage of 40kV, beam current of 6mA, and weld speed of 0.8m/min was used and focal position of focused electron beam was just on the surface of workpiece. Microstructure of weld metal, the heat affected zone and base metal was observed using optical microscope. Vickers hardness was measured across the welds and the transverse tensile test was carried out. Hydroformability test was also carried out for the butt welded coupons of commercially pure grade titanium. For the electron beam welded C P Ti, the average grain size was equiaxed $\alpha(15{\sim}25{\mu}m)$ for base metal, coarse equiaxed $\alpha(80{\sim}200{\mu}m)$ for weld metal and annealed and enlarged grain($40{\sim}120{\mu}m$) for the HAZ. The vickers hardness of C P Ti was $180{\sim}200Hv$ for base metal, and $160{\sim}180Hv$ for the weld metal and the HAZ. For the electron beam welded Ti-6Al-4V alloy, the vickers hardness was 360Hv for the base metal, abd $400{\sim}425Hv$ for the weld metal and the HAZ. All the failure occurred at the base metal, when the transverse weld tensile test was carried out for both electron beam welded C P Ti and Ti-6Al-4V alloy. The formability of electron beam welded C P Ti was decreased compared with that of C P Ti base alloy.

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수식된 $[Ru(v-bpy)_3]^{2+}$ 고분자 피막전극을 이용한 U(VI)의 정량 (Quantitative Determination of $UO2^{2+}$ with Modified $[Ru(v-bpy)_3]^{2+}$ Polymer Film Electrode)

  • 차성극
    • 대한화학회지
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    • 제44권1호
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    • pp.17-23
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    • 2000
  • 전기화학적으로 중합한 $[Ru(v-bpy)_3]^{2+}$의 다가 양이은성 고분자 피막전극을 $PF6^-/ClO_4^-$대이온의 비가 1:1 정도 되게 한 후에 우라늄과의 착물의 안정도상수가 각각 38.6과 17.5인 xylenoI orange와 diethyldithiocarbamate로 변성한 전극을 제작하였다. 이를 이용하여 용액중의 U(VI)을 정량할 수 있는 여러 회 사용이 가능한 전극을 제작하였다. 이 때에 분석용 신호를 얻기 위한 전극은 Pt/p-$[Ru(v-bpy)_3]^{2+}$, ligand, U(VI)이며 염화은 기준전극을 사용하였다. 벗김전압전류 과정에서는 전자전달이 지배적인 과정이었으며, 검정선은 $1.0{\times}10^{-3}{\sim}1.0{\times}10^{-7}$ M 범위에서 0.99의 좋은 상관관계와 5${\sim}$8%의 상대 표준편차를 나타냈다.

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LDMOS FET를 이용한 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기 설계 (Design of L-Band High Speed Pulsed High Power Amplifier Using LDMOS FET)

  • 이희민;홍성용
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제19권4호
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    • pp.484-491
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    • 2008
  • 본 논문에서는 LDMOS FET를 이용하여 스위칭 방식의 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기를 설계하고 제작하였다. 이를 위해 LDMOS FET의 드레인 전원을 스위칭하기 위한 고전압 스위칭 회로를 제안하였다. LDMOS FET를 이용한 펄스 고전력 증폭기는 단일 전원을 사용하고, 소자 특성상 이득과 출력이 높기 때문에 기존의 GaAs FET를 사용한 증폭기에 비해 구조가 간단하며, 사용 전압($V_{ds}=26{\sim}28\;V$)에 비해 최대 허용 전압(65 V)이 $2{\sim}3$배 높아 스위칭 방식에 적합하다. LDMOS FET를 이용하여 제작된 1.2 GHz 대역 100 W 펄스 증폭기는 펄스 폭이 2 us, PRF가 40 kHz의 출력 신호에서 상승 시간이 28.1 ns, 하강 시간이 26.6 ns로 측정되었다.

알칼리성 Pretease를 생산하는 Bacillus subtilis JK-1의 분리 동정 및 효소 특성 (Isolation and Characterization of an Alkaline Protease Produced by Bacillus subtilis JK-1)

  • 김지연
    • 미생물학회지
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    • 제43권4호
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    • pp.331-336
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    • 2007
  • 청국장으로부터 알칼리성 pretense 생성이 우수한 균주를 분리한 후 형태적, 생리.생화학적 특성 및 16S rRNA 유전자 염기서열을 통한 계통분석을 이용하여 동정을 실시한 결과 Bacillus subtilis JK-1으로 판명되었다. B. subtilis JK-1이 생산하는 pretense의 최적 활성 pH와 온도는 각각 9.0과 $55^{\circ}C$이었으며, $40{\sim}80^{\circ}C$의 sh도에서 안정하였다. 본 균주는 배지 중에 탄소원과 질소원, 무기염으로 1.0% (w/v) xylose와 1.0% (w/v) yeast extract, 0.3% (w/v) $CuSO_4$를 사통하였을 경우 최대의 알칼리성 protease 생산성을 나타내었다. B. subtilis JK-1의 생육은 배양 후 12시간만에 최대 성장을 나타냈으며, 효소 활성은 8시간부터 급격히 증가하여 $16{\sim}20$시간에 최대 활성을 나타내었다.